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Gongye shui chuli, 2014 针对发酵制药废水二级生化出水的水质特点，在实验室水平下利用三维电解法对其进行了深度处理研究，通过单因素实验和正交实验考察了pH、电流密度、活性炭投加量及反应时间等因素对处理效果的影响。结果表明，三维电解的最佳反应条件：电解时间为40 min，电流密度为50 mA/cm2，pH为3，活性炭投加量为15 g/L。电解出水经活性污泥法处理后达到《发酵类制药工业水污染物排放标准》（GB 21903—2008）的排放要求。
周俊, 胡小兵
doaj
, 2012 本发明揭示了一种交流电泳电极定向组装碳纳米管阵列传感器件的制作方法,其特征在于包括以下步骤:采用光刻和金属沉积法制作交流电泳金属电极的图形;在交流电泳金属电极上生长石墨烯薄膜;利用石墨烯覆盖的金属电极对超声分散后的碳纳米管施加交流电泳进行定向组装,形成碳纳米管阵列;利用过载电流烧断法去除或紫外光照法氧化碳纳米管阵列中的金属管,或同时采用两种方法结合去除碳纳米管阵列中的金属管;采用金属纳米颗粒或聚合物修饰定向碳纳米管阵列 ...
宋仁升 +7 more
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, 1993 一种新发展起来的用电子束荧光技术直接测量高超声速模型周围流场密度的方法,首次在科学院力学所 JF-4B 高超声速炮风洞中对7°尖锥在 M_∞=7.8时进行了流场密度的测量,给出了模型表面边界层中分离与不分离两种情况下的平均密度和脉动密度剖面分布及电子束荧光的校准结果 ...
朱进生, 林贞彬, 郭大华
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Gaoya dianqi, 2005 应用有限元法对空心、半铁心、半封闭铁心、全封闭铁心4种结构的箔式电抗器涡流场进行了仿真分析,分别计算出了磁场分布和铜箔片中的电流密度分布及交流损耗,找出了造成挤流效应的因素和减小损耗的途径,在计算分析的基础上,提出了一种低功耗箔式电抗器的新型结构。
王仲奕, 童军心, 顾沈卉
doaj
, 1981 本文研究了有限长度交流电弧的动力特性,采用二维电弧模型,考虑轴向热传导作用,得到一个非线性能量方程,用变量分离、非线性变换和Laplace变换求得电弧的热流势和电场强度的分析解。指出充满管道的有限长度的交流电弧动力特性仅由两个无量纲参数决定,并且指出热流势和电场强度存在轴向梯度,必须考虑轴向热传导的影响,当电弧的长度趋于无限大时,本解与R•L ...
荣陞
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, 2014 本发明涉及一种锌镍液流电池结构及包含其的电池系统，所述电池由单电池或二节以上的单电池组成的电池模块、以及电池两侧的正、负极端板组成，单电池按顺序依次包括正极集流体、正极、正极流场板、负极。所述的电池系统由电池、循环泵和管路组成，电解液填充于电池内的流道中，电池的电解液进口和出口通过管路经循环泵相连，电池充放电时，电解液在循环泵的作用下通过管路在单电池或电池模块内部进行自循环。该电池正极两侧设置双侧流场结构，并采用内置电解液循环的设计，舍弃了外置电解液储存罐，具有结构简单、能量密度高、功率密度高 ...
程元徽, 赖勤志, 张华民
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, 2014 本发明涉及一种液流电池电堆结构，其由两个或两个以上的一体化结构单元以及集流板顺序交替连接而成，其中一体化单元结构与集流板之间设有密封结构。一体化结构单元的特征在于：由第一电极框、第一电极框与隔膜之间的密封结构、隔膜、第二电极框与隔膜之间的密封结构、第二电极框构成。第一电极框与第二电极框延长度和宽度方向上的框体外边缘处设置有能够相互咬合的卡扣结构。通过该卡扣结构，将第一电极框、第一电极框与隔膜之间的密封结构、隔膜、隔膜与第二电极框之间的密封结构、第二电极框扣合在一起。本发明中液流电池电堆结构 ...
邢枫, 张华民, 李先锋
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Dianci bileiqi为评估广东一条500 kV超高压交流输电线路对邻近埋地油气管道电磁的干扰影响，本研究以CDEGS软件为基础，构建一条由输电线路和埋地油气管道交叉并行的输电线路模型，模拟分析了稳态和故障两种状态下的管道干扰情况。通过收集管道、输电线路参数及环境数据，结合国内外标准，提出了管道交流干扰的安全评估方法。研究表明：稳态运行时，管道最大干扰电压达到69.27 V，交流电流密度为260.
张东阳 +3 more
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Dianci bileiqi, 2018 交流接地系统一般只会流过短时故障电流,而直流接地极在单极运行方式下,需要长时间通过几千安培的工作电流,因此对接地极各项电气性能参数（接地电阻、地电位升、跨步电压、电流溢流密度等）的要求更为苛刻,从而对极址选择和极体设计的要求也更高,有鉴于此,结合四川省兴文县万寿极址的土壤模型,采用数值分析的方法,计算分析了不同长度和根数的垂直接地体敷设降阻剂后对直流接地极各项电气性能参数的影响。结果表明,在下层土壤电阻率较高的地区,单纯采用垂直接地体对接地极的影响不大,而在此基础上使用降阻剂后 ...
李腾飞 +5 more
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低阈值电流密度InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器
, 1997 利用分子束外延技术,生长了极低阈值电流密度、低内损耗、高量子效率的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器。在腔长900μm时，80μm宽接触激光器阈值电流密度是125A/cm~2,在腔长为2000μm时是113A/cm~2,这样低的阈值电流密度是目前国内报道的最低值。激光器的内损耗和内量子效率分别是2cm~(-1)和84％
徐遵图 +7 more
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