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大容量发电机保护断路器用弧触头系统动力学研究

Gaoya dianqi
大容量发电机保护断路器是大型发电机组重要的保护装置，其灭弧室内采用主、弧触头异速的运动装置，弧触头系统采用了新型的五连杆机构，文中分析了该运动装置的弧触头系统的受力特性。针对大容量发电机断路器用弧触头系统高速运动、大动力传动且通过分段连续轨道实现异速的特点，首先采用向量和矩阵相结合的解析法计入惯性力；然后研究各段曲线轨道对滚子作用力的共性关系，建立了计入惯性力的通用矩阵模型；最后采用数值分析的迭代法计入摩擦力，获得了异速弧触头系统的动力学特性 ...
王磊, 张文兵, 纪明嵩, 赵倩
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不同触头开距下真空电弧现象的研究

Gaoya dianqi, 1997
利用动态图象高速微机采集系统,对纵向磁场线圈触头真空电弧形态进行了研究,触头开距从10mm到40mm变化,得出在相同电弧电流下,电弧扩散区域随开距增加而增加;电弧电压随开距增加而呈线性增加;弧柱电弧电场强度随开距增加而减少。这说明在长开距下,由于弧柱表面积增加,扩散到弧柱外的电子、离子和金属粒子相应增多,因而使输入到弧隙的能量增加以加热触头表面和加强粒子的扩散。
武建文, 王毅, 王季梅
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真空断路器中电弧的运动

Gaoya dianqi, 1987
1.简介 当真空断路器触头分开时,会产生金属蒸气电弧放电,在电弧电流超过10kA时,自生磁场会使电弧产生严重的收缩。 触头局部过热不仅会引起触头严重烧损,而且会降低触头的开断能力。这是由于产生高密度金属蒸气的缘故。因而就很有必要研究电弧的运动特性。 以前主要通过光学方法(例如高速摄影法)对装有观察窗的真空灭弧室进行研究。对于实际真空灭弧室,可以利用测量灭弧室周围磁场变化来反映电弧旋转。
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高压电触头复合面接头型式及有限元分析

Gaoya dianqi, 2010
对高压电器整体式电触头灭弧端和导电端复合面型式进行了分析,台阶式复合面面积要比平接式复合面面积大一倍以上,采用台阶式复合面可提高灭弧端和导电端的复合强度。应用ANSYS/LS-DYNA软件对触头插入过程进行三维大变形有限单元数值模拟,对电触头在插入过程中的应力和变形进行了分析,证明动弧触头台阶式复合面满足强度要求。
段沛林
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用纵向磁场触头结构的真空灭弧室分断中等短路电流的研究

Gaoya dianqi, 1985
本文分析了目前几种真空灭弧室的触头结构,探讨了各种不同结构触头的发展前途。对三种不同触头结构真空灭弧室,在同样尺寸条件下,在12.5千安电流时,利用合成回路,进行分断能力试验。同时着重对纵向磁场触头的磁场分布作了测试,证实新设计的纵向磁场触头结构真空灭弧室具有较多的优点和广泛的发展前途。
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动态电阻测量法用于评估SF₆断路器灭弧室状况的探讨

Gaoya dianqi, 2002
介绍了一种不用打开灭弧室就可以评估断路器灭弧室状况的方法———动态电阻测量法 ,用此法很容易判断弧触头的烧损数值 .根据弧触头的烧损数值 ...
李六零, 丁卫东, 石月春, 邱毓昌   +3 more
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真空灭弧室CuCr触头抗电弧烧蚀和抗熔焊研究与改进

Gaoya dianqi
CuCr触头材料的抗烧蚀和抗熔焊性是影响真空灭弧室寿命的重要因素。文中以CuCr触头材料在真空电弧下的烧蚀为立足点，对烧蚀过程和机理进行叙述，并从CuCr触头的微观组织以及真空灭弧室的磁场类型论述影响CuCr触头烧蚀的相关机理。同时指出抗熔焊性能与触头材料的抗拉以及热导率等因素有关。最后从表面改性和合金化角度总结了提高触头抗烧蚀的研究进展，并总结改进触头抗烧蚀性能的研究方向。
赵启, 韩金儒, 刘伟, 张延超
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F9系列辅助开关

Gaoya dianqi, 1993
F4系列辅助开关大致有以下一些缺点。 （1）自力式的唇形触头长期通电以后触片因发热而失去弹性,造成接触压力减小而接触不良,加上动静触头间的污垢、氧化层等因素的影响,触头就可能失去通电能力。 （2）带有固定间隙的唇形触头在没有灭弧措施的情况下开断能力差,试验表明F4辅助开关在开断直流时燃弧时间长达50ms,烧坏触片的情况时有发生。
陈宏根
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不同因素对真空开关阳极烧蚀影响的仿真研究

Gaoya dianqi, 2020
在大电流真空电弧开断过程中,阳极烧蚀对真空开关的电寿命有重要影响,为了延长触头电寿命,有必要对阳极烧蚀现象进行研究,而建模仿真技术是当前真空电弧研究的一种重要手段。在电弧仿真模型的基础上,建立真空电弧阳极烧蚀模型,计算单次开断对阳极触头的烧蚀,从而得到开断过程中各个因素对阳极触头烧蚀的影响。模型由熔化凝固模块,熔池磁流体动力学（MHD）模块,体积分数法（VOF方法）模块等组成。通过该模型可以得到不同工况下真空开关阳极触头在燃弧过程中的的形变及温度分布。仿真结果表明:开断电流越大,燃弧时间越长 ...
卫涛, 张啸, 李家港, 王立军
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72.5kV真空灭弧室电位和电场分布研究

Gaoya dianqi, 2012
为分析72.5 kV真空灭弧室的电位分布和电场分布及其影响因素,建立了其轴对称有限元分析模型,计算了其电位分布和电场分布,研究了真空击穿的面积效应,并分析了主屏蔽罩的结构尺寸及多个屏蔽罩对真空灭弧室内部电场分布的影响。结果表明:真空灭弧室动静触头之间、触头和屏蔽罩之间的电位变化比较显著,灭弧室内部电场分布不均匀;随着触头间隙距离、触头半径及倒角部分曲率半径的增大,触头表面有效面积将增大,而灭弧室内部最大场强将有所减小;增大主屏蔽罩的半径和长度,可以使屏蔽罩两端的场强有所减小,在真空灭弧室内安装多个屏蔽罩,
邱志斌, 黄道春, 阮江军
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