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Gaoya dianqi, 2021 文中介绍了一种新型环保绝缘气体六氟丙烯（1-C3F6）,并重点研究了1-C3F6与CO2混合气体在不同电极结构和电压特性下的绝缘特性。研究表明:在均匀电场中,1-C3F6/CO2混合气体的50%击穿电压随着电极间距、气压的增加而增加,工频击穿电压随着充气压力的升高而近似线性升高,纯1-C3F6气体在1.25 bar（1 bar=100 k Pa）时的工频击穿电压与SF6接近。此外,在各个充气压力下,1-C3F6/CO2混合气体的工频击穿电压都比C5F10O/Air混合气体高。在稍不均匀电场中,1 ...
周永言 +4 more
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Dianci bileiqi, 1976 第三部分高压瓷绝缘子工频击穿电压回归方程对于B型绝缘子,工频击穿电压是一项重要的要求,过去是凭经验估计进行设计,但苏联介绍的击穿电压值偏低,而西德的公式适用范围又比较窄,且击穿电压的数值与瓷质水平密切相关,遵照毛主席关于“要认真总结经验”的教导,总结出我国自己的工频击穿电压计算公式。 3-1 ...
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Dianci bileiqi, 2013 ZnO压敏陶瓷击穿场强E1mA由晶粒尺寸和单个晶界击穿电压两个因素共同决定,沿用之前提出的微观结构模型,在晶粒尺寸一定,晶界电压服从正态分布;晶界电压一定,晶粒尺寸服从正态分布;和晶粒尺寸、晶界电压都服从正态分布三种条件下,用Matlab分别模拟击穿场强随厚度的变化关系,结果表明ZnO压敏陶瓷击穿场强的几何效应主要来自晶粒尺寸和分布的影响。在此基础上,对初始厚度不同的试样进行击穿场强与厚度的关系模拟,从结果可以看到,无论是高击穿场强还是低击穿场强的试样,都存在几何效应。
鲍婕, 王政留, 李盛涛
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Gaoya dianqi, 2000 对SF6气体间隙及绝缘子沿面的预放电电流进行了测量。测量结果证实 ,正极性VFTO作用下SF6的击穿遵从先导击穿机理 ;而负极性VFTO作用下SF6的击穿一般遵从茎先导机理或流注放电导致直接击穿。气压大小直接影响先导的起始电压及先导的间隔时间。存在绝缘子时 ,先导形成时间间隔及步长变短 ,且在快速振荡冲击电压作用下会出现“逆放电”现象 ,这有利于先导形成 ,从而降低了闪络电压。
陈庆国 +4 more
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GIS中电压互感器中性点接地击穿间隙频繁击穿的原因分析及处理方法
Gaoya dianqi, 1992 针对GIS中电压互感器中性点接地击穿同隙频繁击穿的现象,分析了击穿原因,指出击穿系由隔离开关操作引起的快速暂态过电压通过耦合电容的传遵而造成,并提出了经过实践检验的解决方法。
潘晓强, 马云荣
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Dianci bileiqi, 1993 介绍了绝缘子陡冲击波电压试验情况。总结了陶瓷材料发生介电击穿的方式、种类及特点,肯定了瓷质在陡波电压下的击穿为电击穿。同时运用霍罗威兹理论,假设瓷质内部击穿源形式,分析对瓷质陡波击穿电场强度Ep的影响因素,并将陡波击穿机理建立在能谱分析试验的基础之上,提出了提高瓷绝缘子耐陡波性能的措施。
宋胜官, 成世凡
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Dianci bileiqi, 2016 雷电过电压的冲击会对电力变压器的内绝缘产生累积效应,并最终导致其绝缘的击穿。本文基于变电站侵入的实际雷电过电压波形,采用代表性的双极性振荡衰减波与标准雷电波进行对比研究,从波形、振荡频率、半峰值时间等角度研究了不同波形雷电过电压对油纸绝缘的击穿特性的影响。研究发现,双极性振荡衰减波作用下油纸绝缘的50%击穿电压均比标准雷电波作用下高10%到40%;对于双极振荡衰减波,当振荡频率相同时,半峰值时间越短,其击穿电压越高;对于频率较低的双极振荡衰减波,当半峰值时间相同时,振荡频率越高,击穿电压越低 ...
鲁义宽
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Dianci bileiqi, 2020 断线过电压是电力系统常见的一种铁磁谐振过电压,严重的可引发避雷器击穿,电气设备外绝缘闪络等事故。以一起35 kV线路断线后避雷器击穿事故为例,分析线路断线后过电压的产生机理。首先介绍了故障避雷器的解剖过程,排除避雷器因质量、选型、受潮等原因引起的击穿。其次采用ATP-EMTP电磁暂态法详细分析故障线路的发生断线后的过电压产生机理。最终得出,由于跳线断线并接地,引起变压器和线路电容产生谐振过电压是引起避雷器本体击穿的主要原因。
梁富光
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GIS隔离开关方式1试验中断口对地击穿时光电暂态过程监测与分析
Gaoya dianqi, 2022 开合短母线（方式1）试验是考核GIS隔离开关断口动态电气性能的重要试验。由于动静触头结构设计不合理，将直接导致GIS隔离开关在分合闸时，在断口处发生对地击穿。文中为确定GIS隔离开关试品在方式1试验中发生对地击穿的有效判据，构建了光电暂态全过程监测系统，包括GIS超宽频VFTO和外壳暂态地电位测试系统，以及高性能高速摄像机。GIS隔离开关方式1合闸过程中断口发生对地击穿时，文中采用高速摄像机同时记录下断口击穿电弧和动触头对地击穿电弧的形态，直接证实试品发生了对地击穿 ...
苏春强 +8 more
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Gaoya dianqi, 2018 文中目标旨在研究纳秒级连续脉冲电压对老练后真空灭弧室触头表面击穿位置分布的影响。采用屏蔽罩留有观察窗的玻璃外壳12 kV商用真空灭弧室与高速摄影仪（CCD）,研究不同触头开距条件下纳秒级连续脉冲电压幅值、频率对触头表面击穿位置的影响。研究结果显示,在纳秒级脉冲电压作用下,真空灭弧室触头间隙击穿后,其击穿位置在触头表面的分布服从高斯概率密度分布;击穿位置在触头表面分布趋向于中心位置;击穿位置随脉冲电压频率的增大而更趋均匀,随脉冲电压幅值的增大而更趋集中,随触头开距的增大而更趋于集中。此外 ...
刘畅 +5 more
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