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工艺参数对选区激光熔化成型件致密度影响规律和孔隙缺陷形成机理研究

, 2018
采用正交实验法利用选区激光熔化技术成型钴铬合金材料,研究激光功率P、扫描速度v、铺粉厚度h和扫描间距d四个工艺参数对选区激光熔化成型件致密度的影响规律和孔隙缺陷的形成机理。研究结果表明:四个工艺参数中铺粉厚度对SLM成型件致密度影响最大;在工艺参数P=170W,v=500mm/s,h=0.03mm,d=0.06mm条件下得成型件致密度最高达96.59%。成型件孔隙的数量和尺寸与致密度密切相关,成型件内部孔隙缺陷主要可分为两类:不规则形匙孔和圆形气孔;前者尺寸较大,由球化效应 ...
吕东喜, 阮亮, 张远明, 安超, 张金松   +4 more
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[Classification and Ilizarov reconstruction strategies for post-infectious calcaneal bone defects]. [PDF]

Zhongguo Xiu Fu Chong Jian Wai Ke Za Zhi
Cheng X, Zhang L, Li L, Chen S, Wang Q, Zhao K, Zhu Y, Li M.   +7 more
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[Surgical treatment and effectiveness of tibial plateau fracture with intra-articular tiny free bone fragments]. [PDF]

Zhongguo Xiu Fu Chong Jian Wai Ke Za Zhi
Li T, Xie D, Wang H, Wang P, Wang G.
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[Surveillance of birth defects among perinatal infants in Guiyang City, 2016-2024, and trend prediction]. [PDF]

Zhongguo Dang Dai Er Ke Za Zhi
Wang Y, Yang JY, Tang LY.
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[Research progress on the regulatory role and mechanisms of the Hippo signaling pathway in the pathogenesis of congenital heart disease]. [PDF]

Zhongguo Dang Dai Er Ke Za Zhi
Li QX, Chen JY, Zhu YB, Li HB.
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高温退火处理的磷化铟中的深能级缺陷

, 2004
用深能级瞬态谱(DLTS)研究了高温退火处理后磷化铟中的深能级缺陷.在退火前以及纯磷和磷化铁气氛下,退火后低阻磷化铟中的深能级缺陷的数量和浓度明显不同,磷化铁气氛下退火后的磷化铟中只有0.24和0.64 eV两个缺陷,而纯磷气氛下退火后的磷化铟中可测到0.24,0.42,0.54和0.64 eV4个缺陷,退火前的原生磷化铟样品中有的只有0.49和0.64 eV两个缺陷,有的只有0.13 eV一个缺陷.根据这些结果 ...
李晋闽, 董志远, 赵有文, 曾一平, 段满龙   +4 more
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环境温度变化对含局部过热缺陷的油纸套管温升特性影响研究

Dianci bileiqi
由于油纸绝缘套管内部缺陷温度难以测定，局部过热缺陷在初期很难发现，因此开展内部过热缺陷与套管本体温升的关联性研究对现场运维具有重要的指导意义。本研究基于电磁-热耦合方法，建立了110 kV油纸绝缘套管在局部过热缺陷下内部与外部温度分布仿真分析模型，计算了不同接触电阻情况下套管整体温度场分布，并研究了环境温度、故障时间、温度日变化等工况对套管内部与伞裙温升的影响。结果表明：10倍接触电阻劣化情况下套管表面伞裙温升2.3 ℃，为套管早期故障表征；外界环境温度较低时套管伞裙表面温升绝对值较高 ...
陈晋鹏, 杨昊, 张璐, 曹雯, 廉泽, 万锋涛   +5 more
doaj  

[Advances in the application of individualized white-matter functional networks in children and adolescents with attention-deficit/hyperactivity disorder]. [PDF]

Zhongguo Dang Dai Er Ke Za Zhi
Yang HH, Hou JL.
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重摻硼CZ矽晶經模擬CMOS高溫製程晶片內部微觀缺陷的變化情形

, 2014
重摻Cz矽晶片廣泛的被用來當p/p+ epi wafer的基板。然而重摻硼矽晶圓經過熱處理後,會產生大量的內部缺陷,且內部缺陷在長磊晶的過程中極易延伸生長至磊晶層內,有害於後續的元件製造,因此瞭解重摻硼矽晶片內部微觀缺陷種類的改變及如何創造出相當寬敞的無缺陷表層便值得深入去探討。在本研究中，我們模擬磊晶和CMOS高溫製程的熱歷程而設計出二階段和三階段熱處理，來研究重摻硼矽晶圓內部缺陷和無缺陷區的形成。並與先前本實驗室輕摻硼重要結果做比較 ...
Yi, Kang Meng, 康孟意
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[Progress in surgical fixation methods for patellar osteochondral fractures following acute patellar dislocation]. [PDF]

Zhongguo Xiu Fu Chong Jian Wai Ke Za Zhi
Li J, Gong L, Zhou M.
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