Results 31 to 40 of about 1,149 (152)
, 2010 在LDMOS功率器件设计中可以引入STI工艺替代LOCOS工艺来进一步抑制表面电荷效应,以提高LDOMS功率器件的耐压强度及降低比导通电阻。本文将介绍STI工艺的优势和LDMOS器件设计原理,并在TSMC 0.6μm BCD工艺为基础上增加STI工艺流程来设计一款适用于汽车电子应用的40V LDMOS器件。通过ATHENA(工艺模拟)和ATLAS(器件仿真)仿真实验与器件参数提取,表明采用STI工艺的LDMOS器件比采用LOCOS工艺的LDMOS器件在耐压漂移区长度比方面提高了23.40 ...
周杰, 郭东辉, 陈利
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Gaoya dianqi, 1985 通过实测发现:在大气压时,压缩空气火花隙开关在亚微秒脉冲作用下的击穿电压,远大于均匀电场下的直流击穿电压,也大于放电球隙亚微秒脉冲作用下的击穿电压,且Vb和td相关;气压增加时开关在亚微秒脉冲作用下的击穿电压量渐趋于相应的直流击穿电压,Vb～td的相关性也逐渐减弱,到7bar以上时Vb～td间无明显相关性 ...
曾大雄
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Study of ICP-induced In doping and the properties of GaN-based LED wafers and devices [PDF]
, 2015 GaN材料属于第三代半导体材料，具有宽的直接带隙以及优异的物理和化学性质，是制作发光器件和光伏器件的理想材料。在信息显示领域，GaN基高亮度蓝、绿发光二极管可以用于户外大屏幕全色显示以及交通信号灯等方面；在照明领域，GaN基白光LED可以用于背光源、路灯和景观照明以及通用照明等。GaN基器件的研究已经取得巨大进展，但是在器件的制备过程中仍存在一些问题，如GaN材料的p型欧姆接触问题则是限制GaN器件发展的主要因素之一。有两方面的原因阻碍低阻p-GaN欧姆接触的实现：一方面是难以生长高空穴浓度的p ...
曾勇平
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Gaoya dianqi, 2021 CO2气体作为潜在的SF6替代气体,近年来受到了业界的广泛关注,电击穿特性是评估其性能的关键指标。文中基于气体流注放电判据,推导出了计算击穿电压和临界电子温度的数学表达式,建立了描述CO2与O2混合气体电击穿的宏观变量（击穿电压、击穿电场与压力比）与基本微观变量（临界电子温度）之间的关系,从微观层面研究了混合气体在不同压力和电极间距下的电击穿特性。结果表明,随压力与电极间距乘积值增大,临界电子温度先迅速减小,而后趋于一定值;CO2-O2混合气体的临界电子温度随CO2体积分数增大而明显减小 ...
邓云坤 +5 more
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An Analysis of GAT′s Optimal Designing [PDF]
, 2001 【中文摘要】 通过作者最近建立的关于电力半导体器件 GAT的集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型即《GAT栅屏蔽效应二维解析模型》、《GAT实现高频率与高基区穿通电压兼容特性分析》以及《GAT实现高电流增益与高雪崩击穿电压兼容特性分析》,定量研究了优化设计 GAT的材料参数和结构参数的关系。 【英文摘要】 By the aid of the two dimensional analytical model of the electric potential and field ...
庄宝煌 +3 more
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相扩散阻挡法制备铁酸钴/改性钛酸铋钠0-3复合多铁性陶瓷 [PDF]
, 2014 Author name used in this publication: 韩权威, HAN Quan-WeiAuthor name used in this publication: PENG SongAuthor name used in this publication: 陈王丽华, Chan Helen Lai-WaTitle in Traditional Chinese: 相擴散阻擋法制備鐵酸鈷/改性鈦酸鉍鈉0-3複合多鐵性陶瓷Journal title in Traditional ...
Chan, HLW +4 more
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Dianci bileiqi, 2013 对额定电压10 kV的设计B类有机避雷器进行了预击穿短路试验,验证了IEC60099-4Ed2.2:2009和GB11032-2010中的预击穿短路试验程序。试验表明:电压源法预击穿电压的范围为避雷器参考额定电压的1.081.13倍,击穿时间为28 min。并且,短路大电流试验时,试品电流波形延后其电压波形约1个周波,而标准中规定的预击穿试验与短路电流试验之间时间间隔及再击穿试验等对短路试验的结果影响不大。
贾东旭, 石莉敏, 弥璞, 桑建平
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Progress in the Development of Microwave High Power SiGe HBT's and Its Applications [PDF]
, 2005 文章论述了SiGe异质结双极晶体管(HBT)在微波功率领域应用的优势,详细介绍了微波功率SiGe HBT的结构设计方法,以及主要影响器件性能的材料和结构因素,评述了其最新进展及今后发展方向。国家自然科学基金重点资助项目(60336010);; 福建省青年科技人才创新项目(2004J021 ...
徐剑芳, 李成, 赖虹凯
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Gaoya dianqi, 2016 针对板—板、针—板两种典型电极形状在5 mm间隙下SF6/CF4混合气体的击穿特性开展实验研究,分别测量SF6分压比为0%100%、压强在0.10.6 MPa下的气体击穿电压,研究压强、SF6分压比及电场不均匀度等因素对SF6/CF4混合气体绝缘性能的影响。结果表明:0.6 MPa的20%SF680%CF4气体在板—板电极下的击穿电压为138.89 k V,是相同压强纯SF6气体击穿电压的64.8%,在针—板（针为负极性）电极下的击穿电压为58.4 k V,是相同压强纯SF6气体击穿电压的74.8 ...
张佳 +4 more
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