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半导体光电子器件的自适应耦合的结构

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本发明公开了一种半导体光电子器件的自适应耦合的结构,包括:一半导体光电子器件(a),固定于圆形底座上;一外套管(c),该外套管(c)的内径等于该圆形底座的外径,且该圆形底座焊接或紧密装配于该外套管(c)的一端;一内套管(d),从该外套管(c)焊接或紧密装配圆形底座的相对端嵌套焊接于外套管(c),且该内套管(d)的中轴线与所述外套管(c)的中轴线重合;一光接收装置(b),焊接于内套管(d)内部,该光接收装置(b)的中轴线与内套管(d)的中轴线重合 ...
王欣, 祝宁华, 孙可, 谢亮
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[Development and validation of a machine learning-based prediction model for fatty liver in Wilson disease]. [PDF]

open access: yesNan Fang Yi Ke Da Xue Xue Bao
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高功率非对称宽波导980nm半导体激光器结构

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一种高功率非对称宽波导980nm半导体激光器结构,包括:一衬底,为(100)面的N型镓砷材料,该衬底用于在其上外延生长激光器各层材料;一缓冲层,为N-镓砷材料,该缓冲层制作在衬底上;一N型下限制层,为N-铝镓砷材料,该N型下限制层制作在缓冲层上;一下波导层,为N-铝镓砷材料,该下波导层制作在下限制层上;一下垒层,为镓砷磷材料,该下垒层制作在下波导层上;一量子阱层,该量子阱层制作在下垒层上;一上垒层,该上垒层制作在量子阱层上;一上波导层,该上波导层制作在上垒层上;一P型上限制层,为P-铝镓砷材料 ...
王俊, 马骁宇, 王冠, 崇锋
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硅基化合物半导体激光器的制作方法

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一种硅基化合物半导体激光器的制作方法,包括:在N型磷化铟衬底上形成磷化铟激光器基片;将一N型硅片与上述激光器基片键合、退火,去掉N型磷化铟衬底及P型缓冲层,形成复合片;刻蚀P型欧姆接触层、第一P型覆盖层和腐蚀停止层的两侧,形成脊形波导;在脊形波导两侧制备绝缘隔离层;在脊形波导的顶部制备P型金属电极;刻蚀距脊形波导一侧部分的绝缘隔离层、第二P型覆盖层、本证波导层、有源区本证量子阱、本证波导层和N型波导层,露出N型覆盖层,形成N电极窗口;在N电极窗口上制备N型金属电极;将N型硅片减薄;解理形成单个管芯 ...
于丽娟, 黄永箴, 赵烘泉, 杜云
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[Expert consensus on clinical pathway of high-conformity total knee arthroplasty under the enhanced recovery after surgery protocol]. [PDF]

open access: yesZhongguo Xiu Fu Chong Jian Wai Ke Za Zhi
Expert Consensus Development Group On Clinical Pathways For High-Conformity Total Knee Arthroplasty Under The Enhanced Recovery After Surgery Protocols   +1 more
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