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Dianci bileiqi, 2015 为了研究暂态抑制二极管（TVS）在雷电过电压作用下的耐受性能,通过对TVS管的原理分析并对19种不同击穿电压的TVS管进行冲击实验,利用示波器采集残压及通流的数据,计算TVS管的吸收能量。实验结果表明:TVS管两端施加的冲击电压越高,其两端残压及通流也将越大;随着冲击电压增大,TVS管分别经过箝位、临界、深度饱和及损坏四个状态;随着TVS管击穿电压的增大,TVS管的深度饱和状态对应的冲击电压区间变得越来越窄,当击穿电压大于170 V,TVS管的深度饱和状态几乎没有,直接由箝位状态跳变为损坏状态 ...
李祥超 +3 more
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Dianci bileiqi, 2018 近年来出现过沙尘暴和浮尘条件下降雨造成电力设备闪络、击穿事故,目前学者对沙尘暴环境下间隙放电特性以及降雨条件下间隙放电特性研究较多,但对浮尘条件下降雨对间隙放电特性及机理研究较少,因此有必要对其进行研究。通过搭建小型人工气候试验箱体,研究不同初始浮尘浓度及降雨强度下Φ6棒-棒间隙交流击穿电压,并与得到的浮尘、降雨单一条件下的结果对比。研究发现:浮尘条件下,Φ6棒-棒电极交流击穿电压随着浮尘浓度的增加先降低后升高,降雨条件下,击穿电压随降雨强度的增加而降低,而在浮尘条件下降雨时 ...
姜梅 +6 more
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Study of Si-Based Multilayer Ge Quantum Dots Near-Infrared Photodetector [PDF]
, 2015 采用超高真空化学气相沉积(uHV/CVd)技术在SI衬底上外延生长了PIn结构多层gE量子点探测器材料。PIn探测器结构由n型SI衬底,多层gE量子点吸收区,和原位掺杂P型SI盖层构成,电极分别制作于n-SI和P-SI上,以获得好的欧姆接触。制备的SI基gE量子点光电探测器具有较低的暗电流密度(-1 V偏压下为7.35x10-6A/CM2),与SI相比,探测波长延伸到1.31μM波段。The structure of multilayer Ge quantum dots( QDs) was ...
李成, 汪建元, 陈松岩
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Gaoya dianqi双断口真空断路器能够充分利用短真空间隙的优异绝缘性能，显著降低容性电流开合过程中的重击穿概率，提高投切电容器组的性能。文中通过实验研究了双断口真空断路器采用阻容均压方式时的预击穿特性，包括预击穿电压、预击穿开距及其分散性，并计算其威布尔分布。研究结果表明，无论电压幅值如何，高压电阻都可以通过阻断从均压电容流向真空灭弧室的放电电流来延缓击穿过程，显著提升了双断口真空断路器的预击穿特性。对于串联电阻和桥接电阻两种阻容均压方式，桥接电阻可以减少电路中使用的电阻数量，降低断路器成本和体积 ...
王成龙 +4 more
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Dianci bileiqi, 2017 雾霾天气对电力系统的外绝缘也带来了严峻的考验。搭建了交流电压作用下间隙距离为5 cm的棒-板空气间隙电场模型,通过改变雾霾颗粒浓度、雾霾颗粒粒径、雾霾成分等,研究了不同雾霾环境下棒板间隙工频击穿特性。根据试验结果得出了如下结论:当通入霾浓度小于一定程度时,随着霾浓度的增加,击穿电压升高,而当浓度大于一定程度时,击穿电压随霾浓度增加而降低,同时,霾成分也是影响间隙击穿特性的重要因素,其取决于霾成分的电导率;另一方面研磨后的霾颗粒作用下的击穿电压明显高于未研磨的霾颗粒作用下的击穿电压 ...
谢利娟
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有关电子元件用环氧树脂配制若干问题的讨论及配方实例 [PDF]
, 1991 消除或降低环氧树脂固化过程带来的内应力,提高固化后环氧树脂的阻燃、耐水和耐湿热老化等性能是电子元件用环氧树脂配制研究中面临的几个问题.本文讨论了解决这些问题的一些措施及其机理 ...
丁马太, 夏海平, 熊兆贤
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Deposition of TiO2 films by magnetron sputtering and fabrication of MSM ultraviolet photodetectors [PDF]
, 2011 紫外辐射探测技术可以应用在太阳紫外线监测、火焰探测、生物学研究、紫外天文学以及无线通信等许多领域，现在已经开始受到广泛的重视。SiC、GaN和ZnO等宽禁带半导体材料紫外光电探测器具有“可见光盲”和室温工作等特点，因此得到较为充分地研究和应用，但是它们同时存在价格昂贵和制作工艺复杂等问题。TiO2同样是宽禁带半导体材料，锐钛矿结构的TiO2禁带宽度为3.2eV，有可能实现探测器的“可见光盲”特性，同时这种材料还具有优秀的物理、化学和光学性质。射频磁控溅射技术可以溅射化学配比理想的TiO2靶材 ...
黄火林
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Dianci bileiqi, 2009 ZnO压敏陶瓷残压的高低决定了MOA的保护水平,针对残压的形成机制尚不清楚,测量了传统工艺制备的ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷的小电流区、大电流区及部分中电流区的伏安特性,通过对中电流区和大电流区伏安特性的数据拟合发现,中电流区晶界电压降与电流密度之间符合隧道电流导电机制,且当进入大电流区时该晶界击穿电压最终达到一稳定值。计算表明,晶界击穿电压所引起的残压占总残压的90%左右,因此降低残压应主要考虑降低晶界上的击穿电压。
成鹏飞, 李盛涛, 王玉平, 朱斌
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Gaoya dianqi, 1996 利用两种实验方法对比测试了预注入单极性空间电荷时,SF6气体极不均匀场间隙正雷电冲击击穿特性。分析表明;直流叠加冲击电压法不适用于观察空间电荷的作用,而切换直流/冲击电压法能有效地反映空间电荷对冲击击穿的作用。
周黎明, 邱毓昌
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[Construction, Identification, and Expression of Lactococcus lactis-Based Recombinant Vaccine for Echinococcus granulosus]. [PDF]
Sichuan Da Xue Xue Bao Yi Xue Ban, 2023 Li W, Ou X, He A.
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