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Gaoya dianqi, 2000 研究了运动水滴在球－球直流电场中的放电现象，对于含有水滴的电场分布进行了计算，水滴的引入使得水滴外表面的场强跃变为无水时场强的３倍左右，从而水滴在电场中会在较低的电压下诱发电晕，比较了正负极性电压下起晕现象。为水处理技术中的混合两相体放电问题提供了依据。
齐军, 叶齐政, 顾温国, 李劲
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一种高迁移率量子点场效应晶体管，包括：一衬底；一第一应力缓冲层制作在衬底上；一第二应力缓冲层制作在第一应力缓冲层上；一掺杂层制作在第二应力缓冲层上；一间隔层制作在掺杂层上；一沟道层制作在间隔层上；一下势垒层制作在沟道层上；一量子点层制作在下势垒层上；一上势垒层制作在量子点层上，该上势垒层上面的中间有一凹形台面，该凹形台面的一侧为源区，另一侧为漏区；两帽层，该两帽层分别制作在上势垒层两侧的源区和漏区上；一第一电极制作在一帽层的上面；一第二电极制作在另一帽层的上面 ...
杨富华 +4 more
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Study on in situ high magnetic field equipment and properties of ionic liquids
, 2012 离子液体的独特结构和性质使得其作为溶剂或介质广泛应用于催化反应、有机合成、分离过程和电化学等领域。然而，由离子液体的黏度高、传递效率低、难分散、难分离等问题成为其工业化应用的瓶颈。因此，通过外场强化以提高传质效率的研究成为离子液体研究的新热点。磁场作为一种有效的外场强化手段，在物质的固定、选择、反应等方面已经得到了很好的应用，但是目前针对离子液体的磁场强化研究未见报道。原因之一是普通的磁场装置最高只能产生2 T的磁场强度，只对铁磁性的物质起作用，而对于离子液体来说，只有更高磁场才能激发其响应 ...
姚宏玮
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, 2001 气动声学是气动力学与声学之间的交叉学科,着重研究流体流动及其与物体作用导致噪声的产生机理。对它的研究有重要应用背景。本文由两个部分组成。为了更好地捕捉激波和多尺度物理量发展了带群速度控制的超紧致格式,利用这一方法数值模拟了强涡-激波干扰问题 ...
马延文, 傅德薰
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四川大学学报. 自然科学版, 2013 建立在无限深势阱下的半导体纳米管物理模型,在偶极近似下,求出半导体纳米管的谱线吸收系数、强度和频率.以HgS为管层,CdS为内核和外壳的半导体纳米管为例,探讨了线度和电场对谱线吸收系数和强度以及频率的影响,结果表明:在相同线度下,不同能带不同能级间的量子跃迁发出谱线的频率和强度远大于同能带不同能级的情形,见到的谱线基本上是由不同能带不同能级跃迁时所发出;谱线的吸收系数和强度以及频率均随电场增大而增大;电场一定时,谱线的强度和吸收系数随线度增大而增大;谱线的吸收系数主要取决于电场和能级的跃迁情况 ...
吴强
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四川大学学报. 自然科学版, 2004 作者利用圆柱体的散射场逼近椭圆柱体对电磁波的散射,建立了椭圆柱体散射的系统模型,分析了模型的物理意义,提出了进一步改善计算精度的方法;在毫米波段对模型所得结果进行了仿真并和圆柱体的散射场进行了对比.结果表明:当电磁波沿椭圆柱体的轴极化时,散射场主要是由平行于该轴的偶极子产生的,当椭圆柱体的大小和波长相差甚远时,椭圆柱体的散射截面小于同尺寸圆柱体的散射截面.当目标大小与波长可比拟时,椭圆柱的长短轴显著地影响着散射截面,与入射波的极化状态有关.绕射场的增强使得椭圆柱的前向表面电流大于圆柱的表面电流 ...
李应乐, 黄际英
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, 2008 采用分子束外延（MBE）技术，在GaSb（100）衬底上外延生长InAs（4ML）／GaSb（8ML）超晶格（SLs）。研究了生长温度（400～440℃）对超晶格晶体结构和表面形貌的影响。结果表明，420℃生长的超晶格结构完整和表面粗糙度最小，其荧光光谱（PL）峰值波长在约2．54μm处，响应光谱50％截止波长在约2．4μm处。通过控制快门顺序形成InSb和混合两种界面，并发现生长温度强烈影响混合界面InAs／GaSb超晶格结构和表面形貌 ...
陈慧娟 +8 more
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, 2007 采用复变函数的方法,给出带有两个等长度共线穿透裂纹的无限大载流薄板在瞬间电流作用下,裂纹尖端附近产生的温度场的表达式,得到温度在裂纹尖端的奇异特征.在通入垂直于裂纹的均匀电流作用下,由于裂纹的存在,裂纹尖端出现绕流现象,产生焦耳热,瞬时高温形成点热源.通过点热源在金属薄板内形成的温度场, 可以导出裂纹尖端产生的热应力强度因子表达式.将其与外载荷产生的应力强度因子叠加,可建立通电状态下的断裂判据.算例分析表明,点热源在裂纹尖端附近产生的热应力强度因子为负值 ...
刘俊杰, 白象忠, 郑坚, 敖涛
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Gaoya dianqi, 2015 高压绝缘套管是气体绝缘金属封闭开关设备（GIS）高电压与地电位绝缘的重要元件,其均匀的电场分布与合理的结构是GIS安全运行的保证。笔者针对252 k V GIS高压绝缘套管结构设计与电场分布问题,以电磁场理论为基础,通过建立高压绝缘套管电场分布计算的数学模型和基于ANSYS软件的套管电场分布的仿真分析,对套管接地内屏蔽附近电场分布对套管外表面局部区域电场强度的影响进行研究,并据此对套管内屏蔽进行结构设计。套管内屏蔽结构参数的优化结果表明,套管外表面的最大切向场强降低了约29%,使其绝缘性能有了明显的提高。
金立军 +4 more
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