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基于拓展Volume-Time理论的串联空气间隙非同期击穿过程分析
Gaoya dianqi为了认识串联空气间隙的击穿过程，以球—球间隙为研究对象，设计了“非对称组合间隙”，即总间隙距离不变的条件下分别单独调整两个间隙的距离使上下间隙距离不一致。采用拓展Volume-Time理论计算了串联双间隙的U50%，并解释了雷电冲击电压下非对称组合空气间隙的非同期击穿物理过程。实验结果表明，上下间隙距离分布不均匀程度对串联空气间隙击穿电压和击穿延时的影响；不均匀程度较大时，较低电压下存在单个间隙放电、总体不击穿的现象，较高电压下两间隙将出现非同期击穿；不均匀程度较小时，两间隙同期击穿。为了解释这种现象 ...
姚晓飞 +7 more
doaj
An Analysis of GATs Compatibility Between High Frequency and High Base Region Punchthrough Voltage [PDF]
, 2000 【中文摘要】 通过作者最近建立的关于 GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型 ,定量研究了 GAT的基区穿通电压 VPI,并且解释了该器件实现高频率与高电压兼容的实验结果。 【英文摘要】 By the aid of the two dimensional analytical model of the electric potential and field distribution in GATs collector depletion space in a cut off ...
庄宝煌 +3 more
core
Advance in Silicon Photomultiplier for All-Digital Positron Emission Tomography [PDF]
In recent years, silicon photomultipliers (SiPMs) have emerged as preferred photoelectric conversion devices in positron emission tomography (PET) due to their outstanding performance. SiPMs possess single-photon resolution capability and time resolution
Ao QIU, Hui LAO, Qingguo XIE, Wentao HU
core +1 more source
Dianci bileiqi, 2016 为了解决气体间隙型放电管在雷电防护应用中存在击穿电压高、响应时延长等问题,根据对汤森理论与帕森定律的理论分析,设计了一种触发型气体放电管,并在帕森定律的理论基础上提出了传统放电管击穿电压值乘以系数k ...
王莹
doaj
Circuit Design for Switch Power Supply and its High-Voltage Power Devices Development [PDF]
, 2014 开关电源作为电子设备的动力之源，向着高效率、高功率因数、低成本的方向发展；核心元件高压功率开关器件是影响开关电源的效率与可靠性的主要因素。因此对开关电源电路设计及其高压功率器件的研究具有现实意义。 本文首先针对LED的工作特性，创建驱动IC、变压器的PSpice模型和建立电路仿真系统，采用原边控制原理来实现恒流、恒压输出，完成反激式LED驱动开关电源。其次针对高压功率开关器件进行研究：基于RESURF原理设计了一款能够满足耐压大于600V的LDMOS，应用到LED驱动芯片的高低压集成电路的制备中 ...
江凌峰
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Gaoya dianqi空气间隙的击穿电压是超/特高压输电线路带电作业安全防护的关键因素。针对等电位作业间隙放电路径受等电位作业人员的站位与姿势影响而影响击穿电压问题，本文聚焦复合横担带电作业提出了一种考虑人员站位姿态及放电附着点的击穿电压预测方法。基于先导放电模型，建立了考虑等电位人体的带电作业间隙放电附着点模型，并分析了不同姿态下人体体表的放电附着概率；将间隙结构和电场分布等特征量作为支持向量机（support vector machine，SVM）的输入量，以间隙是否击穿作为输出量，建立了击穿电压预测模型 ...
刘凯 +5 more
doaj
Dianci bileiqi, 2019 针对防雷中半导体放电管（thyristor surge suppressors,TSS）和气体放电管（gas dischargetube,GDT）匹配的性能问题,设计了TSS与GDT配合工作的测试电路。使用（1. 2/50 s、8/20 s）组合波发生器模拟雷电过电压对该测试电路进行冲击试验。试验采取控制变量法,退耦电阻阻值选取2Ω、5Ω、10Ω,TSS工作电压选取6 V、25 V、58 V,GDT直流击穿电压选取90 V、230 V。得出:冲击电压小于GDT击穿电压时,测试电路工作在盲区内 ...
徐黄飞 +5 more
doaj
Investigation of AlInGaN/GaN PIN Ultraviolet Photodiodes [PDF]
, 2005 摘要紫外光电探测器在航空、军事、民用等领域里具有非常重要的应用，本论文结合科研项目，进行了PIN结构紫外光电探测器的理论研究和实验制备。所做的研究工作如下：1、目前，GaN基紫外光电探测器一般采用AlGaN/GaN材料来制备，但是AlGaN与GaN之间晶格失配导致外延层位错密度较高，所以，我们提出用晶格常数和禁带宽度可以独立变化的AlInGaN四元合金代替AlGaN作为探测器的有源层。2、用MOCVD系统生长了与GaN晶格基本匹配的AlInGaN材料 ...
洪灵愿
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Dianci bileiqi, 2015 为了研究暂态抑制二极管（TVS）在雷电过电压作用下的耐受性能,通过对TVS管的原理分析并对19种不同击穿电压的TVS管进行冲击实验,利用示波器采集残压及通流的数据,计算TVS管的吸收能量。实验结果表明:TVS管两端施加的冲击电压越高,其两端残压及通流也将越大;随着冲击电压增大,TVS管分别经过箝位、临界、深度饱和及损坏四个状态;随着TVS管击穿电压的增大,TVS管的深度饱和状态对应的冲击电压区间变得越来越窄,当击穿电压大于170 V,TVS管的深度饱和状态几乎没有,直接由箝位状态跳变为损坏状态 ...
李祥超 +3 more
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