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超晶格电子辐照缺陷的亚稳态特性

open access: yes, 1994
用深能级瞬态谱(DLTS)系统地研究了GaAs(50A)/GaAlAs(50A)超晶格中的电子辐照缺陷,证实其亚稳态特性的存在,对其恢复温度、转变条件进行了研究 ...
周洁, 封松林, 卢励吾
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一种计算和分析二维光子晶体缺陷模式的方法

open access: yes, 2006
通过改进时域有限差分(FDTD)法,计算和分析了二维光子晶体的缺陷模式。运用一维时域有限差分算法和线性插值法在总场散射场(TF-SF)连接边界引入入射平面波,采用完全匹配层(PML)技术对外行波进行了有效吸收。计算和分析结果表明,在光子晶体非对称方向入射的平面波能激发所有的缺陷模式,选取合适的探测点位置收集电场值,经快速傅里叶变换(FFT)能得到所有的共振峰值。另外,采用该方法研究了二维正方介质柱光子晶体缺陷模的共振频率与缺陷介质柱半径和介电常量之间的关系 ...
全宇军   +5 more
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用正电子研究半导体材料GaSb的缺陷

open access: yes, 2006
用正电子寿命谱和符合多普勒技术研究了电子辐照过的GaSb样品.揭示出原牛未掺杂GaSb样品中存在单空位型VGa相关缺陷,具有284ps左右的寿命值.电子辐照能使这种缺陷的浓度增大,使平均寿命值从辐照前的265Ps增大到辐照后的268ps.低温符合多普勒展宽实验结果表明退火后的电子辐照过的原生未掺杂GaSb样品中仍然存在反位缺陷Gasb.掺Zn、Te样品的实验也证实电子辐照在GaSb样品中会引入VGa,284 ...
唐方圆, 王柱, 邵云东, 赵有文
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一种修补钯及钯合金复合膜缺陷的方法

open access: yes, 2009
一种修补钯及钯合金复合膜缺陷的方法,通过将一种或多种有机物添加在钯化学镀液中,使得有机物只吸附在钯及钯合金复合膜表面,而不能进入缺陷内部。所述有机物为能够通过后处理过程去除的物质,或能够通过加热完全分解的物质。由于所述有机物吸附在钯及钯合金复合膜表面而使表面被覆盖,从而使金属的自催化沉积反应不会在钯及钯合金复合膜表面发生;另外由于所述有机物不能够进入缺陷内部,因而无法阻止金属的自催化沉积而使得缺陷被金属沉积修补。通过本发明修补后的钯及钯合金复合膜,在其致密性加强的同时,金属膜层的厚度不会增加 ...
徐恒泳   +2 more
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微小表面缺陷对高强钢超高周疲劳的影响

open access: yes, 2016
现有的研究表明,直径10微米量级的夹杂是高强钢超高周疲劳裂纹起源的主要诱因之一。在实际应用中,加工以及磨损造成的微小表面缺陷,其尺寸往往达到或超过这一量级,即构件表面缺陷对疲劳裂纹萌生和疲劳寿命将有显著影响。因此,研究表面微小缺陷对高强钢超高周疲劳的影响具有重要的意义。本文对一种高强度车轴钢进行了超高周疲劳实验研究,通过显微硬度计压坑法和钻孔的方法在试样表面引入了不同的表面缺陷。实验结果表明,小于一定尺寸的缺陷一般不会引起裂纹起源,但是会降低试样的疲劳强度;而表面缺陷的尺寸较大时,裂纹往往由缺陷处起源 ...
孙成奇   +3 more
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非掺半绝缘InP材料的电子辐照缺陷研究

open access: yes, 2010
本文针对磷化铁(FeP_2)气氛下高温退火非掺杂半绝缘磷化铟(IP SI-InP)材料,应用正电子寿命谱及热激电流谱学技术,研究了该材料在电子辐照前后的缺陷情况.研究发现,该材料经电子辐照后缺陷浓度在增大,且形成了复合体的缺陷结构,电子辐照后的正电子湮没平均寿命增加了18 ps,对应的热激电流谱(TSC)也出现了相应的缺陷峰.本文还对缺陷的特性 ...
张丽然   +8 more
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平板光子晶体缺陷模特性的研究

open access: yes, 2008
利用时域有限差分法分析了平板光子晶体的结构参数对其禁带特性及缺陷模特性的影响。对介质中的空气组成的三角格子平板型光子晶体引入缺陷后,增大受主缺陷空气孔的半径会使其介质带上移 ...
谢东华
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诱变筛选鱼类HGPRT缺陷型细胞的初步试探

open access: yes, 1990
草鱼卵巢细胞GCG经乙基甲磺酸(EMS)诱变,稳定表达3代以后,采取逐步提高培养基中6-巯基嘌呤(6-MP)的方法,获得对6-MP稳定抗性的细胞,暂定名FMR-1。本文比较了GCG细胞及FMR-1细胞在含6-MP(20μg/ml)和不含6-MP的培养基中生长曲线的特点,并对上述两种细胞的染色体数目、乳酸脱氢酶及葡萄糖-6-磷酸脱氢酶图谱进行了比较分析,最后对两种细胞在HAT培养基中的生长特点进行了平行对照实验,根据实验结果,可以初步判定FMR-1为草鱼HGPRT缺陷型细胞 ...
甘新生
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基于梯度缺陷的薄壁圆筒压溃历程主动控制 [PDF]

open access: yes, 2015
针对薄壁圆筒轴压屈曲的可控性及稳定可控性问题,提出了基于梯度缺陷的压溃历程主动控制方法.建立了针对梯度缺陷筒分段平均压溃力预测的理论模型,通过落锤实验与数值计算,确定了屈曲历程的可控参数范围.通过研究不同无量纲半波长模型的压溃力特征 ...
杨喆, 黄晨光, 魏延鹏
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深能级缺陷对半绝缘InP材料电学补偿的影响

open access: yes, 2007
对铁掺杂和高温退火非掺杂磷化铟制备的两种半绝缘材料的电学补偿和深能级缺陷进行了分析和比较.根据热激电流谱(TSC)测得的深能级缺陷结果,分析了这两种半绝缘InP材料中深能级缺陷对电学补偿的影响.在掺铁半绝缘InP材料中,由于存在高浓度的深能级缺陷参与电学补偿。降低了材料的补偿度和电学性能.相比之下,利用磷化饫气氛下高温退火非掺InP获得的半绝缘材料的深能级缺陷浓度很低,通过扩散掺入晶格的铁成为唯一的深受主补偿中心钉扎费米能级,材料表现出优异的电学性质 ...
王博   +5 more
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