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Gaoya dianqi, 2019 针对近几年国内特高压GIS设备启动调试过程中在断路器合闸冲击空载母线时造成绝缘击穿事件,参考特高压GIS断路器特性,建立电磁暂态仿真模型,研究了断路器预击穿对特高压GIS母线快速暂态过电压的影响,得到以下结论:①在断路器合闸空载GIS母线时,不考虑断路器预击穿,则2%统计过电压为1.58 p.u.,考虑预击穿现象后,其最高可达1.8 p.u.;②根据仿真计算,特高压断路器合闸空载GIS母线暂态过电压的首波上升时间约为0.3μs,小于标准雷电冲击波的上升时间 ...
赵丹丹 +7 more
doaj
, 2010 用Silvaco的ATLAS软件模拟了栅场板参数对AlGaN/GaN HEMT中电场分布的影响. 模拟结果表明,场板的加入改变了器件中电势的分布情况,降低了栅边缘处的电场峰值,改善了器件的击穿特性;场板长度(L_(FP), length of field plate)、场板与势垒层间的介质层厚度t等对电场的分布影响很大. 随着L_(FP)的增大、t的减小,栅边缘处的电场峰值E_(peak1)明显下降,对提高器件的耐压非常有利.
张明兰 +3 more
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Dianci bileiqi, 2009 ZnO压敏陶瓷残压的高低决定了MOA的保护水平,针对残压的形成机制尚不清楚,测量了传统工艺制备的ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷的小电流区、大电流区及部分中电流区的伏安特性,通过对中电流区和大电流区伏安特性的数据拟合发现,中电流区晶界电压降与电流密度之间符合隧道电流导电机制,且当进入大电流区时该晶界击穿电压最终达到一稳定值。计算表明,晶界击穿电压所引起的残压占总残压的90%左右,因此降低残压应主要考虑降低晶界上的击穿电压。
成鹏飞, 李盛涛, 王玉平, 朱斌
doaj
, 2009 采用等离子体电解氧化技术（Plasma Electrolysis Oxidation，PEO）在铸造铝硅合金表面制备了陶瓷层，电解液为磷酸盐系列。利用PEO自动采集控制系统对工作电流、电压进行实时采集，利用表面轮廓仪、SEM对陶瓷层的粗糙度和表面形貌进行了研究。结果表明：PEO过程中存在四个典型阶段性特征。所制备陶瓷层存在孔洞和微裂纹，尺寸随处理时间延长而增大。瞬态伏安特性研究表明，PEO存在阳极氧化和击穿放电两个重要特征，陶瓷的生长主要在击穿放电阶段，其陶瓷化过程为击穿放电、高温烧结、微弧熄灭 ...
徐方涛, 李光, 吴振强, 夏原
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Gaoya dianqi, 2014 在低气压条件下,笔者对间隙型浪涌保护器（surge protective gap,SPG）的直流和脉冲电压击穿特性、电压保护水平、响应时间进行了实验研究。电极材料为钨铜,直径10 mm,间隙距离3 mm,气压范围12 000 Pa。结果显示,保护间隙的直流击穿电压和脉冲击穿电压在实验气压范围内均出现了极小值;保护间隙的压比（UP/UC）在2.102.94之间;SPG的响应时间随气压升高而增大。
孙伟, 李勇, 郭瑞艳, 杜晓晖
doaj
, 2007 本文提出了一种电源波动影响弱、低温飘、微功耗（〈1μw）的CMOS电压型积分器电路。它利用自偏置的恒流源电路结构以及MOSFETs的亚阈值特性产生一个nA级的恒流源，通过控制电路实现对电容充放电来获得积分电压。并且对电路结构、器件类型和器件尺寸进行了优化。仿真结果表明，得到了独立于电源电压、低温度系数 ...
吴杰, 石寅
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Dianci bileiqi针对防护器件暂态抑制二极管（TVS）在纳秒级强电磁脉冲作用下的特性响应问题。基于TVS管反向击穿理论，采用理论与实验相结合的方法，利用纳秒级强电磁脉冲发生器充当电磁脉冲源，选用1.5KE系列不同型号的TVS管在不同强度的电磁脉冲下进行实验。综合分析得出：随着不同型号器件直流击穿电压升高，器件残压的误差率由4%左右逐渐增加到16%；随着冲击电压的增加，TVS管动作时间逐渐减少，最终会在31 ns左右维持不变；TVS管在冲击电压一定的情况下，随着器件直流击穿电压的增加，TVS更易达到饱和状态 ...
李祥超, 荆浩楠, 赵凯, 郭稳
doaj
[Research progress of electroactivity graphene-based materials in bone repair]. [PDF]
Zhongguo Xiu Fu Chong Jian Wai Ke Za ZhiKang R, Yuan W, Zhu Y.
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