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Gaoya dianqi, 2018 文中目标旨在研究纳秒级连续脉冲电压对老练后真空灭弧室触头表面击穿位置分布的影响。采用屏蔽罩留有观察窗的玻璃外壳12 kV商用真空灭弧室与高速摄影仪（CCD）,研究不同触头开距条件下纳秒级连续脉冲电压幅值、频率对触头表面击穿位置的影响。研究结果显示,在纳秒级脉冲电压作用下,真空灭弧室触头间隙击穿后,其击穿位置在触头表面的分布服从高斯概率密度分布;击穿位置在触头表面分布趋向于中心位置;击穿位置随脉冲电压频率的增大而更趋均匀,随脉冲电压幅值的增大而更趋集中,随触头开距的增大而更趋于集中。此外 ...
刘畅 +5 more
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Gaoya dianqi, 1994 在大量的试验中发现,真空灭弧室在失去开断短路电流能力时触头表面会发生很大的变形和烧损.本文主要对分闸过程中触头表面受电弧作用下的热变形进行试验和理论推导,同进对影响触头热变形的因素进们分析.
苑舜, 王季梅
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Gaoya dianqi, 2009 对高电压真空灭弧室触头间长真空间隙（40 mm及以上）的真空绝缘特性进行了讨论,包括击穿电压（直流电压,工频交流电压和标准雷电冲击电压）与触头开距的关系以及长真空间隙的老炼特性。目前对72/84 kV级高电压真空灭弧室触头间隙范围（40 mm及以上）的长真空间隙绝缘特性有了一定的了解,而126 kV级高电压单断口真空灭弧室触头间长真空间隙范围（60 mm及以上）的绝缘特性研究还有待深入开展。
刘志远
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Gaoya dianqi, 1996 通过计算分析讨论了真空灭弧室线圈式触头产生的纵向磁场的大小与线圈结构尺寸的关系;触头间磁场的均匀性与触头半径、触头开距的关系及触头分开过程中空间纵向磁场强度的变化,以为触头设计提供参考。
王仲奕, 王季梅
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Gaoya dianqi电容器组投切断路器触头烧蚀劣化后会改变合闸预击穿时间，这不仅会影响选相合闸效果，同时也说明预击穿电弧持续时间可作为衡量触头烧蚀状态的指标之一。建立了126 kV SF6断路器灭弧室内合闸预击穿过程电—流体耦合仿真模型，研究了触头劣化过程中合闸预击穿特性，并提出了预击穿时间带电检测方法。结果表明：合闸过程中场强最大点总是出现在静弧触头表面；灭弧室内SF6气体密度几乎保持不变；110 kV电压等级相电压下，触头预击穿电弧持续时间随烧蚀程度变化的试验值与仿真值吻合良好 ...
马飞越 +6 more
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[Two cases of Vibrio vulnificus primary sepsis]. [PDF]
Zhonghua Shao Shang Yu Chuang Mian Xiu Fu Za Zhi, 2022 Cheng DS +5 more
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Gaoya dianqi真空断路器在投切背靠背电容器组时，合闸预击穿过程中的涌流电弧会严重烧蚀真空灭弧室触头表面，被破坏的触头表面会导致分闸过程中高重击穿概率问题。合闸过程中触头自身磁场会对涌流预击穿电弧特性产生影响，是决定重击穿概率的关键因素。文中旨在研究杯状横纵磁场结构对真空灭弧室容性投切过程中预击穿电弧特性的影响规律。文中分别采用杯状横磁和纵磁结构的真空灭弧室触头开展实验，真空灭弧室的触头直径为48 mm，采用透明玻璃绝缘外壳，内部没有屏蔽罩以便于观察预击穿电弧，实验中利用高速摄像机观察记录涌流预击穿电弧特性 ...
余勇祥, 肖辉, 田溢华, 钱伟
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[Surgical robot-assisted submandibular gland excision through retroauricular hairline approach: three case reports]. [PDF]
Hua Xi Kou Qiang Yi Xue Za ZhiMa S, He J, Cao C, Wang X, Li C, Zhu G.
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[Considerations for soft tissue management in endodontic microsurgery]. [PDF]
Hua Xi Kou Qiang Yi Xue Za ZhiHuang J, Gu S.
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[Study on influence of tooth-supported osteotomy guide plates on the accuracy of mandibular segmental resection and its surgical outcome]. [PDF]
Zhongguo Xiu Fu Chong Jian Wai Ke Za ZhiMa H, Liang K, Qiu R, Liu L.
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