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Gaoya dianqi, 2012 为分析72.5 kV真空灭弧室的电位分布和电场分布及其影响因素,建立了其轴对称有限元分析模型,计算了其电位分布和电场分布,研究了真空击穿的面积效应,并分析了主屏蔽罩的结构尺寸及多个屏蔽罩对真空灭弧室内部电场分布的影响。结果表明:真空灭弧室动静触头之间、触头和屏蔽罩之间的电位变化比较显著,灭弧室内部电场分布不均匀;随着触头间隙距离、触头半径及倒角部分曲率半径的增大,触头表面有效面积将增大,而灭弧室内部最大场强将有所减小;增大主屏蔽罩的半径和长度,可以使屏蔽罩两端的场强有所减小,在真空灭弧室内安装多个屏蔽罩,
邱志斌, 黄道春, 阮江军
doaj
Phase Field Modeling the Size Effect of Ferroelectric Thin Films by Considering the Relaxation of the Strain [PDF]
, 2011 钙钛矿型铁电薄膜材料具有铁电性、热电性、光电性、光折变性等多种性能，被越来越多的应用于微电子领域，成为制作非易失存储器、场效应管和热电传感器等的主要材料。但铁电薄膜厚度一般在微米以下，此时薄膜的尺寸效应很强，研究铁电薄膜材料的尺寸效应具有实际的理论和应用意义。 本文基于金茨堡-朗道-德文希尔（GLD）唯象理论框架，利用等效应变模型考虑薄膜内应变松弛，同时还结合薄膜表面晶格变化引起的极化改变和表面电荷引起的退极化效应等机电耦合边界条件，应用相场法建立了金茨堡-朗道-德文希尔时间发展方程 ...
张春祖
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Gaoya dianqi, 2022 气体绝缘金属封闭输电线路（gas-insulated metal-enclosed transmission line,GIL）拥有输送容量大、占地面积小、传输损耗小等优点，但GIL内部的金属微粒会在电场的影响下发生起跳，严重威胁了GIL的绝缘，需要对金属微粒采取有效的捕获措施。为更好地捕获金属微粒，研究GIL内部的金属微粒在直流电压下的运动特性和落点分布是十分有必要的。文中首先对微粒在直流电压下的受力进行了分析；然后在不考虑屏蔽罩的情况下对金属微粒的运动轨迹和落点分布进行了仿真 ...
高山 +8 more
doaj
The influence of the electrical boundary conditions on domain structures and properties of epitaxial ferroelectric thin films [PDF]
, 2017 本文基于金兹堡-朗道理论的相场法，研究了以PbTiO3（PTO）为代表的二维外延铁电薄膜在四种不同叉指电极分布下的畴结构演化，也探讨了基体约束对铁电薄膜畴结构演化的影响。四种不同的叉指电极分布为：上下对称分布的叉指电极；上表面覆盖叉指电极，下表面覆盖完整电极；上下错位分布的叉指电极；上表面覆盖叉指电极，下表面无电极。这些电极分布可以运用现有的理论转换为四种不同的电学边界条件。 研究结果表明，相比于理想的开路和短路电学边界条件，由于不同电极分布下铁电薄膜的退极化能发生了改变，进而产生了多种特殊的畴结构，即：
雷俐莎
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In-situ electrochemical modification of pre-intercalated vanadium bronze cathodes for aqueous zinc-ion batteries [PDF]
, 2022 Vanadium bronzes have been well-demonstrated as promising cathode materials for aqueous zinc-ion batteries. However, conventional single-ion pre-intercalated V2O5 nearly reached its energy/power ceiling due to the nature of micro/electronic structures ...
Chai, G +9 more
core
Gaoya dianqi, 2023 为提高二维旋转磁特性测量装置的励磁性能，文中首先通过二维电磁场有限元分析对比了4种基于圆形样片的励磁结构，提出了新型两相绕组式新型二维旋转磁特性励磁结构，得出两相绕组励磁结构在相同磁动势下，样片磁通密度均匀性最高；其次，为减小励磁结构空间杂散磁场对样片磁化均匀性的影响，提出纳米晶合金屏蔽层结构，并通过三维有限元分析计算了不同磁化角度下的屏蔽性能，验证了屏蔽结构提升样片磁化均匀性的有效性。最后，为确定文中所提出励磁装置的最终尺寸，提出了耦合支持向量机与自适应粒子群算法的装置尺寸设计参数寻优方法 ...
熊晗, 陈龙, 易琼洋
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Study of Si-Based Multilayer Ge Quantum Dots Near-Infrared Photodetector [PDF]
, 2015 采用超高真空化学气相沉积(uHV/CVd)技术在SI衬底上外延生长了PIn结构多层gE量子点探测器材料。PIn探测器结构由n型SI衬底,多层gE量子点吸收区,和原位掺杂P型SI盖层构成,电极分别制作于n-SI和P-SI上,以获得好的欧姆接触。制备的SI基gE量子点光电探测器具有较低的暗电流密度(-1 V偏压下为7.35x10-6A/CM2),与SI相比,探测波长延伸到1.31μM波段。The structure of multilayer Ge quantum dots( QDs) was ...
李成, 汪建元, 陈松岩
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Gaoya dianqi, 2016 输电线路雷电屏蔽模拟试验是研究输电线路雷电屏蔽性能最为直接有效的手段。文中从国内外输电线路雷电屏蔽模拟试验的研究现状出发,分别对缩比试验模型合理性、缩比模型导线接地方式、工作电压和施加电压极性4个方面进行理论分析和探讨。分析认为缩比试验模型与原系统应尽量在几何尺寸和物理参数具有相似性,推荐采用短波头操作冲击电压波进行大尺寸真型塔模拟试验;初步研究了导线接地方式对棒—缩比导线50%放电电压的影响,认为可通过光学观测等方式,研究缩比模型导线接地方式对放电过程的影响机理 ...
安韵竹 +6 more
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Dianci bileiqi, 2023 石墨接地体添加火花刺可以有效降低冲击接地电阻，为研究方框带外延线型石墨接地装置添加火花刺的降阻规律，从电磁场角度出发，建立了考虑电感效应、集肤效应和火花效应有限元分析模型，系统分析了火花刺的长度、位置和间距对方框带外延线石墨接地体冲击接地电阻的影响，并设计试验进行了验证。结果表明：方框带外延线型石墨接地装置射线端添加火花刺可以增加散流通道进而有效降低冲击接地阻抗。该试验条件下，受端部效应的影响，火花刺应布置在射线长度的1/3-7/10处；受屏蔽效应的影响，火花刺长度的最优值约为射线长度的0.1-0 ...
赵德辉 +5 more
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Gaoya dianqi, 2018 为分析喷锌层对固体绝缘环网柜的电场分布及局放水平的影响,笔者建立了12 kV涂敷屏蔽层的绝缘筒三维模型,采用有限元分析方法对其进行了电场仿真。分析发现绝缘筒进线套管末端的电场和电力线分布不规律,存在局部放电的危险。提出在原有绝缘筒上添加接地屏蔽环和屏蔽网的措施,来改善进线绝缘套管末端局部电场集中的问题。仿真和实验结果表明:加入接地屏蔽环和屏蔽网的改进方法使得喷锌后的绝缘筒的整体电场分布变得均匀,同时提高了绝缘筒的平均熄灭电压,验证了此改进方法在工程应用中是可行、有效的。能有效提高固体绝缘环网柜的绝缘性能,
侯春光, 李秋红, 高有华
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