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Gaoya dianqi, 2012 为分析72.5 kV真空灭弧室的电位分布和电场分布及其影响因素,建立了其轴对称有限元分析模型,计算了其电位分布和电场分布,研究了真空击穿的面积效应,并分析了主屏蔽罩的结构尺寸及多个屏蔽罩对真空灭弧室内部电场分布的影响。结果表明:真空灭弧室动静触头之间、触头和屏蔽罩之间的电位变化比较显著,灭弧室内部电场分布不均匀;随着触头间隙距离、触头半径及倒角部分曲率半径的增大,触头表面有效面积将增大,而灭弧室内部最大场强将有所减小;增大主屏蔽罩的半径和长度,可以使屏蔽罩两端的场强有所减小,在真空灭弧室内安装多个屏蔽罩,
邱志斌, 黄道春, 阮江军
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Gaoya dianqi, 1994 在大量的试验中发现,真空灭弧室在失去开断短路电流能力时触头表面会发生很大的变形和烧损.本文主要对分闸过程中触头表面受电弧作用下的热变形进行试验和理论推导,同进对影响触头热变形的因素进们分析.
苑舜, 王季梅
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Gaoya dianqi, 1996 通过计算分析讨论了真空灭弧室线圈式触头产生的纵向磁场的大小与线圈结构尺寸的关系;触头间磁场的均匀性与触头半径、触头开距的关系及触头分开过程中空间纵向磁场强度的变化,以为触头设计提供参考。
王仲奕, 王季梅
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Gaoya dianqi, 2009 对高电压真空灭弧室触头间长真空间隙（40 mm及以上）的真空绝缘特性进行了讨论,包括击穿电压（直流电压,工频交流电压和标准雷电冲击电压）与触头开距的关系以及长真空间隙的老炼特性。目前对72/84 kV级高电压真空灭弧室触头间隙范围（40 mm及以上）的长真空间隙绝缘特性有了一定的了解,而126 kV级高电压单断口真空灭弧室触头间长真空间隙范围（60 mm及以上）的绝缘特性研究还有待深入开展。
刘志远
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[Two cases of Vibrio vulnificus primary sepsis]. [PDF]
Zhonghua Shao Shang Yu Chuang Mian Xiu Fu Za Zhi, 2022 Cheng DS +5 more
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Gaoya dianqi电容器组投切断路器触头烧蚀劣化后会改变合闸预击穿时间，这不仅会影响选相合闸效果，同时也说明预击穿电弧持续时间可作为衡量触头烧蚀状态的指标之一。建立了126 kV SF6断路器灭弧室内合闸预击穿过程电—流体耦合仿真模型，研究了触头劣化过程中合闸预击穿特性，并提出了预击穿时间带电检测方法。结果表明：合闸过程中场强最大点总是出现在静弧触头表面；灭弧室内SF6气体密度几乎保持不变；110 kV电压等级相电压下，触头预击穿电弧持续时间随烧蚀程度变化的试验值与仿真值吻合良好 ...
马飞越 +6 more
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杯状纵磁真空灭弧室开断能力与触头直径和触头开距关系的试验比对
Gaoya dianqi, 2006 对杯状纵磁真空灭弧室的极限电流开断能力与触头直径和触头开距间的关系I=k×D2×Bz0.4进行了试验验证。当触头直径分别为48,58,66mm时,触头开距设定为8,11,14mm,对9只真空灭弧室试品在振荡回路上进行极限开断能力试验;用三维有限元方法对9种情况下的纵向磁场进行了计算;将计算结果带入公式与试验结果及灭弧室开断能力标定值进行比较,考虑试验的误差,认为公式有参考意义。
刘志远 +5 more
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Gaoya dianqi真空断路器在投切背靠背电容器组时，合闸预击穿过程中的涌流电弧会严重烧蚀真空灭弧室触头表面，被破坏的触头表面会导致分闸过程中高重击穿概率问题。合闸过程中触头自身磁场会对涌流预击穿电弧特性产生影响，是决定重击穿概率的关键因素。文中旨在研究杯状横纵磁场结构对真空灭弧室容性投切过程中预击穿电弧特性的影响规律。文中分别采用杯状横磁和纵磁结构的真空灭弧室触头开展实验，真空灭弧室的触头直径为48 mm，采用透明玻璃绝缘外壳，内部没有屏蔽罩以便于观察预击穿电弧，实验中利用高速摄像机观察记录涌流预击穿电弧特性 ...
余勇祥, 肖辉, 田溢华, 钱伟
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[Removal of a fishbone foreign body from the root of the tongue using a translingual ventral approach: case report]. [PDF]
Hua Xi Kou Qiang Yi Xue Za ZhiLi C, Zhao S, Li Y, Han B, Zhang B.
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[Clinical application of dynamic visual acuity testing in patients with vestibular migraine]. [PDF]
Lin Chuang Er Bi Yan Hou Tou Jing Wai Ke Za ZhiShi H +8 more
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