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Dianci bileiqi, 1986 通过观察氧化锌非线性陶瓷的伏安特性、介电特性及热激电流,研究交直流偏置而引起的老化现象。由结果可以断定:直流偏置引起的现象是由于富氧化铋晶界层和肖特基势垒过渡层的离子迁移,非对称的肖特基势垒畸变所致;而交流偏置所引起的现象是因为肖特基势垒过渡层的离子迁移,对称的肖特基势垒畸变所致。还叙述了氧化锌非线性陶瓷的热击穿寿命与偏置条件,如偏置温度及偏置电压的关系。
Kazuo Eda, 苟雅江
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Gaoya dianqi, 1959 美国最近几年来特别致力于六氟化硫断路器系列的发展,认为其性能比油及空气断路器都好,而且经济。目前估计460仟伏级SF6断路器断流容量可达35,000兆伏安,而油断路器到460仟伏电压等级已不合算了 ...
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Dianci bileiqi, 2016 架空线路未设置线路及绝缘子闪络防护、变压器二次侧未设置合理电涌防护等措施易导致线路及绝缘子闪络导致线路跳闸、雷电电磁脉冲造成二次侧设备损坏等故障频繁发生。基于EMTP搭建典型低压配电入户线路变压器一、二次侧模型,计算不同电涌保护器安装方式下瞬态过电压变化特性及不同节点幅值分布特征,验证了高低压侧及二次侧设置三级SPD的优化防护效果,对负载及接地电阻与各级瞬态过电压分布相关性影响进行横向分析,总结出降低直击线路概率、实现高低压侧间隙性避雷器放电特性与二次侧三级SPD伏安特性合理绝缘配合方案。
朱泽伟, 周歧斌, 陈贻亮, 唐涛
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Gaoya dianqi, 1959 Voigt & Haeffner公司和ASEA公司创制了一种新型空气断路器,它是多断点的,其额定断流容量为8000兆伏安,与之相应的切断电流为21千安。每个断点的切断能力为1000兆伏安,所以断路器的每相由8个断口组成。主要电气特性数据见表1 三相断路器是由三个相同的单极及一个带有压缩空气检验仪表的控制柜所组成 ...
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Gaoya dianqi, 2014 为了对变压器式可控电抗器（CRT）的性能进行优化与分析,笔者对其基本工作原理进行了简单的阐述,提出了多种等效电路模型,并介绍了详细的建模的过程;分析了变压器式可控电抗器的谐波特性、控制特性、伏安特性等工作特性,并分别给出了计算公式以及波形分析;计算了CRT的有功消耗,得出了多绕组变压器的有功消耗的计算公式;对CRT的响应时间进行了分析,得出了CRT从一个稳态到另一个稳态的过渡过程波形。
安潇, 田铭兴, 原东昇, 郭旭东
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Dianci bileiqi, 1988 根据我国6个500kV电力系统的结线、参数和西安电瓷研究所制造的Y10—W1 420/1000,500kV MOA的伏安特性,通过大量的计算,认为可用长线释放试验的有关公式对MOA在操作过电压下的动作负载进行估计,并较详细地分析了这些估计有偏差的原因。
王秉钧, 乔胜利
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Dianci bileiqi, 2007 在雷电冲击下,对金属氧化物避雷器的动态特性和仿真计算中等效模型的建立进行了分析。讨论了采用分段线性法、单指数和多指数函数拟和法、线性和非线性混合拟和法分析金属氧化物避雷器伏安特性的优缺点。指出金属氧化物避雷器在电磁暂态计算程序（ATP）中宜采用Pinceti模型,在金属氧化物电阻片中电阻非线性的计算宜采用多指数函数拟和法。
秦家远
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[Neurophysiological differentiation of children with ADHD alone and ADHD comorbid with dyslexia: a P600-like component analysis]. [PDF]
Zhongguo Dang Dai Er Ke Za ZhiHuang YH +9 more
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[Electroacupuncture ameliorates cognitive impairment and suppresses TLR4/MyD88/NF-κB pathway-mediated astrocyte activation in rats with vascular dementia]. [PDF]
Nan Fang Yi Ke Da Xue Xue BaoGao J +6 more
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[Noninvasive nanosecond transcranial pulsed electric fields: deep-penetrating, high-field stimulation for suppressing hippocampal amyloid-β and improving cognitive function in an Alzheimer's disease model]. [PDF]
Sheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za ZhiChen Y, Yao C, Yan F, Xiao P, Lu X.
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