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Dizhen xuebao为探讨张渤地震带的低速异常与大同火山和渤海湾下方的低速异常的关系，及其幔源物质来源，本文收集了华北地区范围内固定台站和流动台站记录的远震地震事件，应用有限频体波层析成像方法，获得了包含大同火山和渤海湾等构造的0—800 km深度、0.5°×0.5°的P波三维速度结构，同时结合作者之前近震层析成像结果的深度解析，分析了张渤地震带地壳及上地幔低速异常特征，进一步揭示了张渤地震带低速异常幔源物质上涌的深部来源。研究显示华北地区地壳上地幔主要存在西部大同火山下方低速异常和东部的渤海湾下方的低速异常 ...
Qiyan Yang, Qingju Wu
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高电子迁移率GaAs/AlxGa（1-x）As二维电子气（2DEG）异质结结构参数优化研究
, 1995 采用三角阱近似,考虑了GaAs/Al_xGa_(1-x)As二维电子气(2DEG)异质结中七种主要的散射机制,计算了2DEG电子迁移率与隔离层厚度(d)和Al组分(x)的关系,对GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结的结构参数进行了优化分析。就作者所知,该文首次计算了2DEG电子迁移率与Al组分x的关系 ...
梁基本 +8 more
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改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能的方法
本发明公开了一种改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能的方法,该方法是采用对n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管进行氢等离子体处理的方式,来改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能,具体包括如下步骤：使用掩膜将n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管盖住,露出需要进行氢等离子体处理的ZnO部分；将n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管送入电容耦合等离子体系统中进行氢等离子体处理；氢等离子体处理过程中器件的温度为T ...
张曙光 +4 more
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Gongye shui chuli, 2004 水中化学性或生物性致味物质是给水异味产生的来源，这些痕量异味物质的存在严重影响了给水的品质，因此给水中致味物质的富集、定性定量分析及去除等相关研究是近年来全世界都关注的一个重要课题。作者介绍了给水异味物质的分类与来源，阐述了国内外给水异味物质的感官及仪器检测方法，总结了国内外给水异味研究方面的差异，指出了CLSA-GC与SDE-GC互补使用是给水异味分析的最精确有效的手段。
周勤, 孙伟
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人脑胶质瘤组织中P21WAF/CIP1的异常表达及其病理学意义
Zhongguo shiyan zhenduanxue, 2005 目的探讨人脑胶质瘤组织P21WAF/CIP1的表达水平与胶质瘤恶性度的关系。方法免疫组化方法检测人脑胶质瘤标本41例,并对其表达水平进行评价。结果P21WAF/CIP1表达水平随胶质瘤恶性程度的升高呈下降趋势,但与组织学分级无相关性,全部受检标本P21WAF/CIP1染色强度无差异。结论胶质瘤组织P21WAF/CIP1表达呈异质性,与胶质瘤分级无相关性,但可参与胶质瘤的发生、发展。
邱吉庆 +4 more
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Guangtongxin yanjiu, 1996 介绍影响 InGaAsP/InP 双异质结激光器可靠性的一个主要因素——热阻。通过分析表明,焊料的选择是决定器件实际寿命的关键因素。实验中采用不同的锡（Su）焊料,结果表明,对于高可靠的 InGaAaP/InP 双异质结激光器,金锡焊料（AuSn）是理想的选择。
王素琴, 李明娟
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, 2018 光伏科学界和工业界致力于简化器件结构和制造工艺的研发,以期通过技术创新带动生产成本的快速下降。与传统高温扩散掺杂技术相比,采用Mo O_x、PEDOT:PSS等高功函数空穴选择性传输层,及Ti O_x、Li F、Mg O_x、低功函数金属等电子选择性传输层,与晶硅基底通过界面能带匹配构建的异质结电池结构,具有低温制备、非掺杂、结构简单、接触钝化等潜在优势,受到广泛的重视。本报告将详细考察PEDOT:PSS/c-Si、Mo O_x/c-Si、c-Si/Ti O_x、c-Si/Mg ...
杨振海 +7 more
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本发明提供一种制作ZnO基异质结发光二极管的方法，包括如下步骤：1)在衬底上沉积p-GaN薄膜；2)在p-GaN薄膜上生长ZnO薄膜；3)采用湿法腐蚀，将p-GaN薄膜上的ZnO薄膜的一侧腐蚀掉，露出p-GaN薄膜，形成台面；4)在p-GaN薄膜的台面上制作p型电极；5 ...
张曙光 +3 more
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一种广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池的结构,包括：一n型硅衬底；一黑硅层,该黑硅层制作在n型硅衬底上；一i型氢化非晶硅层,该i型氢化非晶硅层制作在黑硅层上；一p型氢化非晶硅层,该p型氢化非晶硅层制作在i型氢化非晶硅层上；一n+型重掺杂层,该n+型重掺杂层制作在n型硅衬底的背面 ...
刘德伟 +5 more
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GaAs／Si／AlAs异质结不同生长温度Si夹层分布的CV实验研究
, 2002 用MBE生长设备制造了GaAs/Si/AlAs异质结，通过CV法研究了异质结的带阶和GaAs层在不同温度下生长对0．5分子层Si夹层的影响 ...
吴正龙 +5 more
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