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Gaoya dianqi由于12 kV真空灭弧室工频电压老炼试验时，瓷壳内部出现局部击穿现象，需要对其内部结构进行研究，寻找一种改善灭弧室内部电位分布的绝缘优化方案。文中根据真空灭弧室的实际尺寸建立了三维电场计算模型，采用有限元计算得到了各部分的电场分布。对真空灭弧室的动静触头和屏蔽罩的绝缘强度进行了分析，根据其计算结果，对触头片边缘圆角、半径及其开槽宽度进行了优化，并对屏蔽罩的构造进行了改进，基于该优化方案进行电场分析，最后优化后的样机通过了工频电压老炼试验验证。
戴冬云 +4 more
doaj
Gaoya dianqi, 2012 当绝缘子发生雷击闪络造成单相接地故障时,间歇性电弧容易引发弧光接地过电压,对电网绝缘薄弱处造成破坏,影响电网安全运行。针对上述情况,设计了一种基于"疏导型"防雷理念和"气吹灭弧"相结合的灭弧防雷间隙。该间隙在快速疏导雷电流入地的同时,启动高速灭弧装置,熄灭故障点工频续流,抑制间歇性电弧产生和过电压。笔者通过对小电流灭弧试验和MATLAB建立的灭弧间隙仿真模型进行分析,灭弧防雷间隙可以抑制雷击闪络后引发的弧光过电压。
陈光会 +5 more
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[Two cases of Vibrio vulnificus primary sepsis]. [PDF]
Zhonghua Shao Shang Yu Chuang Mian Xiu Fu Za Zhi, 2022 Cheng DS +5 more
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Dianci bileiqi, 1975 前言磁吹阀式避雷器及电站用普通阀式避雷器的内部间隙,均采用多个小间隙串联而成。为了克服避雷器在工频电压作用下,多个间隙上电压分布的不均匀,而导致工频放电电压下降及对间隙灭弧的影响,通常在间隙上并联分路电阻 ...
doaj
Gaoya dianqi, 1996 西安高压电器研究所与16个单位联合研制的FN□—10D/630型高压真空负荷开关,适用于交流50Hz、10kV的网路中,作为开断负荷电流及关合短路电流之用。带熔断器的负荷开关可开断短路电流是保护变压器的理想用电设备。它特别适用于环网供电单元和箱式变电站,能频繁操作。 三工位真空负荷开关是具有负荷、隔离、接地三功能的负荷开关,该开关具有明显的可见断口,使用安全。 该负荷开关由真空灭弧室承担电路的关合和分断,真空灭弧室与隔离刀是联动,即真空灭弧室开断电路以后隔离刀立即分闸。因而 ...
王素芬
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Gaoya dianqi, 1994 通过实验研究了三种不同触头材料的真空灭弧室在作大电流开断操作后冲击耐压水平的下降情况后发现,随着开断电流的增大,弧后冲击耐压水平逐渐降低.当开断电流接近真空灭弧室的极限开断电流时,冲击绝缘水平有较大幅度的下降;采用工频电压作用下的高压火花老炼处理,可以使尚未达到电寿命极限的真空灭弧室的冲击耐压水平基本得到恢复.
何俊佳 +3 more
doaj
[A head direction cell model based on a spiking neural network with landmark-free calibration]. [PDF]
Sheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za ZhiYu N, Huang J, Lin K, Zhang Z.
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[Establishment and validation of a risk prediction model for disseminated intravascular coagulation patients with electrical burns]. [PDF]
Zhonghua Shao Shang Yu Chuang Mian Xiu Fu Za Zhi, 2023 Li Q +7 more
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[Comparison of the efficacy of sigmoid sinus constriction plus cartilage reconstruction and sigmoid sinus return surgery in sigmoid sinus-related pulsatile tinnitus]. [PDF]
Lin Chuang Er Bi Yan Hou Tou Jing Wai Ke Za ZhiCao W, Wu Z, Zhao Y, Tong B, Yao K.
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[A Clinical Study of Patients with Primary Parkinson's Disease Undergoing Bilateral Deep Brain Stimulation (STN-DBS) Surgery in the Subthalamic Nucleus under General Anesthesia]. [PDF]
Sichuan Da Xue Xue Bao Yi Xue Ban, 2022 Shi YF, Zhang Y, Li P.
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