Results 81 to 90 of about 1,100 (152)
An Analysis of GATs Compatibility Between High Frequency and High Base Region Punchthrough Voltage [PDF]
, 2000 【中文摘要】 通过作者最近建立的关于 GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型 ,定量研究了 GAT的基区穿通电压 VPI,并且解释了该器件实现高频率与高电压兼容的实验结果。 【英文摘要】 By the aid of the two dimensional analytical model of the electric potential and field distribution in GATs collector depletion space in a cut off ...
庄宝煌 +3 more
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Advance in Silicon Photomultiplier for All-Digital Positron Emission Tomography [PDF]
In recent years, silicon photomultipliers (SiPMs) have emerged as preferred photoelectric conversion devices in positron emission tomography (PET) due to their outstanding performance. SiPMs possess single-photon resolution capability and time resolution
Ao QIU, Hui LAO, Qingguo XIE, Wentao HU
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Gaoya dianqi双断口真空断路器能够有效提高耐受电压水平，显著降低重燃率，进而提升无功投切性能，具有重要的工程实际意义。文中通过实验分别研究了双断口真空断路器在直流电压下不并联均压电容以及并联均压电容条件下关合时的预击穿特性，包括预击穿开距及其分散性、预击穿电压、预击穿场强，并计算其威布尔分布。结果表明，通过并联合理大小的均压电容（约100 pF）可以使双断口分压更加均匀，从而有效改善双断口真空断路器的预击穿特性。实验结果表明，随着均压电容的增大，当均压电容值超过500 pF后，双断口真空断路器的预击穿特性将会变差 ...
李洪伟 +4 more
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Circuit Design for Switch Power Supply and its High-Voltage Power Devices Development [PDF]
, 2014 开关电源作为电子设备的动力之源，向着高效率、高功率因数、低成本的方向发展；核心元件高压功率开关器件是影响开关电源的效率与可靠性的主要因素。因此对开关电源电路设计及其高压功率器件的研究具有现实意义。 本文首先针对LED的工作特性，创建驱动IC、变压器的PSpice模型和建立电路仿真系统，采用原边控制原理来实现恒流、恒压输出，完成反激式LED驱动开关电源。其次针对高压功率开关器件进行研究：基于RESURF原理设计了一款能够满足耐压大于600V的LDMOS，应用到LED驱动芯片的高低压集成电路的制备中 ...
江凌峰
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Dianci bileiqi, 2016 为了解决气体间隙型放电管在雷电防护应用中存在击穿电压高、响应时延长等问题,根据对汤森理论与帕森定律的理论分析,设计了一种触发型气体放电管,并在帕森定律的理论基础上提出了传统放电管击穿电压值乘以系数k ...
王莹
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Gaoya dianqi空气间隙的击穿电压是超/特高压输电线路带电作业安全防护的关键因素。针对等电位作业间隙放电路径受等电位作业人员的站位与姿势影响而影响击穿电压问题，本文聚焦复合横担带电作业提出了一种考虑人员站位姿态及放电附着点的击穿电压预测方法。基于先导放电模型，建立了考虑等电位人体的带电作业间隙放电附着点模型，并分析了不同姿态下人体体表的放电附着概率；将间隙结构和电场分布等特征量作为支持向量机（support vector machine，SVM）的输入量，以间隙是否击穿作为输出量，建立了击穿电压预测模型 ...
刘凯 +5 more
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Dianci bileiqi, 2019 针对防雷中半导体放电管（thyristor surge suppressors,TSS）和气体放电管（gas dischargetube,GDT）匹配的性能问题,设计了TSS与GDT配合工作的测试电路。使用（1. 2/50 s、8/20 s）组合波发生器模拟雷电过电压对该测试电路进行冲击试验。试验采取控制变量法,退耦电阻阻值选取2Ω、5Ω、10Ω,TSS工作电压选取6 V、25 V、58 V,GDT直流击穿电压选取90 V、230 V。得出:冲击电压小于GDT击穿电压时,测试电路工作在盲区内 ...
徐黄飞 +5 more
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The Simulation and Analysis on Spectrum Response for Diamond MSM Ultraviolet Detector [PDF]
, 2002 【中文摘要】 应用 MSM结构光电探测器相对光谱响应的理论公式 ,得到金刚石膜 MSM紫外光电探测器相对光谱响应理论曲线 ,与实验曲线进行比较 ,发现两者吻合得很好。探测器光谱响应的截止波长都在 2 2 0～ 2 3 0 nm范围 ,紫外光与可见光的相对响应度相差一个数量级。根据 MSM结构光电探测器光谱响应曲线拟合出金刚石薄膜厚度、少子扩散长度等表征参数 ,探讨金刚石膜吸收层反射率、吸收系数、金刚石的晶粒大小及金属电极叉指指宽、指距等参数对金刚石膜 MSM光电探测器光谱响应和量子效率的影响 ...
周海文, 程翔
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Gaoya dianqi双断口真空断路器能够充分利用短真空间隙的优异绝缘性能，显著降低容性电流开合过程中的重击穿概率，提高投切电容器组的性能。文中通过实验研究了双断口真空断路器采用阻容均压方式时的预击穿特性，包括预击穿电压、预击穿开距及其分散性，并计算其威布尔分布。研究结果表明，无论电压幅值如何，高压电阻都可以通过阻断从均压电容流向真空灭弧室的放电电流来延缓击穿过程，显著提升了双断口真空断路器的预击穿特性。对于串联电阻和桥接电阻两种阻容均压方式，桥接电阻可以减少电路中使用的电阻数量，降低断路器成本和体积 ...
王成龙 +4 more
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