Results 101 to 110 of about 288,375 (159)
[Clinical phenotype and genetic analysis of 7 neonates with CHARGE syndrome caused by <i>CHD7</i> gene variants]. [PDF]
Zhongguo Dang Dai Er Ke Za ZhiZhao FX +5 more
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新型硅基双异质外延SOI材料Si/γ-Al_2O_3/Si制备
, 2003 异质外延法是目前制备新型SOI材料的技术途径之一。采用低压化学气相沉积技术(LPCVD)在硅衬底上先外延r-A1-2O-3绝缘单晶薄膜，制备出硅衬底上外延氧化物外延结构r-Al-2O-3／Si(EOS)，然后采用类似SOS薄膜生长的常压CVD(APCVD)方法在EOS上外延硅单晶薄膜，形成新型硅基双异质SOl材料Si／r-Al-2O-3／Si。利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱(AES)及MOS电学测量等技术表征分析了Si(100)／r-Al-2O-3(100)／Si(
王俊 +4 more
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[Research progress and applications of biologically derived materials in scleral reconstruction]. [PDF]
Zhongguo Xiu Fu Chong Jian Wai Ke Za ZhiGuo M, Chen H, He S, Xie H, Li X.
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, 2005 用一个简单模型讨论了应变异质结构中嵌人中间层对界面失配位错产生和应变释放的影响．根据能量最小原理得到了弹性能最小状态下界面失配位错密度，发现当中间层材料的晶格常数比衬底和外延层的都大或者都小并且厚度足够薄时，超薄中间层可以完全吸收支撑衬底和外延层之间的应变而不产生任何界面失配位错 ...
陈涌海, 杨少延, 王占国
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[A follow-up study of 10 Uyghur children with 11β-hydroxylase deficiency in the Xinjiang region]. [PDF]
Zhongguo Dang Dai Er Ke Za ZhiWang XY +5 more
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, 1999 运用透射电子显微镜分析了分子束外延的立方相GaN/GaAs异质微观结构。在GaN外延层中，观察到大量的、不对称的{111}面缺陷(层错和微孪晶)，以及失配位错在该大失配界面上的非优化排列 ...
杨海峰 +6 more
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基于三角形光栅结构的薄膜晶硅/PEDOT:PSS异质结太阳电池的陷光设计
, 2019 针对薄膜硅的光学管理问题,通过有限元方法求解麦克斯韦基本方程组,研究基于一维三角形光栅结构对电池的光吸收率、光电流密度(Jph)和电场强度分布的影响,设计并优化适合2μm硅/PEDOT:PSS系统的双面一维三角形光栅结构,有效提升薄膜硅的光学吸收,并能与PEDOT:PSS形成优异的异质结,基于此结构的薄膜硅/PEDOT:PSS异质结太阳电池的效率可超过15%,展现了高效柔性薄膜硅/PEDOT:PSS ...
王莹 +5 more
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Zhongshan Daxue xuebao. Yixue kexue ban, 2010 【目的】 应用乙腈(ACN)预处理血清的方法,对肝细胞癌(HCC)患者的血清进行蛋白质组分析,寻找与HCC发病相关的蛋白质65377; 【方法】 收集原发性HCC患者和健康人的血清各12例,首先使用乙腈预处理,然后去除白蛋白和免疫球蛋白等高丰度蛋白质,再进行双向电泳(2-DE)分析,筛选HCC与健康对照血清中有显著性差异的蛋白质斑点,并进行MALDI-TOF/TOF质谱鉴定65377; 【结果】 血清经0%65380;20%和30%浓度的乙腈预处理后,进行2-DE分析发现蛋白质斑点的检出数量分别为532
doaj
[Clinicopathological and molecular features of acquired cystic kidney disease and associated renal cell carcinoma]. [PDF]
Beijing Da Xue Xue Bao Yi Xue BanLiu H, Guo W, Shi S, He H.
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, 2001 通过实验研究了一种与Ge_xSi_(1-x)合金表面具有良好电化学界面的电解液，利用电化学C-V方法研究了多层Ge_xSi_(1-x)/Si异质外延材料的载流子浓度纵向分布 ...
张秀兰, 朱文珍, 黄大定
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