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四川大学学报. 自然科学版, 1985 Si在NH4Cl存在情况下热氧化,有效地改善了生成的Sio2膜的击穿特性.同标准氧化膜的击穿强度相比,NH4Cl氧化膜的击穿强度增加30％以上,击穿强度的统计分散有效地减小.
王廷
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, 2014 本实用新型提供了一种激光诱导击穿光谱分析系统，激光诱导击穿光谱分析系统，包括控制单元、脉冲激光器和沿脉冲激光出射方向依次设置的分束器、可移动定位平台、光谱收集单元、光谱仪以及数据处理系统，分束器将脉冲激光器的出射光脉冲分出主光路和采样光路，在主光路上设置有激光扩束准直及聚焦光学系统、与所述可移动定位平台构成反馈控制的样品定位单元，在采样光路上设置有脉冲激光能量测量模块、脉冲触发延迟单元，控制单元具有多路控制信号输出，各控制信号输出端分别对应接至样品定位单元 ...
汤洁 +5 more
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Gaoya dianqi, 2021 换流站内交流滤波器投入过程会产生较大的涌流及过电压,对其内部元件和母线造成很大的冲击,严重威胁系统安全。文中结合高压断路器在不同开距下的电场分布特性计算出预击穿时间和实际关合时间,运用PSCAD/EMTDC仿真软件建立了直流输电系统模型,仿真分析了计及预击穿特性和机械分散性的选相投切技术对抑制合闸涌流及过电压的有效性,同时分析了带电投入交流滤波器这一特殊工况下电容残压、合闸相角和合闸涌流的关系,最后结合模拟实验得出:考虑断路器的预击穿特性和机械分散性,选相投切技术可将74%的操作过电压抑制在0.02 p.
段雄英, 陈一豪, 张帆, 廖敏夫
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Gaoya dianqi, 2014 综述了目前国内外高性能触发真空开关的研究进展;归纳了触发真空开关的结构研究情况,按触发形式的不同将其分为沿面击穿型和场击穿型,按结构形式不同可将其分为多棒极型、磁延滞型、带辅助阴极型、长间隙型、触发真空灭弧室、棒状电极和圆筒状电极型;分析了触发真空开关的击穿机理研究情况;总结了触发真空开关的触发特性和导通特性等性能研究情况。
谢昌明, 尚绍环, 谈效华, 杜涛
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Gaoya dianqi, 2005 相控开关的核心问题之一是最佳投切相位的确定,而最佳投切相位又与断路器的预击穿绝缘特性密切相关。针对断路器预击穿特性对最佳同步关合目标相位的影响,文中引入了关合系数k,并对其进行分类讨论,详细分析了断路器合闸时的预击穿物理过程,同时考虑到断路器动作时间分散性,得到了不同绝缘强度下降率（RDDS）与机械分散性条件下的最佳投切相位计算公式。
丁富华, 邹积岩, 段雄英
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, 2016 超声速冲击射流具有很高的换热效率和复杂的流动结构。以往的研究主要集中在无限制的自由冲击射流,而受限制的超声速冲击射流流场结构和换热特性研究却较少。在实际中采取抽吸方法来进行流动控制时会出现受限制的超声速冲击射流情形。而其流场形态和壁面所受气动热分布尚不明确。因此,本文使用数值模拟的方法研究了超声速缝隙射流在封闭室内的流动特征及气动换热特性,获得了不同射流雷诺数、马赫数、冲击高度、冲击角度以及出口反压下封闭室内的流场特征,及封闭室壁面气动热负荷的分布特点。研究结果表明,封闭室内的流场存在有 ...
岳连捷, 张新宇, 黄庭隆
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Gaoya dianqi双断口真空断路器能够有效提高耐受电压水平，显著降低重燃率，进而提升无功投切性能，具有重要的工程实际意义。文中通过实验分别研究了双断口真空断路器在直流电压下不并联均压电容以及并联均压电容条件下关合时的预击穿特性，包括预击穿开距及其分散性、预击穿电压、预击穿场强，并计算其威布尔分布。结果表明，通过并联合理大小的均压电容（约100 pF）可以使双断口分压更加均匀，从而有效改善双断口真空断路器的预击穿特性。实验结果表明，随着均压电容的增大，当均压电容值超过500 pF后，双断口真空断路器的预击穿特性将会变差 ...
李洪伟 +4 more
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Dianci bileiqi, 2018 近年来,随着多条特高压输电线路投入运营,山火引发输电线路跳闸,跳闸事故给电网的安全稳定运行带来了严重挑战,因此,研究山火条件下输电线路间隙击穿特性具有重要意义。山火发生时,产生的火焰高温、火焰电导率、固体颗粒等导致输电线路间隙绝缘性能剧烈下降,可能引发输电线路跳闸,且重合闸容易失败,容易导致输电线路停运的严重事故。本文对山火导致输电线路间隙击穿主要诱因进行了综述,研究了火焰温度、火焰电导率、固体颗粒等对输电线路间隙击穿特性影响的现状。分析结果表明:山火引发输电线路间隙击穿是多种因素综合作用的结果 ...
祝贺, 刘程
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, 2001 研究了通过多晶硅栅注入氮离子氮化10nm薄栅SiO_2的特性。实验证明氮化后的薄SiO_2栅具有明显的抗硼穿透能力，它在FN应力下的氧化物陷阱电荷产生速率和正向FN应力下的慢态产生速率比常规栅介质均有显著下降，氮化栅介质的击穿电荷(Q_(bd))比常规栅介质提高了20%。栅介质性能改善的可能原因是由于离子注入工艺在栅SiO_2中引进的N ...
刘忠立, 王延峰
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Gaoya dianqi真空断路器在投切背靠背电容器组时，合闸预击穿过程中的涌流电弧会严重烧蚀真空灭弧室触头表面，被破坏的触头表面会导致分闸过程中高重击穿概率问题。合闸过程中触头自身磁场会对涌流预击穿电弧特性产生影响，是决定重击穿概率的关键因素。文中旨在研究杯状横纵磁场结构对真空灭弧室容性投切过程中预击穿电弧特性的影响规律。文中分别采用杯状横磁和纵磁结构的真空灭弧室触头开展实验，真空灭弧室的触头直径为48 mm，采用透明玻璃绝缘外壳，内部没有屏蔽罩以便于观察预击穿电弧，实验中利用高速摄像机观察记录涌流预击穿电弧特性 ...
余勇祥, 肖辉, 田溢华, 钱伟
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