Results 61 to 70 of about 728 (116)
Developments and trends of endoscopic salivary gland resection: from endoscope-assisted to full endoscopic. [PDF]
Hua Xi Kou Qiang Yi Xue Za Zhi, 2023 Zhu G, Li C.
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[Microwave sensor for recognition of abnormal nodule tissue on body surface]. [PDF]
Sheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za Zhi, 2023 Li C, Guo H, Zhou C, Wang X, Bai J.
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基于有限元和神经网络方法对220kV盆式绝缘子屏蔽罩结构优化设计
Dianci bileiqi, 2017 针对GIS中盆式绝缘子,提出了一种优化其屏蔽罩结构参数的方法。这种方法首先运用有限元方法对盆式绝缘子建立模型,并进行电场计算,然后以此确定了盆式绝缘子屏蔽罩结构优化目标;在此基础上,引入神经网络算法,利用BP神经网络拟合了屏蔽罩各结构参数与优化目标之间的关系,对屏蔽罩的结构参数进行了优化设计,得到最优结构参数,克服了传统穷举法计算量大、消耗时间长的缺点。实验结果表明,安装优化后的屏蔽罩,可以大大降低盆式绝缘子沿面最大场强,有效改善盆式绝缘子沿面电场不均匀程度。
淡淑恒 +6 more
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Gaoya dianqi, 2018 绝缘子闪络是气体绝缘金属封闭开关的主要故障形式之一,提高绝缘子绝缘耐受水平可有效降低系统故障率。研究表明,洁净条件下的绝缘子闪络主要取决于绝缘子的沿面电场分布,而绝缘子及其屏蔽电极的形状均能够有效调节其沿面电场分布。文中设计并浇注了环氧支柱绝缘子样件,通过改变绝缘子形状、内屏蔽和外屏蔽电极的结构来调控其沿面电场分布;利用了负极性标准雷电波发生装置,实验研究了0.2 MPa SF6环境下绝缘子的闪络特性;采用有限元分析方法,计算分析了绝缘子沿面电场的最大值。根据实验结果与仿真计算结果,分析得到绝缘子形状 ...
刘琳 +6 more
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Gaoya dianqi, 2019 平行平板电容器结构简单,为了保证电容值的精度,避免外界杂散电容的干扰,常采用增加屏蔽电极的方法来减小外界干扰。文中利用Ansys进行建模仿真,对常用的电容分压器的屏蔽结构进行计算分析,并提出一种增加内部多层屏的新型屏蔽结构,经仿真验证,此方法可以有效提高分压器抗干扰效果。
乔培武 +4 more
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Gaoya dianqi, 2011 主要介绍了550 kV SF6气体绝缘GIS套管的内绝缘屏蔽结构形式。针对550 kV SF6气体绝缘GIS套管传统的双屏蔽层结构形式所带来的装配难、局放高和成本高等缺陷,通过建立电场模型及优化设计平台,选取了经电场优化的单屏蔽层方案,有效避免了传统的双屏蔽层设计所带来的问题。经型式试验验证,产品各项性能指标满足技术规范要求,绝缘试验合格并具有较大的裕度,套管具有良好的技术经济指标。
钟建英, 狄谦
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[Multimaterial 3D-printed contactless conductivity/laser-induced fluorescence dual-detection cell for capillary electrophoresis]. [PDF]
Se Pu, 2021 Zhang P +5 more
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Gaoya dianqi非交联绝缘材料具有优异的电气机械性能，同时生产能耗少、可回收利用，成为目前电缆绝缘料的研究热点，但与之匹配的非交联半导电屏蔽料的研究还鲜有报道。导电炭黑的分散性对屏蔽料的性能影响重大。文中选用线性低密度聚乙烯（LLDPE）为基体树脂，白油为分散剂，采用熔融共混法制备了非交联电缆屏蔽料。研究了白油含量对屏蔽料中炭黑分散、结晶性能、体积电阻率和机械性能的影响。结果表明添加白油会促进炭黑的分散，但白油含量过大会降低屏蔽料的结晶度，增加其体积电阻率并降低拉伸强度和断裂伸长率。当白油含量为2 wt%时 ...
张亚 +8 more
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1 000 kV GIS断路器局放带电检测异常分析与处理措施
Gaoya dianqi文中介绍了一起1 000 kV GIS断路器局部放电带电检测异常的详细经过、缺陷处理、原因分析以及后续整改措施。检修人员通过对1 000 kV GIS设备开展局部放电带电检测、SF6分解物检测等工作，分析超声波和特高频局部放电异常信号特征，锁定异常信号的位置，判断出GIS内部可能存在轻微故障。然后经过现场检查确认了故障的存在，对故障断路器进行整体更换处理，并将故障断路器保存原样返厂进行分析。最终通过现场开罐检查、返厂解体、异物样品检测等手段找出局部放电异常的原因，本次1 000 kV ...
胡义涛 +9 more
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Gaoya dianqi, 2012 为分析72.5 kV真空灭弧室的电位分布和电场分布及其影响因素,建立了其轴对称有限元分析模型,计算了其电位分布和电场分布,研究了真空击穿的面积效应,并分析了主屏蔽罩的结构尺寸及多个屏蔽罩对真空灭弧室内部电场分布的影响。结果表明:真空灭弧室动静触头之间、触头和屏蔽罩之间的电位变化比较显著,灭弧室内部电场分布不均匀;随着触头间隙距离、触头半径及倒角部分曲率半径的增大,触头表面有效面积将增大,而灭弧室内部最大场强将有所减小;增大主屏蔽罩的半径和长度,可以使屏蔽罩两端的场强有所减小,在真空灭弧室内安装多个屏蔽罩,
邱志斌, 黄道春, 阮江军
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