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, 2002 用真空蒸发法在玻璃和单晶硅片上制备纯Zn和掺杂Zn薄膜，然后在高于450 ℃条件下进行氧化、热处理（玻璃衬底）获得良好的纳米ZnO薄膜和掺杂ZnO薄膜。对单晶硅衬底上制备的纯Zn薄膜在高于800 ℃温度条件下进行液态源掺杂，获得掺B和P纳米ZnO薄膜。实验表明，掺杂和热处理使纳米ZnO薄膜的结构、导电性能得到改善，有效地降低了纳米ZnO薄膜的电阻 ...
田野, 李海兰, 宋淑芳, 李健
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MOCVD生长碳掺杂GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器 [PDF]
, 2000 利用低压金属有机金属化合物汽相淀积方法,以液态CCl_4为掺杂源生长了高质量C掺杂GaAs/AlGaAs材料,并对生长机理、材料特性以及C掺杂对大功率半导体激光器的影响进行了分析。在材料研究的基础上生长了以C为P型掺杂剂的GaAs/AlGaAs/InGaAs应变量子阱半导体激光器结构,置备了高性能980 ...
马晓宇 +8 more
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镧和铬共掺杂的钛酸锶光催化体系产氢以及Z机制分解水研究 [PDF]
, 2014 设计合成了La和Cr共掺杂的Sr2TiO4/SrTiO3异质结光催化剂。在可见光激发下共掺杂的Sr2TiO4/SrTiO3异质结催化剂显示了更高的光催化产氢活性。光生载流子在两物相间的有效传递导致电子-空穴有效分离、Pt在较低担载量条件下的趋向性沉积以及掺杂铬主要以三价的形式存在是La和Cr共掺杂Sr2TiO4/SrTiO3异质结光催化剂显著提高可见光产氢性能的原因。利用光合作用中Z机制的概念将通过溶胶凝胶水热法合成的产氢光催化剂SrTiO3(La,Cr)和产氧光催化剂WO3耦合，并在I-/IO3 ...
贾玉帅
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, 2016 本发明提供了一种金属掺杂非晶碳薄膜温度传感元件。该温度传感元件由基体、金属掺杂非晶碳薄膜、电极组成，金属掺杂非晶碳薄膜位于基体表面，电极位于金属掺杂非晶碳薄膜表面。与现有的温度传感元件相比，该薄膜温度传感元件的TCR值和电阻率可调控，能够同时具有高TCR值与优异机械性能及摩擦学性能 ...
郭鹏 +5 more
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, 2008 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算不同Mn浓度掺杂GaN晶体的电子结构和光学性质.计算结果表明Mn掺杂GaN使得Mn 3d与N2p轨道杂化,产生自旋极化杂质带,材料表现为半金属性,非常适于自旋注入,说明该种材料是实现自旋电子器件的理想材料,折射率在带隙处出现峰值 ...
邢海英 +5 more
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, 2014 本实用新型是一种恒温掺杂剂装置，掺杂物装置工作的恒温状态下，应用于离子迁移谱上，当恒定的气流吹过掺杂物装置时，能产生的恒定的掺杂物浓度，同时消除了环境温度对掺杂剂装置的影响。该装置结构简单，易于实现，体积小，工作可靠，性能稳定 ...
李海洋, 仓怀文, 李东明
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, 2000 首次细致地研究了InAs量子点中直接掺杂Be对其发光特性的影响。光致发光(PL)谱的研究表明，较低掺杂浓度时，发光峰蓝移，同时伴随着发光谱线窄。而较高浓度的掺杂会对量子点的光谱特性产生不良的影响，发光强度明显变弱 ...
宁东 +6 more
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本发明公开了一种提高镁在III-V族氮化物中掺杂效率的方法，该方法是在镁掺杂的p型III-V族氮化物的表面蒸镀一层2nm至10nm的碲，然后在N2气氛下退火，并用酸性液体洗掉蒸镀在p型III-V族氮化物上的碲。利用本发明，使镁在III-V族氮化物中的掺杂效率大大的提高，增加了p型III ...
纪攀峰, 朱峰, 李京波
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, 2015 一种共价三嗪骨架掺杂杂化膜的制备方法，步骤为：（1）共价三嗪骨架的制备，配方为：有机单体：a三氟甲磺酸，a=5～50，将有机单体与三氟甲磺酸迅速混合在微波反应釜中，利用微波加热合成CTFs材料，合成温度为100℃～150℃，合成时间为10～60分钟；（2）杂化膜液的配制，配方为b共价三嗪骨架粉体：有机物，b=1wt%～60wt%，有机物为聚二甲基硅氧烷，聚甲基苯基硅氧烷，聚酰亚胺，聚酰胺，聚砜，聚三甲基硅烷-1-丙炔；（3）采用浸涂法在多孔载体上制备杂化膜；（4）干燥杂化膜 ...
杨维慎, 彭媛, 李砚硕
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, 2014 本发明涉及一种掺杂剂辅助的电离源，这种电离源利用了紫外灯照射掺杂剂电离产生的电子以及照射载气产生的光化学反应。它包括两部分：紫外光源和内装填有掺杂剂的容器。紫外光照射易电离的掺杂剂能够产生低能量的光电子。光电子可以吸附到载气中光化学产生的O3上得到O3-，O3-或其水合离子O3(H2O)n可以和空气中存在的大量CO2反应生成CO3-(H2O)n（n=0-3）。CO3-(H2O)n可以作为试剂离子和待测物发生反应，使待测物电离形成产物离子。将掺杂剂辅助的电离源用于离子迁移谱 ...
陈创 +5 more
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