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Gaoya dianqi, 2019 为了研究硅橡胶绝缘材料低温环境下直流击穿特性的变化,采用恒温试验箱对硅橡胶材料进行低温冷冻,利用球球电极与棒板电极模拟不均匀电场,试验测定不同温度下、不同氢氧化铝含量硅橡胶材料的直流击穿电压随温度的变化规律,分析了其中的原因机理,并测量了体积电阻率。试验结果表明:随着温度的降低,硅橡胶材料的直流击穿呈现出先增大后趋于稳定的特性;在相同的低温处理下,氢氧化铝质量分数为130%的硅橡胶样品具有最大的直流击穿电压;施加正极性直流电压时,硅橡胶绝缘材料的击穿电压略小于施加负极性直流电压时的击穿电压。
王宏旭 +7 more
doaj
Fabrication and Characterization of 4H-SiC p-i-n Photodetectors [PDF]
, 2014 4H-SiC材料具有优越的电学性能，用于低电平的紫外线检测时，还具有可见光盲、在太阳盲光谱区域量子效率较高、低漏电流、抗辐射和耐高温等优点，本文制备并详细研究了4H-SiCp-i-n紫外光电探测器的光电性能，取得了以下重要的结果： 1.制备出高性能4H-SiCp-i-n紫外光电探测器，探测器的光敏面积为200×200μm2，封装在TO-2外壳上，用熔融石英玻璃作为光学窗口； 2.研究了4H-SiCp-i-n紫外光电探测器电容-电压（C-V）特性。结果表明探测器在0偏压时的高频（1MHz）结电容约为3 ...
蔡加法
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Gaoya dianqi, 1996 在充SF6或N2的尖—板间隙中注入适量正空间电荷能使正极性冲击击穿电压提高,而注入负空间电荷则使正冲击击穿电压降低。用这一实验结果可以解释以前发现的含氯添加气体使尖—板间隙中SF6的正冲击击穿电压提高的实验现象。
邱毓昌
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Gaoya dianqi, 2022 随着非线性用电设备在工业领域的大量应用，电网中的谐波含量日渐增多，对应用于系统中的全膜电容器带来很大的危害。为了研究工频叠加谐波电压下温度对全膜电容器绝缘介质击穿特性的影响，文中以全膜电容器元件为对象，在40、55、70、85℃下分别对全膜电容器元件在工频电压、工频叠加3次谐波电压、工频叠加5次谐波电压下进行了短时击穿试验，得到了工频叠加谐波电压下温度对全膜电容器绝缘介质击穿特性的影响规律。试验结果表明，在相同电压类型下，全膜电容器绝缘介质的击穿场强随着温度的升高而下降。且在40～85℃的范围内 ...
方田 +6 more
doaj
Design and Modeling of a Novel IGBT [PDF]
, 2009 绝缘栅双极晶体管IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)由于结合了MOSFET和BJT各自的优点，表现出开关速度高、饱和压降低和可耐高压、大电流等优良特性，是一种用途十分广泛的半导体功率器件，许多领域已经逐步取代了电力晶体管(GTR)和电力场效应晶体管(MOSFET)。目前，国内对IGBT产品的需求量日趋增多，但国内暂时还没有独立的生产厂家，所需的IGBT产品主要依赖进口，因此，开发和研制具有自主知识产权的性能优良的IGBT器件已成为迫切需要，本文鉴于此背景 ...
杨玲玲
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Dianci bileiqi, 2016 针对检测电涌保护器（SPD）击穿方法的问题,通过对雷电过电压作用下,SPD击穿时周围产生的瞬态电磁场以及电磁感应的理论分析。利用组合波发生器（12、50μs）模拟雷电流发生器,对开关型SPD、限压型SPD分别做冲击试验。试验结果得出:冲击电压为0-5 k V范围时,传感器两端的感应电压随着冲击电压的增大而线性增加;冲击电压相同时,测试开关式压敏电阻的感应电压小于限压型压敏电阻;测试器件相同的情况下,不同表面尺寸的传感器两端的感应电压存在较大差异。探究了利用电磁感应的原理检测SPD的击穿方法 ...
李祥超 +4 more
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The Research and Fabrication of the Si and InP/InG [PDF]
, 2001 金属-半导体-金属(MSM)光电二极管在光电子集成(OEIC)中具有很广泛的前景。这一结构的器件有两个重要的特性。第一：制作工艺简单；第二：属平面结构，所以易于与FET和HEMT集成。同时，它还具有响应速度快的特点,可以用于超高速、大容量的光纤通信中。 本文先从MSM-PD光电二极管的发展状况入手，探讨了该器件的结构特点，基本的光学和电学性质。为了能在厦门大学物理系现有的实验条件下制备出用于光纤通信的MSM-PD光电探测器，探索了以下几个方面的工作： 1.根据光通信的要求和本实验室的现有条件 ...
黄屏
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Gaoya dianqi, 1999 根据对SF6气体极不均匀场间隙异常放电的分析,提出了由三条界限线,即流注击穿线、低概率冲击击穿线和电晕起始线组成的估算间隙低概率冲击击穿电压的方法;击穿电压的计算值和实验测量值的比较表明,计算给出的是稍偏严的结果.
顾温国, 邱毓昌
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Synchrotron radiation based nuclear resonant vibrational spectroscopy:Introduction [PDF]
, 2014 核共振振动能谱学(简称核振能谱)是一种以同步辐射为实验基础的新型的振动能谱学方法。与红外、拉曼等传统的振动光谱学方法相比,核振能谱在理论上和实验上具有一系列突出的特点和优越性,从而在各学科,特别是在铁基化学和铁基生物化学的研究中有着广泛的应用。文章分为上下两篇,上篇介绍核振能谱的基本概念、基本理论、实验方法和实验条件等基础内容,并以简单的四氯化铁离子([fECl4]-)为例,演示由原始核振能谱到振动态密度函数(PVdOS)的分析流程。在选材上,文章侧重先进性、代表性和实用性;在叙述上 ...
周朝晖, 徐伟, 王宏欣
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Dianci bileiqi, 1976 第三部分高压瓷绝缘子工频击穿电压回归方程对于B型绝缘子,工频击穿电压是一项重要的要求,过去是凭经验估计进行设计,但苏联介绍的击穿电压值偏低,而西德的公式适用范围又比较窄,且击穿电压的数值与瓷质水平密切相关,遵照毛主席关于“要认真总结经验”的教导,总结出我国自己的工频击穿电压计算公式。 3-1 ...
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