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C4F7N-air混合气体在稍不均匀和极不均匀电场中的工频绝缘特性分析

open access: yesGaoya dianqi
近年来,作为SF6有效替代气体之一,七氟异丁腈(C4F7N)因其优异的电气性能和物化特性而受到关注与讨论,然而由于C4F7N的液化温度较高,需要与低液化温度的缓冲气体并用。选择空气作为缓冲气体,在稍不均匀电场与极不均匀电场下,通过工频击穿实验研究气压、混合占比和电极间隙对C4F7N-air混合气体工频击穿电压的影响。结果发现:C4F7N-air混合气体在两个电场下的工频击穿电压随着电极间隙的增大而近似线性增加,在极不均匀电场下,出现明显“驼峰”效应,混合比为8%~16%的C4F7N ...
陈曦   +4 more
doaj  

[Research on blood viscoelasticity detection based on electrowetting technology]. [PDF]

open access: yesSheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za Zhi
Wang C, Huo W, Yang L, Huang X, Yang W.
europepmc   +1 more source

HIRFLSFC高频D电压测量

open access: yes, 2000
介绍了用韧致辐射能谱测量高频 D电压方法及测量结果。此方法的优点在于不受高频频率 ...
王贤武,徐啸,苏学明,雷祥国,郭应祥,赵建民
core  

半导体釉棒型绝缘子的机电性能 附视频

open access: yesDianci bileiqi, 1976
半导体釉棒型绝缘子试制成功后,其机电性能经过鉴定,完全满足原试制协议指标的要求。实际工频干闪电压达到171.5千伏,工频湿闪电压达到129.5千伏,工频雾闪电压>100千伏,工频污闪电压>75千伏,抗拉破坏负荷达5.9吨。鉴定结果表明该产品有明显的耐污性能:电场分布均匀、无局部放电现象,烘干作用显著,与普通釉棒型绝缘子相比,污闪电压提高2.5倍,认为该产品可投入线路上试运行。
doaj  

双液滴在交流电场下的变形和相互作用

open access: yes, 2015
双液滴在电场下的变形和相互作用直接决定电融合的成功与否。电场强度、初始液滴间距和电场频率是电融合现象中的关键因素。本文从理论分析和数值计算两个方面研究了交流电场下受限液滴在矩形截面微通道中的电流体力学特性。发现了不同电场强度和初始液滴间距下的五个分区,并通过理论分析确定了各分区间的边界 ...
陈晓东, 胡国庆
core  

不同铝护套结构对电缆电气特性影响分析

open access: yesGaoya dianqi
国内交联聚乙烯(XLPE)高压电缆一般采用皱纹铝护套结构,然而现有电缆电气特性的参数计算多基于平滑护套结构,未考虑皱纹护套带来的影响。文中从电场分布入手,基于有限元法分析了皱纹护套结构下的电场分布及缓冲层泄漏电流,进而针对护套感应电压、电缆工频电容和电感进行分析,对比平滑护套结构和皱纹护套结构对以上两组电气参数的影响。同时运用公式法对平滑护套电缆进行计算,作为有限元分析结果的对照。结果表明,皱纹结构会造成气隙电场集中,泄漏电流增大,皱纹铝护套结构会降低护套感应电压约10%,增大工频电感约4 ...
李岩, 刘一帆, 高颂, 施碧君
doaj  

[Environmental modulation of musical emotion: frequency-specific analysis based on virtual reality and electroencephalography]. [PDF]

open access: yesSheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za Zhi
Zhou Y   +6 more
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CMOS超高频整流器

open access: yes, 2007
提出了一个适用于无源UHF RFID标签芯片的全CMOS整流器.整流器包括射频-直流转换电路、偏置电路、直流-直流转换电路和振荡器电路.整流器的工作频率范围是860~960 MHz.基于0.18μm,1p6m的标准数字CMOS工艺,设计并实现了无源UHF RFID标签芯片的整流器.该设计采用开关电容电路技术动态地消除了CMOS管开启电压的问题,在标准数字CMOS工艺下实现了高效率的超高频整流器.整流器的面积为180μm×140μm.当输入900MHz,-16dBm的射频信号时,整流器的输出电压为1.2V,
周盛华, 吴南健
core  

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