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Research and Fabrication of UV SAM 4H-SiC APDs with Low Breakdown Voltage and Its p-type Ohmic Contacts [PDF]
, 2007 紫外微弱光信号和单光子信号的探测主要应用于激光诱导荧光性生物报警系统、非线性光线隐蔽通讯、非破坏性物质分析、高能物理、光时域反射和空气污染超高灵敏度探测等领域，它要求探测器具有高量子效率、低暗电流、低的过剩噪声和可见盲等特性，4H-SiC雪崩光电探测器（APD）是惟一能够满足这些要求的器件。 近年来，国际上已有研究小组对4H-SiCAPDs进行制备和研究，但所设计的APD结构较为简单，一般由PN结或者PIN结构成，不能有效地解决吸收层厚度对高量子效率、快响应速率和低击穿电压之间相互限制的矛盾 ...
朱会丽
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Gaoya dianqi, 2018 目前国内雾霾天气对输电线路外绝缘的影响不容忽视,因此通过盐雾模拟雾霾天气,研究盐雾对短空气间隙雷电冲击击穿电压的影响具有重要实际意义。文中选择击穿电压最低的棒—板空气间隙为模型,分别对5、10、15 cm空气间隙,不同雾水电导率下进行雷电冲击电压击穿试验。结果表明,短空气间隙雷电冲击击穿电压受雾水电导率和空气间隙距离的共同影响,棒—板短空气间隙雷电冲击击穿电压随雾水电导率增大而减小,并且雾水电导率对击穿电压的影响程度随间隙距离增大而减小。通过粒子群算法（particleswarm ...
刘云鹏 +4 more
doaj
Defect Detection of Solar Cells Based on Electroluminescence Imaging [PDF]
, 2013 为了检测太阳能电池存在的缺陷,给太阳能电池施加一定的正向偏压,利用CCd相机在暗室中探测电池的发光。探测分别在3种状态下进行:无滤光探测、过滤800 nM以下波长后探测和过滤800 nM以上波长后探测。研究发现:只有在过滤800 nM以下波长的镜片下探测效果最好,表明电池主要发红外光,其波长范围为850~1 200 nM。控制光探测器的探测时间,发现不同探测时间下电池的发光强度不同,探测时间相同但偏压不同则光强也不同。该方法可以检测出正向偏压下电池存在的各种缺陷类型。在反向电压下,薄膜电池会出现小光点 ...
张凤燕, 张然, 李超, 陈文志
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Gaoya dianqi, 2017 为获取含悬浮导体的组合空气间隙击穿特性,建立了基于支持向量机和电场特征量的组合空气间隙击穿电压预测模型,通过电场特征量表征间隙结构,采用支持向量机建立电场特征量与击穿电压的关联性,以少量典型间隙试验数据作为训练样本,对棒—板—球、棒—板—棒以及球—板—球组合间隙的工频击穿电压进行了预测,通过对比击穿电压试验数据,3种间隙的击穿电压预测结果平均绝对百分比误差分别为4.5%、3.1%和2.8%,最大相对误差均在9%以内,表明所提方法具有较高精度,为组合间隙击穿电压的预测提供了新途径。
唐烈峥 +5 more
doaj
Study of ICP-induced In doping and the properties of GaN-based LED wafers and devices [PDF]
, 2015 GaN材料属于第三代半导体材料，具有宽的直接带隙以及优异的物理和化学性质，是制作发光器件和光伏器件的理想材料。在信息显示领域，GaN基高亮度蓝、绿发光二极管可以用于户外大屏幕全色显示以及交通信号灯等方面；在照明领域，GaN基白光LED可以用于背光源、路灯和景观照明以及通用照明等。GaN基器件的研究已经取得巨大进展，但是在器件的制备过程中仍存在一些问题，如GaN材料的p型欧姆接触问题则是限制GaN器件发展的主要因素之一。有两方面的原因阻碍低阻p-GaN欧姆接触的实现：一方面是难以生长高空穴浓度的p ...
曾勇平
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Gaoya dianqi, 2015 击穿电压是表征发电机定子线棒主绝缘老化状态的特征参量,是影响发电机寿命的直接原因,笔者设计了额定电压为8.5 kV的环氧云母绝缘板材并进行加速热老化试验,通过分析主绝缘板材特征参量的变化趋势,结合击穿电压与特征参量有效性判别,得到能有效表征主绝缘击穿电压的实用特征参量组,并采用BP神经网络滚动式预测方式对主绝缘击穿电压预测,结果表明,该特征参数组Qmax、△C、C、△tanδ、tanδ能有效地用于主绝缘击穿电压预测。
刘红文 +7 more
doaj
Gaoya dianqi, 2021 SF6替代气体在电力设备中的应用研究越来越广泛,其中氟化腈C4F7N被认为是目前最具潜力实现SF6替代的气体之一。文中结合隔离开关断口结构,研究了C4F7N/CO2二元混合气体的雷电冲击绝缘特性。基于混合气体绝缘试验平台,重点分析了气体种类,电压极性、充气气压、电极距离、C4F7N占比对50%击穿电压的影响规律。试验结果表明:在研究范围内,50%击穿电压随着充气气压、电极距离和C4F7N占比的增大均呈升高趋势。当充气气压升高到100、150、200 k Pa时,对应50%击穿电压（20:80,15 mm）
霍鹏 +6 more
doaj
Fabrication and Characterization of 4H-SiC p-i-n Photodetectors [PDF]
, 2014 4H-SiC材料具有优越的电学性能，用于低电平的紫外线检测时，还具有可见光盲、在太阳盲光谱区域量子效率较高、低漏电流、抗辐射和耐高温等优点，本文制备并详细研究了4H-SiCp-i-n紫外光电探测器的光电性能，取得了以下重要的结果： 1.制备出高性能4H-SiCp-i-n紫外光电探测器，探测器的光敏面积为200×200μm2，封装在TO-2外壳上，用熔融石英玻璃作为光学窗口； 2.研究了4H-SiCp-i-n紫外光电探测器电容-电压（C-V）特性。结果表明探测器在0偏压时的高频（1MHz）结电容约为3 ...
蔡加法
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Dianci bileiqi, 2017 目前国内尤其是华北地区各大城市均持续出现雾霾天气,雾霾对输电线路外绝缘的影响不容忽视,因此通过盐雾模拟雾霾天气,研究盐雾对短空气间隙工频击穿电压的影响具有重要实际意义。以击穿电压最低的棒-板空气间隙为模型,分别对5 cm、10 cm、15 cm空气间隙在不同雾水含量和不同雾水电导率下进行工频电压击穿试验。结果表明:短空气间隙工频击穿电压受雾水电导率和雾水含量的影响,并且在不同雾水含量下,雾水电导率对击穿电压的影响程度不同,并通过粒子群算法（particle swarm optimization,PSO ...
谢梁 +5 more
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Modification of the Optical Polarization in High Al-Content AlGaN [PDF]
, 2016 相比于传统紫外光源（如汞灯和氙灯），AlGaN半导体紫外光电子器件具有无汞污染、波长可调、体积小、集成性好、耐高温、抗辐射以及能耗低、寿命长等优点，在工业、农业、国防和医疗卫生等领域都有着广阔的应用前景和巨大的市场需求。然而，由于高Al组分AlGaN材料中存在诸多问题，例如外延生长困难、p型掺杂率低、发光偏振特性独特等等，导致深紫外波段器件的发光效率普遍较低，制约了深紫外发光器件的发展与应用。本论文采用第一性原理的计算模拟方法，围绕AlGaN材料中的光学偏振特性及其调控开展了系统的研究工作 ...
季桂林
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