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, 2013 本发明提供半导体材料表面缺陷测量装置及表面缺陷测量方法，属于半导体测试领域。装置包括样品台、原子力显微镜导电探针、电压源、压电激振陶瓷、光学显微镜系统、单色仪、光电探测器和锁相放大器，电压源、压电激振陶瓷均与原子力显微镜导电探针相连，单色仪相连、光电探测器、锁相放大器顺次相连；其方法步骤为：将待测样品放置样品台上；针尖产生一周期性的机械振动；待测样品的裸露表面产生一周期性的光；将待测样品所发出的光聚集至单色仪处进行分光；测量发光信号。本发明解决了现有技术中对测量半导体表面缺陷中电致发光光谱测量存在的问题，
钟海舰 +8 more
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, 2006 综合深能级缺陷和电学性质的测试结果，证明了半绝缘InP单晶材料的电学性能、热稳定性、均匀性等性能与材料中一些深能级缺陷的含量密切相关．通过分析深能级缺陷产生的规律与热处理及生长条件的关系，给出了抑制缺陷产生，提高材料质量的途径 ...
董志远 +4 more
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, 1999 本文采用集团模型和推广的Hucket分子轨道理论(EHMO)计算c-Si中Er点缺陷及Er-O复合缺陷的原子构型及电子结构。计算结果符合实验及一些文献的第一性原理计算结果,解释了Er有c ...
薛俊明 +6 more
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, 2016 重点分析镀锡产品边部线状缺陷的生长机制和缺陷遗传规律。在大量现场试样分析的基础上,探讨轧制过程工艺对细线缺陷产生的影响。采用SEM,EDS等方式分析缺陷的形貌,成分及组织。结果表明,边部线状缺陷主要由炼钢的夹杂物、热轧带钢边部翘皮、氧化铁皮以及冷轧热轧工序边部擦划伤缺陷遗传所致。通过热轧辊形优化可以有效控制边部翘皮缺陷;通过系列工艺控制,可以有效避免夹杂物、擦划伤及氧化铁皮缺陷。镀锡产品边部线状缺陷率降低70%以上,产品质量得到有效改善。
艾矫健 +10 more
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, 2013 为了研究铝合金焊接力学性能及焊接缺陷，采用THDW-6 真空电子束焊机对6061 铝合金试样进行焊接试验研究，采用工作距离110mm、工作电用70kV、电子束流40mA、聚焦电流638mA、焊接速度540mm/min进行穿透焊，接头的抗拉强度为母材的92% ，接头的显微硬度有明显的软化，约为母材的79%。并对焊接中常产生的塌陷和顶尖缺陷、裂纹与气孔缺陷、飞溅缺陷进行了分析，提出了铝合金真空电子束焊接时相应的工艺措施 ...
乔红超, 赵吉宾, 于彦凤
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, 2007 研究了原生和高温退火处理后非掺n型和半绝缘InP单晶材料中产生的缺陷.在磷气氛下退火后，n型和半绝缘InP单晶中均明显产生相当数量的深能级缺陷，而在磷化铁气氛下退火后，InP的缺陷数量明显减少.在退火过程中缺陷的产生与磷和铁的内扩散有直接关系.向内扩散的磷原子和铁原子占据晶格中铟位后，分别产生反位缺陷和铁深受主.实验结果表明，铁通过扩散充分占据了铟位，抑制了铟空位、磷反位等缺陷的形成，而磷气氛下退火后产生的缺陷有铟空位、磷反位等 ...
董志远, 赵有文
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, 2017 本发明公开了一种输电线路缺陷位置的视觉计算方法，属于数字图像识别领域，目的在于帮助电力巡检与维护机器人在检测到线路缺陷后，确定缺陷位置。检测顺序如下：(1)线路缺陷的识别；(2)获取线路缺陷到相机光心的直线数学表达；(3)获取输电线路的数学表达；(4)结合缺陷的几何特征计算其位置。本发明将数字图像处理技术引入到线路缺陷诊断中，利用电力巡检与维护机器人采集的缺陷图像信息自动识别出线路缺陷位置 ...
姜勇 +8 more
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, 1989 我们曾经提出:在a-Si∶H中光致亚稳缺陷的产生是由于Si-H键断裂,本文将进一步论述这种缺陷产生的可能微观机构,着重讨论微空洞在亚稳缺陷产生中的作用,并提出:光照不仅使悬键增多,同时也使Si-Si弱键增多的机构.中国科学引文数据库(CSCD)009702 ...
秦国刚, 孔光临
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缺陷连续统理论及其在本构方程研究中的应用 Ⅱ.缺陷的规范场理论
, 1989 详细评述了缺陷连续统的规范场理论,该理论是近代材料科学和固体力学中新发展起来颇有意义的一个分支。首先强调了Noether定理及其逆定理在构造缺陷规范场理论中的重要性。同时基于Yang-Mills普适规范场构造,包括对SO(3)T(3)群的最小替换和最小耦合原理,系统地介绍了Golebiewska-Lasota,Edelen,Kadic和Edelen等人的原始性工作及他们的贡献。本文表明,Kadic和Edelen的理论是基于一组缺陷动力学的线性连续性方程发展起来的 ...
王文标, 段祝平, 黄迎雷
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