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GaAs／GaAlAs双异质结光波导开关内带隙的注入载流子感生变化
, 1994 本文研究了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ双异质结光波导开关内波导层带隙的载流子注入感生变化．给出了带隙变化值随注入载流子浓度变化的关系曲线，并与带填充理论和带隙收缩理论的计算结果进行了对比分析．中文核心期刊要目总览(PKU)中国科学引文数据库(CSCD)007455 ...
林雯华 +3 more
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, 2000 以Si_2H_6和GeH_4作为源气体，用UHV/CVD方法在Si(100)衬底上生长了Si_(1-x)Ge_x合金材料和Si_(1-x)Ge_x/Si多量子阱结构。用原子力显微镜、X光双晶衍射和透射电子显微镜对样品的表面形貌、均匀性、晶格质量、界面质量等进行了研究。结果表明样品的表面平整光滑，平均粗糙度为1.2nm；整个外延片各处的晶体质量都比较好，各处生长速率平均偏差3.31%，合金组分x值的平均偏差为2.01%;Si_(1-x)Ge_x/Si多量子阱材料的X光双晶衍射曲线中不仅存在多级卫星峰 ...
张春晖 +7 more
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Gaoya dianqi文中详细探讨了石墨烯/金属这种异质结结构对SF6分解产物H2S和SO2的吸附行为的影响。实验结果显示，石墨烯/金和石墨烯/铂异质结结构在吸附H2S或SO2气体时，电阻率变化率出现峰值或出现电阻率变化率下降现象。进一步研究表明，这种异质结电阻率变化率曲线吸附峰的具体位置由石墨烯与金属之间的费米能级差异决定，而气敏响应强度则由两者之间的费米能级差异及金属的功函数共同作用。该研究基于相关理论基础，为开发新型石墨烯气体传感器在检测SF6分解产物方面的应用提供了理论指导和参考。
林露 +4 more
doaj
, 2010 基于直波导和环形谐振腔的耦合特性,设计了一种新型、高效的二维光子晶体异质结构光分束器.时域有限差分法模拟表明,该设计仅仅通过改变介质柱的折射率,使光场发生重新分布,便可实现输出能量的均分或自由分配.在通信波长范围,该设计结构尺寸小、分束角度大、分束率高 ...
于天宝 +5 more
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, 2007 对陕北黄土丘陵区撂荒演替中期6块样地进行了群落间异质性和群落异质性分析。结果表明,群落间异质性与环境因素差异多数为正相关,说明环境对撂荒演替中期群落组成与结构起到了一定的塑造作用,典型相关分析进一步表明群落间异质性有84.6%是由环境差异引起的,其中土壤全磷含量与群落间组成异质性、土壤水分与群落结构异质性有较强的正相关关系,说明土壤磷营养对撂荒演替中期群落组成有较大的影响,而土壤水分是影响植物生长和群落结构的重要因素,因此在对撂荒7~15年的耕地进行恢复与重建应注意磷肥的施用和节水 ...
徐学选 +4 more
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Zhongguo shiyan zhenduanxue, 2012 目的根据宫颈组织病理诊断结果,分析细胞学诊断为ASC-US的涂片中异常细胞形态变化的特征。方法对细胞学诊断为ASC-US并建议临床活检的200例病例进行组织病理诊断,并回顾性观察、分析细胞学涂片中异常细胞的排列方式、细胞形态、细胞核形态、核染色质的分布等。结果细胞排列方式上,组织学诊断CINⅢ的细胞学涂片中异常细胞片状排列为72.69%,组织学诊断CIN I和CINⅡ的细胞学涂片中异常细胞为单个散在和片状排列平均分布,组织学诊断炎症的涂片中异常细胞单个散在为74.34%。细胞核形态和染色质分布方面 ...
林宁 +7 more
doaj
应变异质结外延材料的缓冲层厚度与Frank-Read源的关系研究
, 1996 基于能量最小近似模型,研究了应变异质结外延材料中,产生Frank-Read源以释放失配应力所需GeSi合金缓冲层的厚度。对Ge_xSi_(1-x)/Si进行了具体计算,其结果表明:产生Frank-Read源时缓冲层厚度要比临界厚度大得多,L_(min)=1300A是钉扎点间的最小距离。计算结果与LeGoues等的实验结果相符。就作者所知,计算产生Frank-Read源时GeSi合金缓冲层厚度的工作 ...
王占国, 范缇文, 邹吕凡
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, 2007 作为草地土壤重要肥力指标的有机质,存在明显的空间差异。草地土壤有机质合理取样数取决于有机质要素自身空间变异程度和人们对数据精度的要求。采用传统统计学和地统计学相结合的方法,对云雾山草地90 m×90 m区域内的土壤有机质进行空间异质性分析。结果表明,有机质的合理采样数目较实际采样数目有大幅度减少。有机质在2个土层都呈正态分布,且都呈中等强度的变异,变异系数分别为13.47%、16.85%。地统计学表明,有机质在不同方向上存在强烈的自相关性,在不同的方向上均属带状异向性 ...
李世清 +4 more
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[<b>Clinical features and genetic mutation analysis of the hereditary dentin dysplasia type</b> Ⅰ <b>family</b>]. [PDF]
Hua Xi Kou Qiang Yi Xue Za ZhiDeng Z +7 more
europepmc +1 more source
含有p-GaN纳米阵列的InGaN/GaN双异质结太阳能电池的制作
, 2011 提出了一种提高p-GaN/i-InGaN/n-GaN双异质结太阳能电池外量子效率的方法,即将p-GaN刻蚀成纳米阵列结构.我们使用Ni退火形成微结构掩模,通过感应耦合等离子体(ICP)将p-GaN刻蚀纳米阵列结构.同时,提出了两步刻蚀n-GaN台面的制作工艺,以此在形成p-GaN纳米阵列结构时获得光滑的n-GaN层表面,以此改善后续金属电极的沉积.经测试,含有p-GaN纳米阵列结构的电池峰值外量子效率可达55%,比常规p-GaN膜层基InGaN ...
董建荣 +5 more
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