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Optimal Simulation of Separate Absorption and Multiplication 4H-SiC Avalanche Photodiode [PDF]
, 2011 SiC材料由于具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度大及热导率高等优点，在高温、高频、大功率及抗辐射器件等领域都有着广泛的应用潜力与良好的市场前景。 目前，采用4H-SiC已成功制备了不同结构的雪崩光电探测器（APD），与传统的PN结型或PIN型的APD相比，吸收层与倍增层分离（SAM）结构的APD具有高光谱响应度和低击穿电压等优点。对于APD，击穿电压、倍增因子和光谱响应度是其非常重要的性能参数。近年来，国内外有多个研究小组开展了SAM4H-SiCAPD理论和实验方面的研究 ...
钟林瑛
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Gaoya dianqi, 2018 目前国内雾霾天气对输电线路外绝缘的影响不容忽视,因此通过盐雾模拟雾霾天气,研究盐雾对短空气间隙雷电冲击击穿电压的影响具有重要实际意义。文中选择击穿电压最低的棒—板空气间隙为模型,分别对5、10、15 cm空气间隙,不同雾水电导率下进行雷电冲击电压击穿试验。结果表明,短空气间隙雷电冲击击穿电压受雾水电导率和空气间隙距离的共同影响,棒—板短空气间隙雷电冲击击穿电压随雾水电导率增大而减小,并且雾水电导率对击穿电压的影响程度随间隙距离增大而减小。通过粒子群算法（particleswarm ...
刘云鹏 +4 more
doaj
Modification of the Optical Polarization in High Al-Content AlGaN [PDF]
, 2016 相比于传统紫外光源（如汞灯和氙灯），AlGaN半导体紫外光电子器件具有无汞污染、波长可调、体积小、集成性好、耐高温、抗辐射以及能耗低、寿命长等优点，在工业、农业、国防和医疗卫生等领域都有着广阔的应用前景和巨大的市场需求。然而，由于高Al组分AlGaN材料中存在诸多问题，例如外延生长困难、p型掺杂率低、发光偏振特性独特等等，导致深紫外波段器件的发光效率普遍较低，制约了深紫外发光器件的发展与应用。本论文采用第一性原理的计算模拟方法，围绕AlGaN材料中的光学偏振特性及其调控开展了系统的研究工作 ...
季桂林
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Gaoya dianqi, 2017 为获取含悬浮导体的组合空气间隙击穿特性,建立了基于支持向量机和电场特征量的组合空气间隙击穿电压预测模型,通过电场特征量表征间隙结构,采用支持向量机建立电场特征量与击穿电压的关联性,以少量典型间隙试验数据作为训练样本,对棒—板—球、棒—板—棒以及球—板—球组合间隙的工频击穿电压进行了预测,通过对比击穿电压试验数据,3种间隙的击穿电压预测结果平均绝对百分比误差分别为4.5%、3.1%和2.8%,最大相对误差均在9%以内,表明所提方法具有较高精度,为组合间隙击穿电压的预测提供了新途径。
唐烈峥 +5 more
doaj
Research and Fabrication of UV SAM 4H-SiC APDs with Low Breakdown Voltage and Its p-type Ohmic Contacts [PDF]
, 2007 紫外微弱光信号和单光子信号的探测主要应用于激光诱导荧光性生物报警系统、非线性光线隐蔽通讯、非破坏性物质分析、高能物理、光时域反射和空气污染超高灵敏度探测等领域，它要求探测器具有高量子效率、低暗电流、低的过剩噪声和可见盲等特性，4H-SiC雪崩光电探测器（APD）是惟一能够满足这些要求的器件。 近年来，国际上已有研究小组对4H-SiCAPDs进行制备和研究，但所设计的APD结构较为简单，一般由PN结或者PIN结构成，不能有效地解决吸收层厚度对高量子效率、快响应速率和低击穿电压之间相互限制的矛盾 ...
朱会丽
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Gaoya dianqi, 2015 击穿电压是表征发电机定子线棒主绝缘老化状态的特征参量,是影响发电机寿命的直接原因,笔者设计了额定电压为8.5 kV的环氧云母绝缘板材并进行加速热老化试验,通过分析主绝缘板材特征参量的变化趋势,结合击穿电压与特征参量有效性判别,得到能有效表征主绝缘击穿电压的实用特征参量组,并采用BP神经网络滚动式预测方式对主绝缘击穿电压预测,结果表明,该特征参数组Qmax、△C、C、△tanδ、tanδ能有效地用于主绝缘击穿电压预测。
刘红文 +7 more
doaj
Gaoya dianqi, 2021 SF6替代气体在电力设备中的应用研究越来越广泛,其中氟化腈C4F7N被认为是目前最具潜力实现SF6替代的气体之一。文中结合隔离开关断口结构,研究了C4F7N/CO2二元混合气体的雷电冲击绝缘特性。基于混合气体绝缘试验平台,重点分析了气体种类,电压极性、充气气压、电极距离、C4F7N占比对50%击穿电压的影响规律。试验结果表明:在研究范围内,50%击穿电压随着充气气压、电极距离和C4F7N占比的增大均呈升高趋势。当充气气压升高到100、150、200 k Pa时,对应50%击穿电压（20:80,15 mm）
霍鹏 +6 more
doaj
Investigation of oxygen precipitates and the stability of denuded zone in Czochralski silicon [PDF]
, 2016 铜在硅中不仅具有很大的扩散速率，而且随着温度的降低它的固溶度迅速下降，这两个特性使得铜原子很容易在器件制备过程中沉淀下来，严重影响硅片性能。虽然科研工作者们已经提出了多种工艺使硅片近表面处形成洁净区，但却很少对硅中的氧沉淀和洁净区的稳定性进行深入探讨。因此，本文通过实验分析了氧沉淀和洁净区的稳定性，得出以下结论： （1）研究了热处理方式和铜引入温度对洁净区的形成及其稳定性的影响。研究发现，只有Ramping-低-高热处理能使硅片内生成大量氧沉淀的同时有效形成洁净区。引入铜玷污后，RTP-低 ...
吕耀朝
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Dianci bileiqi, 2017 目前国内尤其是华北地区各大城市均持续出现雾霾天气,雾霾对输电线路外绝缘的影响不容忽视,因此通过盐雾模拟雾霾天气,研究盐雾对短空气间隙工频击穿电压的影响具有重要实际意义。以击穿电压最低的棒-板空气间隙为模型,分别对5 cm、10 cm、15 cm空气间隙在不同雾水含量和不同雾水电导率下进行工频电压击穿试验。结果表明:短空气间隙工频击穿电压受雾水电导率和雾水含量的影响,并且在不同雾水含量下,雾水电导率对击穿电压的影响程度不同,并通过粒子群算法（particle swarm optimization,PSO ...
谢梁 +5 more
doaj
Defect Detection of Solar Cells Based on Electroluminescence Imaging [PDF]
, 2013 为了检测太阳能电池存在的缺陷,给太阳能电池施加一定的正向偏压,利用CCd相机在暗室中探测电池的发光。探测分别在3种状态下进行:无滤光探测、过滤800 nM以下波长后探测和过滤800 nM以上波长后探测。研究发现:只有在过滤800 nM以下波长的镜片下探测效果最好,表明电池主要发红外光,其波长范围为850~1 200 nM。控制光探测器的探测时间,发现不同探测时间下电池的发光强度不同,探测时间相同但偏压不同则光强也不同。该方法可以检测出正向偏压下电池存在的各种缺陷类型。在反向电压下,薄膜电池会出现小光点 ...
张凤燕, 张然, 李超, 陈文志
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