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GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术 [PDF]
, 2003 在特定温控下对掺杂气体分子的状态和活性进行控制，建立了一套具有自主知识产权的气源分子束外延工艺生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术。采用该技术生长的SiGe/Si HBT外延材料，可将硼杂质较好地限制在SiGe合金基区内，并能有效地提高磷烷对N型掺杂的浓度和外延硅层的生长速率，获得了理想N,P型杂质分布的SiGe/Si ...
朱世荣 +6 more
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, 2010 本发明公开了一种共掺杂的纳米氧化锌粉体及其制备方法，共掺杂的元素包括第一金属元素和第二金属元素，第一金属元素是钛元素，第二金属元素是铝、镓、铟或锡元素；按物质的量计，第一金属元素、第二金属元素和氧化锌中锌元素的总和为100份，其中第一金属元素和第二金属元素的总和占0.005～30份，并且第一金属元素与第二金属元素的份数比范围为1∶100至100∶1。与现有技术相比，本发明方法反应条件精确可控，所用设备简单、成本低廉，便于污染控制，易于大规模工业化生产；得到的共掺杂氧化锌粉体的掺杂均匀度高 ...
魏铁锋 +5 more
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, 2006 采用溶胶-凝胶法通过分步控制工艺制备了镍离子不同掺杂方式的TiO2薄膜.通过甲基橙的光催化降解动力学来表征其光催化活性.结果表明：镍离子非均匀掺杂在掺杂量0.5%时可以明显增强TiO2的光催化活性,而均匀掺杂提高TiO2的光催化活性较小.光电化学表征结果显示：镍离子非均匀掺杂TiO2薄膜的瞬时光电流信号较强,说明其光生载流子易于生成且分离效果较好;循环伏安曲线表明,光照时Ni非均匀掺杂的TiO2薄膜改变了体系的氧化还原电位,说明了薄膜内建电场的建立.基于半导体的P ...
徐刚, 于华, 李新军, 郑少健
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, 2017 以KMnO_4、MnSO_4、Co(NO_3)_2·6H_2O和H2_SO_4为反应原料,采用水热法合成了一系列掺杂过渡金属Co的氧化锰八面体分子筛(OMS-2),采用X-射线衍射、扫描电镜、红外光谱、低温氮气物理吸脱附和H_2程序升温还原对样品进行了表征,研究了Co的掺杂对OMS-2分子筛的结构、形貌和氧化还原性质等的影响,并对该系列催化剂进行了CO氧化性能评价。结果表明,掺杂Co并未改变OMS-2的晶体结构,并充分分散在OMS-2骨架结构中;掺杂Co的OMS ...
张建 +9 more
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, 2007 采用固相合成法制备了SnO2掺杂的TiO2基压敏电阻系列样品，并通过XRD和SEM分析，以及I-V曲线测量对材料的结构和电学性能进行了研究。结果表明：SnO2的掺杂抑制了晶粒的生长，晶界相含量增加。电性能测试结果显示，SnO2的掺杂量在0～1.5 mo1％内，击穿场强随SnO2掺杂量的增加单调递增；非线性系数先增加后又减小，掺杂量为0．8 mo1％ 的样品具有最大的非线性系数(α=8.3 ...
李志祥 +7 more
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, 2007 稀土掺杂二氧化硅（SiO2）胶体微球在光学、材料科学、生物学等领域具有广阔的应用前景。因此，制备和研究稀土掺杂SiO2胶体微球具有非常重要的科学和应用价值。利用单分散性SiO2胶体微球的自组装特性制备胶体光子晶体是制备三维光子晶体一种重要方法。本论文就SiO2胶体微球的制备、稀土掺杂和自组装等三个方面开展了研究工作。首先，采用两种制备方法（碱催化法和酸催化法）利用正硅酸乙酯的水解和缩聚反应研制了SiO2胶体微球，研究了焙烧过程中SiO2胶体微球微观结构的演化规律。详细给出了SiO2胶体微球的成核长大机制，
黄昌清
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磷掺杂硅‑石墨复合材料及含有其的负极材料和锂离子电池 [PDF]
, 2017 本申请公开了一种磷掺杂硅‑石墨复合材料，所述磷掺杂硅‑石墨复合材料中含有磷掺杂的N型硅和石墨。所述磷掺杂硅‑石墨复合材料为负极活性材料用于锂离子电池，能够抑制硅巨大的体积膨胀，具有高容量及良好的循环稳定性的优点。本申请还公开了上述磷掺杂硅‑石墨复合材料的制备方法包括步骤：第一步球磨：将硅与磷在球磨罐中球磨；第二步球磨：将第一步球磨产物与石墨粉末在球磨罐中进一步球磨。本申请还公开了含有上述磷掺杂硅‑石墨复合材料和 ...
黄世强, 沈彩
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, 2011 利用固态反应法制备了具有铁磁性的Co掺杂CaO纳米粉末材料，并对材料的结构和磁学性质进行了研究.X射线衍射和高分辨率透射电镜测试结果表明，材料为单相的CaO立方结构，Co掺杂导致了晶格常数的减小，表明Co离子通过替位Ca离子融入了CaO晶格.磁性分析表明，该Co掺杂CaO纳米粉末表现出了明显的铁磁特性，临界温度高于70K.通过分析认为 ...
李晋闽, 赵婧, 夏庆林
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本发明提供一种Cu掺杂p型ZnO薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：采用射频磁控溅射方法，将纯度为4N以上的ZnO和高纯Cu粉末混合压制成所需靶材；步骤2：在氩气和氧气混合气体环境中将靶材溅射沉积在衬底之上形成薄膜；步骤3：将形成薄膜的衬底进行退火处理，得到Cu掺杂的p型ZnO薄膜材料 ...
杨晓丽, 陈诺夫, 尹志岗
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NiF2掺杂LiBH4-LiNH2-CaH2复合储氢材料及其制备方法 [PDF]
, 2014 本发明涉及一种NiF2掺杂LiBH4-LiNH2-CaH2复合储氢材料的制备方法，特别是利用NiF2掺杂改善LiBH4-LiNH2-CaH2体系放氢性能的储氢材料及其制备方法，属于改性技术领域。该复合材料通过机械球磨法制备而得，当NiF2掺杂量为5wt％时，体系在47°C开始大量放氢，主放氢峰温度为234℃，175℃时5000s内放氢量达到了3.75wt％，5h内放氢5.03wt％，200℃时5000s内放氢量达到了6wt％，270℃时1000s内放氢量达到了6.55wt ...
刘慧 +5 more
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