Results 111 to 120 of about 1,466,533 (153)

[Cluster-guided adaptive Transformer for muscle fatigue prediction]. [PDF]

open access: yesSheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za Zhi
Fan B, Bao X, Ding L, Wu J.
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1954~2005年三江平原自然湿地分布特征研究

open access: yes, 2009
以ArcG IS9.1为数据处理平台,从三江平原1954年、1976年、1986年、1995年、2000年和2005年6期土地利用数据中提取自然湿地空间分布信息,分别将其与三江平原的地貌、地形、水系等环境因子进行空间叠加分析,研究了6个时期三江平原自然湿地的空间分布特征。结果表明,52 a来,三江平原自然湿地面积不断减少,由1954年的353×104hm2减少至2005年的81×104hm2;低河漫滩上的自然湿地面积占三江平原自然湿地总面积的比例由1954年的42.5%增加至2005年的64.7 ...
张柏   +6 more
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[Association between periconception maternal cold and heat exposure and the risk of congenital heart disease in offspring in China]. [PDF]

open access: yesBeijing Da Xue Xue Bao Yi Xue Ban
Xu H   +10 more
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用改进的调制光电流相 称分析技术研究氢人非晶硅的隙态分布

open access: yes, 1997
提出了一种严格校准调制光电流相移的方法,在此基础上,采用调制光电流相移分析技术研究了不掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜费米能级以上隙态密度及其分布的光致变化效应。实验发现,光电流相移的校准对确定隙态密度及其分布是至关重要的。除了校准测试系统的相移频率特性外,还需考虑样品本射电阻、电容等参数的影响,否则会使隙态密度偏低1-2个数量级,经严格校准的光电流相移测试,a-Si:H的隙态分布在导带边以下约0.43eV处观察到一个峰,可能是双占据悬挂键D~-中心引起的。光照引起浅态减小,深态增加 ...
夏传钺   +4 more
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[Application of biological age for cardiovascular risk prediction in a community-based Chinese cohort]. [PDF]

open access: yesBeijing Da Xue Xue Bao Yi Xue Ban
Lu M   +9 more
europepmc   +1 more source

新疆和田地区维吾尔族JC病毒基因型的地理分布

open access: yes, 2007
对新疆和田地区7个县的主体民族维吾尔族的JC病毒IG区域基因型的地理分布状况进行了对比研究。从178个40岁以上的男性尿样提供者中分离出了JC病毒,并且对它们进行了DNA提取,对JC病毒IG区域进行了PCR扩增和DNA序列测定,得到了117人的JC病毒DNA IG区域的碱基序列。多态分析研究结果表明,117人中的基因型分别由B1-b,B1-c和EU组成,各基因型所占比率为:88.9%,3.4%和7.7%。研究发现,在各基因型中B1-b所占的比率高,其次是B1-c和EU基因型 ...
迪里夏提·托呼提   +4 more
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塔里木河下游应急输水对地下水位影响过程分析

open access: yes, 2003
自2000年以来,塔里木河下游开始实施生态输水,旨在通过河道输水,抬升附近地下水位以维护自然植被的生存,保护生态环境。本文结合塔里木河下游生态输水过程中,由各监测断面采集的相关地下水位资料,运用曲线回归预测等手段,分析输水对该区域浅层地下水系统的影响以及变动后的浅层地下水与该区域的土壤含水率、植被等的关系。经过分析,本文得出以下几点结论:1、输水过程中近河岸各断面相关井位的地下水埋深值与距输水源头的距离相关性很大,符合一定的回归分布。这种分布随输水次数、距河岸距离的不同略有差异,但其曲线类型保持不变。2、
李向军 
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分布放大的取样光栅分布布拉格反射可调谐激光器结构

open access: yes
一种分布放大的取样光栅分布布拉格反射可调谐激光器结构,包括:一衬底;一n-InP缓冲层制作在衬底上;一InGaAsP下限制层制作在n-InP缓冲层上;一增益层制作在InGaAsP下限制层上;一InGaAsP上限制层制作在增益层上,其表面形成有取样光栅结构,该取样光栅光栅结构位于无源波导之上;一p-InP层制作在InGaAsP上限制层上;一p-InGaAsP刻蚀阻止层制作在p-InP层上;一上p-InP盖层制作在p-InGaAsP刻蚀阻止层上;一p-InGaAs接触层制作在上p-InP盖层上 ...
王圩   +4 more
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