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Gaoya dianqi盆式绝缘子是GIS的关键绝缘器件，与两侧气室法兰通过螺栓进行紧固连接，当螺栓松动时会导致盆式绝缘子应力分布不均，从而影响GIS运行的安全性和稳定性。文中提出了一种基于超声临界折射纵波（LCR）的盆式绝缘子法兰螺栓松动检测方法，根据LCR波在盆式绝缘子法兰表面的传播声时差来反映螺栓松动情况。结果表明，当相邻螺栓松动时，LCR波在松动螺栓之间的法兰表面声时差变化最大，且变化量大于24 ns；当不相邻螺栓松动时，LCR波在松动螺栓正对的法兰表面声时差变化最大，且声时差变化量大于10 ns，并且螺栓松动程度越大，
葛健 +6 more
doaj
一种绝缘体上硅的波导光栅耦合器，所述耦合器采用绝缘体上硅材料，包括：一衬底；一限制层，该限制层制作在衬底上；一波导层，该波导层制作在限制层上，该波导层上面的一端横向制作有衍射光栅；一光子器件 ...
俞育德, 李智勇, 周亮, 余金中
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[Research progress of photoacoustic imaging in diagnosis of limb lymphedema]. [PDF]
Zhongguo Xiu Fu Chong Jian Wai Ke Za ZhiShen Y, Pan J, Wang X.
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, 2009 提出一种地平面刻蚀共面紧凑型微波光子晶体(PBG)的共面波导结构,介绍了微波光子晶体的基本单元结构,并设计出具有90°弯折的共面波导样品.使用矢量网络分析仪测试该结构的散射参数,测量结果显示,其传输特性比普通的共面波导在高频部分具有较大的提高.同时,相比于传统的三维微波光子晶体,该结构具有导体损耗小,加工工艺简单 ...
哈森其其格 +6 more
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[A study on the propagation characteristics of epileptic spike signals based on simultaneous intracranial and scalp electroencephalography]. [PDF]
Sheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za ZhiJiang M, Gao D, Li C.
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一起110 kV GIS设备自由金属颗粒放电缺陷及解体分析案例
Gaoya dianqi介绍了一起110 kV GIS设备母线PT开关气室超声波信号异常的分析处理案例。通过幅值定位、时延定位和改变设备运行状态，判断缺陷来自于开关气室内部。对局放超声波信号进行多种测试图谱分析，认为该气室底部自由金属颗粒放电是产生异常超声波信号的主要原因。经开罐检查，发现开关静触头均压罩上存在明显刮痕，气室底部存在较多黑色固体碎屑，开关安装工艺不良导致金属碎屑掉落在气室底部，产生局部放电引起超声波信号异常。该起PT开关气室放电是一起较为典型的自由金属颗粒放电案例，为今后类似异常情况的分析处理提供了借鉴与参考。
林岑 +7 more
doaj
本发明公开了一种基于光子晶体空气桥结构的慢光波导结构，该慢光波导结构采用线缺陷光子晶体结构，包括纵向结构及横向结构，纵向结构为空气桥多层结构，从顶层到底层依次为空气层/半导体材料层/空气层/衬底材料层，横向结构采用三角晶格结构，周期为P，半径为R，通过去掉一行孔形成波导。本发明通过变化线缺陷临近孔的大小，实现高达50纳米的慢光工作区，中心波长可以通过波导宽度来调节，在上百纳米的工作波长要求范围内只需要两种孔径的小孔就可实现，可降低满足某一工艺条件的器件参数调整要求 ...
渠红伟 +3 more
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[Pathophysiologically complex bilateral profound sensorineural hearing loss in the setting of type 2 diabetes mellitus and fungal sepsis: a case report]. [PDF]
Lin Chuang Er Bi Yan Hou Tou Jing Wai Ke Za ZhiChen W, Chen W, Wang Z, Shi Z, Zhong J.
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一种基于Y波导的双分布反馈激光器+双放大器的制作方法，包括：在N型磷化铟衬底上依次外延制作InP缓冲层、下波导层、多量子阱有源区、上波导层和光栅层；制作无源波导区，另一侧为有源波导区；制作光栅；在有源波导区和无源波导区上依次外延制作光栅盖层、光限制层和电接触层；在电接触层上向下刻蚀出Y型脊波导；在光栅层的上面及Y型脊波导的表面生长二氧化硅绝缘层；将Y型脊波导上面的二氧化硅绝缘层腐蚀掉；在有源波导区上的Y型脊波导两臂的中间制作第一电隔离沟，在有源波导区上的DFB区和SOA区之间制作第二电隔离沟 ...
孔端花, 梁松, 朱洪亮
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, 2010 理论模拟研究了硅基绝缘(SOI)的slot波导中槽内限制功率与slot波导的结构参数以及包覆层折射率的关系.结果表明,如果包覆层的折射率偏离衬底SiO2的折射率,相同参数下的slot波导的传输损耗大于包覆层为SiO2的结构的传输损耗.分析表明,如果包层与衬底折射率不同,限制的光功率会从slot缝隙中渗透到折射率较高的衬底或者包层中,从而引起能量的损耗.理论模拟得到了在缝隙宽度为0.12μm的情况下, slot波导槽内最大的光功率限制为28.54 ...
胡雄伟, 安俊明, 宋世娇
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