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, 2010 作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表, GaN材料在各个应用领域的研究工作都受到了高度的重视。概述了基于AlGaN/GaNHEMT结构的新型高压、高频、低损耗电力开关器件的最新研究进展。从器件的结构特征入手, 详细介绍了改善器件击穿特性的途径、高频开关特性的研究情况、Si衬底上AlGaN/GaNHEMT结构材料的生长、增强型器件的制备技术和功率集成电路的研究等几个国际上的热点问题。最后 ...
张明兰 +4 more
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Dianci bileiqi, 2018 近年来,随着多条特高压输电线路投入运营,山火引发输电线路跳闸,跳闸事故给电网的安全稳定运行带来了严重挑战,因此,研究山火条件下输电线路间隙击穿特性具有重要意义。山火发生时,产生的火焰高温、火焰电导率、固体颗粒等导致输电线路间隙绝缘性能剧烈下降,可能引发输电线路跳闸,且重合闸容易失败,容易导致输电线路停运的严重事故。本文对山火导致输电线路间隙击穿主要诱因进行了综述,研究了火焰温度、火焰电导率、固体颗粒等对输电线路间隙击穿特性影响的现状。分析结果表明:山火引发输电线路间隙击穿是多种因素综合作用的结果 ...
祝贺, 刘程
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, 2006 平面型雪崩光电二极管（APD）在结弯曲处具有高的电场，导致在结边缘的提前击穿。运用FEMLAB软件对不同工艺流程制备的三种不同结构平面型InP／InGaAsAPD的电场分布进行了二维有限元模拟，在表面电荷密度为5×10^11cm^-2时分析了吸收层厚度、保护环掺杂浓度、保护环和中央结纵向及横向间距等因素对边缘提前击穿特性的抑制程度。比较了这三种结构的InP／InGaAsAPD在边缘提前击穿的抑制特性的优劣。通过理论研究对平面InP ...
杨国华 +4 more
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Gaoya dianqi, 2005 相控开关的核心问题之一是最佳投切相位的确定,而最佳投切相位又与断路器的预击穿绝缘特性密切相关。针对断路器预击穿特性对最佳同步关合目标相位的影响,文中引入了关合系数k,并对其进行分类讨论,详细分析了断路器合闸时的预击穿物理过程,同时考虑到断路器动作时间分散性,得到了不同绝缘强度下降率（RDDS）与机械分散性条件下的最佳投切相位计算公式。
丁富华, 邹积岩, 段雄英
doaj
, 1999 实验研究表明热生长13nm薄SiO_2的可靠性同氧化前硅表面清洗处理方法有很关系。氧化前稀HF酸及HF/乙醇漂洗不会提高热氧化薄SiO_2的可靠性；氧化前用NH_4OH/H_2O_2/H_2O(0.05:2:5)溶液清洗形成化学预氧化层对提高薄SiO_2可靠性很有效；用H_2SO_4/H_2O_2(3:1)溶液清洗形成预氧化层的改善作用也较明显，在之间增加比例为0.05:2:5或1:2:5的NH_4OH/H_2O_2/H_2O溶液清洗和稀HF酸漂洗效果更好。另外 ...
于芳 +5 more
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Gaoya dianqi双断口真空断路器能够有效提高耐受电压水平，显著降低重燃率，进而提升无功投切性能，具有重要的工程实际意义。文中通过实验分别研究了双断口真空断路器在直流电压下不并联均压电容以及并联均压电容条件下关合时的预击穿特性，包括预击穿开距及其分散性、预击穿电压、预击穿场强，并计算其威布尔分布。结果表明，通过并联合理大小的均压电容（约100 pF）可以使双断口分压更加均匀，从而有效改善双断口真空断路器的预击穿特性。实验结果表明，随着均压电容的增大，当均压电容值超过500 pF后，双断口真空断路器的预击穿特性将会变差 ...
李洪伟 +4 more
doaj
, 1999 【中文摘要】 通过作者最近建立的关于GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型,定量研究了GAT的基区穿通电压VPI以及GAT的雪崩击穿特性并且解释了该器件实现高击穿电压与高电流增益兼容的实验结果 【英文摘要】 By the aid ofthe tw o-dim ensionalanalyticalm odelofthe electricpotential and field distribution in GAT′s collector depletion space in the ...
吴丽清 +5 more
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Gaoya dianqi为准确评估山火条件下架空输电线路的跳闸风险，提升电网安全运行水平，文中对南方电网典型高风险植被火条件下导线—板间隙击穿特性进行了研究。搭建模拟植被火燃烧特征试验平台和模拟山火间隙击穿试验平台，研究了云南松、水杉、速生桉、灌木和茅草5种植被的火焰燃烧特征参数和间隙击穿特性，对不同植被的火焰温度、火焰高度、灰分含量和可燃物热值与导线—板间隙击穿特性的关系进行研究。研究结果表明上述因素与间隙平均击穿电压梯度近似呈线性关系，并拟合得到其多元线性回归公式。使用熵权法得到火焰温度在植被燃烧特征中所占权重最高 ...
周恩泽 +6 more
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Gaoya dianqi, 1996 利用两种实验方法对比测试了预注入单极性空间电荷时,SF6气体极不均匀场间隙正雷电冲击击穿特性。分析表明;直流叠加冲击电压法不适用于观察空间电荷的作用,而切换直流/冲击电压法能有效地反映空间电荷对冲击击穿的作用。
周黎明, 邱毓昌
doaj
, 2010 用Silvaco的ATLAS软件模拟了栅场板参数对AlGaN/GaN HEMT中电场分布的影响. 模拟结果表明,场板的加入改变了器件中电势的分布情况,降低了栅边缘处的电场峰值,改善了器件的击穿特性;场板长度(L_(FP), length of field plate)、场板与势垒层间的介质层厚度t等对电场的分布影响很大. 随着L_(FP)的增大、t的减小,栅边缘处的电场峰值E_(peak1)明显下降,对提高器件的耐压非常有利.
张明兰 +3 more
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