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Gaoya dianqi, 2021 SF6替代气体在电力设备中的应用研究越来越广泛,其中氟化腈C4F7N被认为是目前最具潜力实现SF6替代的气体之一。文中结合隔离开关断口结构,研究了C4F7N/CO2二元混合气体的雷电冲击绝缘特性。基于混合气体绝缘试验平台,重点分析了气体种类,电压极性、充气气压、电极距离、C4F7N占比对50%击穿电压的影响规律。试验结果表明:在研究范围内,50%击穿电压随着充气气压、电极距离和C4F7N占比的增大均呈升高趋势。当充气气压升高到100、150、200 k Pa时,对应50%击穿电压（20:80,15 mm）
霍鹏 +6 more
doaj
The Research and Fabrication of the Si and InP/InG [PDF]
, 2001 金属-半导体-金属(MSM)光电二极管在光电子集成(OEIC)中具有很广泛的前景。这一结构的器件有两个重要的特性。第一：制作工艺简单；第二：属平面结构，所以易于与FET和HEMT集成。同时，它还具有响应速度快的特点,可以用于超高速、大容量的光纤通信中。 本文先从MSM-PD光电二极管的发展状况入手，探讨了该器件的结构特点，基本的光学和电学性质。为了能在厦门大学物理系现有的实验条件下制备出用于光纤通信的MSM-PD光电探测器，探索了以下几个方面的工作： 1.根据光通信的要求和本实验室的现有条件 ...
黄屏
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Gaoya dianqi, 1996 在充SF6或N2的尖—板间隙中注入适量正空间电荷能使正极性冲击击穿电压提高,而注入负空间电荷则使正冲击击穿电压降低。用这一实验结果可以解释以前发现的含氯添加气体使尖—板间隙中SF6的正冲击击穿电压提高的实验现象。
邱毓昌
doaj
Gaoya dianqi, 2022 随着非线性用电设备在工业领域的大量应用，电网中的谐波含量日渐增多，对应用于系统中的全膜电容器带来很大的危害。为了研究工频叠加谐波电压下温度对全膜电容器绝缘介质击穿特性的影响，文中以全膜电容器元件为对象，在40、55、70、85℃下分别对全膜电容器元件在工频电压、工频叠加3次谐波电压、工频叠加5次谐波电压下进行了短时击穿试验，得到了工频叠加谐波电压下温度对全膜电容器绝缘介质击穿特性的影响规律。试验结果表明，在相同电压类型下，全膜电容器绝缘介质的击穿场强随着温度的升高而下降。且在40～85℃的范围内 ...
方田 +6 more
doaj
Investigation of oxygen precipitates and the stability of denuded zone in Czochralski silicon [PDF]
, 2016 铜在硅中不仅具有很大的扩散速率，而且随着温度的降低它的固溶度迅速下降，这两个特性使得铜原子很容易在器件制备过程中沉淀下来，严重影响硅片性能。虽然科研工作者们已经提出了多种工艺使硅片近表面处形成洁净区，但却很少对硅中的氧沉淀和洁净区的稳定性进行深入探讨。因此，本文通过实验分析了氧沉淀和洁净区的稳定性，得出以下结论： （1）研究了热处理方式和铜引入温度对洁净区的形成及其稳定性的影响。研究发现，只有Ramping-低-高热处理能使硅片内生成大量氧沉淀的同时有效形成洁净区。引入铜玷污后，RTP-低 ...
吕耀朝
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Dianci bileiqi, 2016 针对检测电涌保护器（SPD）击穿方法的问题,通过对雷电过电压作用下,SPD击穿时周围产生的瞬态电磁场以及电磁感应的理论分析。利用组合波发生器（12、50μs）模拟雷电流发生器,对开关型SPD、限压型SPD分别做冲击试验。试验结果得出:冲击电压为0-5 k V范围时,传感器两端的感应电压随着冲击电压的增大而线性增加;冲击电压相同时,测试开关式压敏电阻的感应电压小于限压型压敏电阻;测试器件相同的情况下,不同表面尺寸的传感器两端的感应电压存在较大差异。探究了利用电磁感应的原理检测SPD的击穿方法 ...
李祥超 +4 more
doaj
Synchrotron radiation based nuclear resonant vibrational spectroscopy:Introduction [PDF]
, 2014 核共振振动能谱学(简称核振能谱)是一种以同步辐射为实验基础的新型的振动能谱学方法。与红外、拉曼等传统的振动光谱学方法相比,核振能谱在理论上和实验上具有一系列突出的特点和优越性,从而在各学科,特别是在铁基化学和铁基生物化学的研究中有着广泛的应用。文章分为上下两篇,上篇介绍核振能谱的基本概念、基本理论、实验方法和实验条件等基础内容,并以简单的四氯化铁离子([fECl4]-)为例,演示由原始核振能谱到振动态密度函数(PVdOS)的分析流程。在选材上,文章侧重先进性、代表性和实用性;在叙述上 ...
周朝晖, 徐伟, 王宏欣
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Gaoya dianqi, 1999 根据对SF6气体极不均匀场间隙异常放电的分析,提出了由三条界限线,即流注击穿线、低概率冲击击穿线和电晕起始线组成的估算间隙低概率冲击击穿电压的方法;击穿电压的计算值和实验测量值的比较表明,计算给出的是稍偏严的结果.
顾温国, 邱毓昌
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Development on AlInGaN/GaN PIN Ultraviolet Photodetectors [PDF]
, 2008 用AlInGaN四元合金代替AlGaN作为PIN探测器的有源层,研制出AlInGaNPIN紫外探测器。详细介绍了该器件的结构设计和制作工艺,并对器件进行了光电性能测试。测试结果表明,器件的正向开启电压约为1.5 V,反向击穿电压大于40 V;室温-5 V偏压下,暗电流为33 pA,350 nm处峰值响应度为0.163 A/W,量子效率为58%。Using AlInGaN instead of AlGaN as the source film of a photodetectors,an AlInGaN ...
刘宝林, 张保平, 洪灵愿, 黄瑾
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Dianci bileiqi, 1976 第三部分高压瓷绝缘子工频击穿电压回归方程对于B型绝缘子,工频击穿电压是一项重要的要求,过去是凭经验估计进行设计,但苏联介绍的击穿电压值偏低,而西德的公式适用范围又比较窄,且击穿电压的数值与瓷质水平密切相关,遵照毛主席关于“要认真总结经验”的教导,总结出我国自己的工频击穿电压计算公式。 3-1 ...
doaj