Results 61 to 70 of about 288,375 (159)
, 2005 对新疆古尔班通古特沙漠生物结皮影响下的土壤有机质分异特征进行了定量研究。结果表明,该沙漠典型沙垄不同部位具有不同的土壤有机质特征,且土壤有机质含量具有明显的分层特征。无论是结皮覆盖区还是非覆盖区,土壤有机质的积累均以表层0~5cm土层为主,由表及里呈递减趋势。这种地表有机质分布的规律在该沙漠地表普遍存在。虽然如此,生物结皮却强烈影响着地表0~5cm土层有机质的含量的积累,它的存在使得该层有机质含量极显著地高于无结皮覆盖区0~5cm土层的有机质含量(t检验,p0.05 ...
张元明 +3 more
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, 2005 采用等离子体增强化学气相沉积技术和电子束蒸发技术制备了一种新型的线性缓变异质结变容二极管--Au/Cr合金(电极)/multi-layer(p)nc-Si:H/(n)c-Si/(电极)Au/Ge合金结构.I-V,C-V,G-f以及DLTS的测试结果表明:其电容变化系数远大于单晶硅线性缓变异质结的电容变化系数,正向导电机制符合隧穿辅助辐射-复合模型,这是nc-Si:H层中nc-Si晶粒的量子效应所致;反向电流主要由异质结中空间电荷区的产生电流决定,且反向漏电流小,反向击穿电压高 ...
李国华 +4 more
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, 2001 用GSMBE法生长了Si/SiGe/Si异质结构材料。采用双台面结构制造了SiGe/Si NPN异质结晶体管。在发射结条宽为4μm，面积为4μm×18μm的条件下，其共发射极直流放大倍数为75，截止频率为20GHz。给出了结构设计 ...
杜金玉 +9 more
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, 2020 异质中空结构是指壳层由不同成分组成的空心微纳结构.通过对异质中空结构的表面性质和传质过程进行调控,可以调控经过中空结构的物质及能量.目前,异质中空结构在太阳能转化、气体传感、电化学储能和药物运输等领域展示出了优异的性能,对异质中空结构的设计与构建已成为新型多功能先进材料研究的前沿领域.本文总结了异质中空结构的种类、特征和性能优势,重点描述了各类异质中空结构的制备方法 ...
王丹 +6 more
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, 2003 利用LPCVD方法在Si(100)衬底上获得了3C-SiC外延膜，扫描电子显微镜(SEM)研究表明3C-SiC／p—Si界面平整、光滑，无明显的坑洞形成。研究了以In和Al为接触电极的3C-SiC／p—Si异质结的I—V，C-V特性及I—V特性的温度依赖关系，比较了In电极的3C-SiC／p—Si异质结构和以SiGe作为缓冲层的3C-SiC／SiGe／p—Si异质结构的I—V特性，实验发现引入SiGe缓冲层后，器件的反向击穿电压由40V提高到70V以上。室温下A1电极3C-SiC／p ...
罗木昌 +7 more
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, 2000 报道了用LP-MOVPE技术在蓝宝石(α-Al_2O_3)衬底上生长出以双掺Zn和Si的InGaN为有源区的绿光InGaN/AlGaN双异质结结构，并研制成功发射波长为520 ...
刘焕章 +12 more
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本发明公开了一种单晶薄膜异质结太阳电池及其制备方法，该单晶薄膜异质结太阳电池包括：第一导电类型衬底；在该第一导电类型衬底的迎光面上依序形成的迎光面第二导电类型单晶层和钝化介质层，且钝化介质层表面为绒面；在该第一导电类型衬底的背光面上依序形成的背光面第一导电类型单晶层和绝缘介质层；在该迎光面第二导电类型单晶层上形成的第一电极；以及在该背光面第一导电类型单晶层上形成的第二电极。利用本发明，避免了非晶硅薄膜中载流子迁移率低、少子寿命短的不足 ...
韩培德
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, 2013 本论文以氧化镓为模型，利用紫外拉曼光谱仪，高分辨电子显微镜，光电化学等表征手段，开展了关于“氧化镓异相（质）结在光（电）催化中的作用”的研究，取得了如下结果： 1．考察了GaOOH到α-Ga2O3再到β-Ga2O3的相结构演变过程。研究表明整个相变过程发生在单个粒子上，粒子没有明显的长大和团聚。相变从表面的缺陷位开始，逐渐发展到体相。少量的La2O3即可使缺陷位失活，阻止相变的发生。 2．制备了具有不同表面相结构的氧化镓，考察了其对光催化分解水活性的影响。高分辨电镜、时间分辨光谱和能带分析表明α ...
王翔
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, 2013 以洞庭湖水体中异味物质为研究对象,开展异味物质调查,并结合藻类结构、水质及其营养状况等因素,深入分析洞庭湖异味物质的来源和变化情况.结果表明,DMS(dimethylsulfide,甲硫醚)、DMTS(dimethyltrisulfide,二甲基三硫醚)、β-cyclocitral(β-环柠檬醛)、MIB(2-methylisoborneol,二甲基异冰片)和GSM(geosmin,土嗅素)在全湖广泛存在,其最高质量浓度分别达到500.80、28.80、21.84、14.50和22.40 ng/L ...
谢平 +5 more
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, 2007 采用p-AlGa1-xN／i-GaN／n-GaN异质结构成功制备了含铝组分分别为0．1和0．07的正照射可见盲紫外探测器，并分别测试了它们的伏安特性曲线和光电响应光谱。对于Al组分为0．1的器件，在零偏压处出现了板低的暗电流密度，表明器件具有非常高的信噪比。高分辨率X射线衍射仪对材料的测试结果表明，高铝组分（0．1）窗口层薄膜材料的晶体质量较差，导致暗电流增大 ...
陈俊 +5 more
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