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介质阻挡放电电参数计算软件设计及应用

Gaoya dianqi, 2008
介质阻挡放电是产生低温等离子体的一种重要方法,其应用近年来受到关注。笔者基于介质阻挡放电中经常测量的电压和电流,设计用于介质阻挡放电实验的人机界面,有利在不同的外电压波形、阻挡介质参数、间隙距离等条件下的大量实验数据的分析和计算,得到介质阻挡放电相关的气隙电压、电流及放电功率、电荷量等参数。最后利用交流和脉冲条件下介质阻挡放电的实验波形对其进行了测试。
龙凯华, 邵涛, 严萍
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介质阻挡放电影响因素分析

Gaoya dianqi, 2004
对影响介质阻挡放电的因素加以研究,可以在实际应用中优化反应器设计,提高放电效率。通过在实验室建立的放电装置研究了外加电压幅值、气体间隙距离及作为阻挡层的介质材料性质对介质阻挡放电的影响。对试验结果的分析,为获得较大功率的介质阻挡放电提供了实验基础。
罗毅, 方志, 邱毓昌, 王辉
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多针-平板电极介质阻挡放电特性研究

Gaoya dianqi, 2004
通过电压-电流波形和电压-电荷李萨育图的测量,研究了空气中多针-平板电极介质阻挡放电特性,比较了这种放电和平板-平板电极介质阻挡放电的区别,并通过接触角测量比较了这两种形式放电对聚四氟乙烯（PTFE）进行表面改性的效果。结果表明:在相同的条件下,与平板-平板电极介质阻挡放电相比,多针-平板电极介质阻挡放电空间能产生更多的活性粒子;用这种放电对PTFE进行表面改性,能在更短的时间内获得和平板-平板电极介质阻挡放电相同的效果。
王辉, 方志, 邱毓昌
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不同电极结构对DBD降解亚甲基蓝废水的影响

Gaoya dianqi, 2023
文中采用介质阻挡放电（DBD）等离子体技术，分别以20、80、150、200目铜网以及铜片为电极，通过考察亚甲基蓝的降解率、一级反应动力学常数k、pH值、电导率以及COD值；研究了不同电极结构对介质阻挡放电降解亚甲基蓝染料废水的影响。并结合气体放电理论对不同电极结构下介质阻挡放电的等离子体形成机制进行了分析。研究结果发现：电极结构的变化会影响亚甲基蓝染料废水的降解效果；随着铜网电极目数的增加，铜网铜线密度的增加，等离子体放电由离散型向类弥散型过度，等离子体的均匀性增加，亚甲基蓝的降解率增加 ...
卢洪伟, 倪志娇, 查学军
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同轴圆柱结构DBD装置放电功率的模拟计算及实验研究

Gaoya dianqi, 2010
分析了介质阻挡放电的宏观工作机理,推导了介质阻挡放电功率的计算公式,在电场及等效电容分析的基础上,建立了同轴圆柱结构介质阻挡放电装置放电功率的数学模型。依据该模型对介质阻挡放电功率随输入电压的变化规律进行了模拟计算,并对具体算例进行了实验对比研究,研究结果验证了文中所建立模型的精确性和有效性,为介质阻挡放电类型的低温等离子体反应器的设计提供了理论依据。
赵卫东, 蔡忆昔, 韩文赫, 郑荣耀   +3 more
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不同介质下氦DBD等离子体特性数值模拟

Gaoya dianqi, 2020
为深入理解氦气氛围电介质材料对介质阻挡放电（dielectric barrier discharge,DBD）的电气特性影响,建立单介质覆盖高压电极的1-D流体模型,通过有限元分析法进行数值模拟,采用频率10.0 k Hz、幅值2.0 kV的正弦交流激励,研究了亚稳态氦原子数密度、电子密度、电场强度的时空变化特性,以及介质材料、放电间隙和介质厚度对介质阻挡放电特性的影响。仿真结果表明:随着介电常数增加,电子密度和氦离子数密度均增大,同时介质表面累积的电荷密度增加,放电强度增强,碰撞功率损失变大 ...
李平, 徐俊生, 陈兆权, 许桂敏
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介质阻挡放电的电荷传输特性研究

Gaoya dianqi, 2004
对介质阻挡放电空间的电荷传输特性进行研究,可以在实际应用中优化设计、提高放电效率。通过在实验室建立的介质阻挡放电装置,研究了外加电压幅值、气隙距离、阻挡介质的厚度和介电常数等因素对放电空间传输电荷的影响试验结果表明,放电空间在一个周期传输的电荷量随外加电压幅值和介质介电常数的增加而增加,随气隙距离和介质厚度的增加而减小。
方志, 邱毓昌, 王辉, 孙岩洲
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表面粗糙度对表面介质阻挡放电特性的影响研究

Gaoya dianqi, 2016
表面介质阻挡放电因能产生大面积均匀等离子体而被广泛研究及应用。然而多数研究致力于通过改变反应器对放电产生的等离子体参数进行优化。文中重点研究了介质表面粗糙度对沿面介质阻挡放电特性的影响,从介质表面态角度对产生的等离子体进行优化。石英玻璃作为阻挡介质在实验前经均匀机械研磨,并测量处理后的介质表面粗糙度指标Ra。实验结果发现:当放电产生的低温等离子体均匀分布于放电气隙时,表面粗糙度指标Ra为427.1 nm的介质的起始放电电压最低、平均放电功率最大、放电产生等离子体的电子激发温度最高 ...
杨国清, 张青, 钟思, 孙瑞峰, 王德意   +4 more
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曝光量对介质阻挡放电照相的影响

Gaoya dianqi, 2001
本文叙述了介质阻挡放电照相技术的基本原理 ,给出了自制的实验装置 ,并研究了不同曝光时间、不同放电回路电阻对照相质量的影响。在此基础上 ,提出在采用高压纳秒脉冲放电技术的前提下 ,综合控制曝光时间和放电回路电阻 ...
翁明, 陈启升, 吴日赐
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放电气隙对介质阻挡放电电学参量的影响

Gaoya dianqi, 2009
通过建立介质阻挡放电试验系统,采用Q-V Lissajous图形法研究了激励电压峰值VP-P、放电气隙lg对介质阻挡放电主要参量的影响。试验结果表明:增大VP-P、lg可提高介质阻挡放电的放电功率P;固定lg时,电介质层等效电容Cd随VP-P的增大而增大,放电间隙等效电容Cg随VP-P的增大而减小,VP-P对等效总电容C的影响不大;C、Cd、Cg均随lg增大而减小;电荷传输量Q、气隙等效电场强度Eg随VP-P的增大而升高,随lg的增大而降低。
蔡忆昔, 王军, 庄凤芝, 王攀, 王静   +4 more
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