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单芯电缆耦合电路等效模型及无功损耗影响因素研究

open access: yesGaoya dianqi, 2021
单芯电缆的结构参数和运行环境影响都会导致电缆的无功损耗变化。为了探究单芯电缆结构和运行环境对电缆无功损耗的影响,文中从电缆内部结构出发,建立了电缆等效电路模型。通过分析电缆内部无功损耗形式,研究了单芯电缆在特殊工况下的无功损耗变化情况。结果表明:单端接地电缆内部损耗以容性无功损耗为主;电缆电压等级越高时,输送一定功率的极限传输距离反而越短,并给出了66、110、220、330、500 kV电缆的极限传输距离;电缆内部进水后容性无功损耗会增大10%~30%,电压等级越高或者电缆截面积越大 ...
李瑞芳   +5 more
doaj  

考虑谐波损耗特性的干式平波电抗器热效应模拟与验证

open access: yesGaoya dianqi, 2021
为研究谐波电流损耗特性对特高压干式平波电抗器热效应的影响,文中分析了干式平波电抗器的损耗机理,提出了其包封绕组直流损耗、交流损耗及涡流损耗和结构件涡流损耗的计算方法。通过将电磁损耗密度添加至温度场作为热源,建立了电磁—热多物理场映射关系,较准确地模拟了对流换热过程并实现了温升计算,最后开展了干式平波电抗器温升试验。研究结果表明:采用考虑谐波损耗特性的计算方法,计算值与试验值最大误差为9.1%,平均误差为4.34%,温升分布规律吻合较好,满足工程精度要求,为工程设计人员提供了相应的理论依据。
李星汉, 李永建, 张长庚, 高冲
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换流变压器穿墙套管封堵的欧姆损耗影响因素分析

open access: yesDianci bileiqi, 2021
在大电流运行条件下,欧姆损耗是特高压换流变压器穿墙套管封堵发热的重要因素。基于有限元法建立套管与封堵挡板的计算模型,计算得出封堵挡板的欧姆损耗。通过改变内外挡板是否通过接地线相连、挡板厚度、磁导率、电阻率,挡板与套管接触类型,分析上述因素对封堵挡板欧姆损耗的影响。通过计算得出内外挡板是否通过接地线连接对挡板欧姆损耗影响很小,因此,可在计算模型中忽略接地线。随着挡板厚度的增加,挡板总的欧姆损耗大致呈现增长趋势,但平均欧姆损耗显著下降。在挡板厚度较小,相对磁导率小范围变化时,挡板的磁导率对欧姆损耗的影响较小。
陶瑞祥   +3 more
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International clinical practice recommendations on the definition, diagnosis, assessment, intervention, and psychosocial aspects of developmental coordination disorder – Chinese (Mandarin) translation

open access: yesDevelopmental Medicine &Child Neurology, Volume 61, Issue 3, Page E1-E35, March 2019., 2019
目的 本国际临床指南由欧洲残疾儿童学会(the European Academy of Childhood Disability,EACD)牵头制定,旨在解决发育性协调障碍(developmental coordination disorder,DCD)的定义、诊断、评估、干预以及与社会心理方面的临床应用关键问题。 方法 本指南针对五个领域的关键问题,通过文献综述和专家团队的正式讨论达成共识。为保证指南的循证基础,以“机制”、“评估”和“干预”为检索词, 对2012年更新以来提出的最新建议以及新增的“社会心理问题”和“青少年/成人”为检索词进行检索。根据牛津大学循证医学中心证据等级 (证据水平 [level of evidence, LOE]1–4) 将结果进行分类,最终转化为指南建议。并由国际 ...
Jing Hua   +6 more
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Finite Element Analysis for Maxwell's Eigenvalue Problems [PDF]

open access: yes, 2016
在微波工程中,波导和谐振腔都是十分重要的微波器件,这些微波器件广泛地用于 我们的现实生活中.在波导问题中,如果电磁波的频率给定,那么传播常数就是一个非常重要的物理参数.在谐振腔问题中,谐振频率是一个十分重要的物理参数.当波导横截面不规则或者填充有非均匀介质时,此时波导问题的解析解是很难找到的;当腔体的几何结构十分复杂或者填充有非均匀介质时,此时谐振腔问题的谐振频率的精确解也是很难找到的.但是我们往往需要知道这些微波工程器件的这些物理参数,所以通常采用数值方法去近似求解它们 ...
姜威
core  

Surface Sulfate Modification Promoted Excitons Extraction of BiOBr Nanosheets for Efficient 1O2 Photosynthesis and Chlorophenols Dechlorination

open access: yesRare Metals, EarlyView.
ABSTRACT Photocatalytic molecular oxygen (O2) activation provides a sustainable approach to produce singlet oxygen (1O2) for organic contaminants detoxification. However, the charge carriers‐involved pathway usually suffers from unsatisfactory 1O2 production efficiency owing to energy loss caused by photogenerated hole‐mediated superoxide species (•O2−
Yan‐Biao Shi   +8 more
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高压直流输电晶闸管换流阀损耗仿真计算方法研究

open access: yesGaoya dianqi, 2021
准确计算换流阀及其中各类元部件运行损耗,是进行换流阀及其阀冷系统设计的基础。文中在分析换流阀中主要损耗源基础上,建立了晶闸管、电抗器的高精度等效仿真模型,提出了换流阀损耗的仿真计算方法。以此为基础,计算了额定工况下锡盟站换流阀中各主要元部件损耗功率,并将总损耗计算结果与理论计算值及现场测试数据进行了对比分析。结果表明:仿真方法具有较高精度,可被用于换流阀总损耗计算,以及阀内各发热器件的功率计算。
娄彦涛, 袁妮, 刘琦
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Effects of metal film on transmission characteristics of single-dielectric-slab THz waveguide [PDF]

open access: yes, 2016
The effects of a symmetrical metal film on the transmission characteristics of TM mode in the thicker single-dielectric-slab THz waveguide is analyzed theoretically.
Hong Su, SU   +3 more
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Tantalum‐Driven Interfacial Reconstruction Enables Ultra‐Low Contact Resistance in TiAlTa/Au GaN HEMTs

open access: yesRare Metals, EarlyView.
ABSTRACT The transformative potential of gallium nitride high electron mobility transistors (GaN HEMTs) in advancing carbon‐neutral power systems remains bottlenecked by contact resistance (Rc) at the metal–semiconductor (M‐S) interface, a critical determinant of switching losses and frequency response.
Ji‐Zhou Zhang   +8 more
wiley   +1 more source

基于ANFIS评估MOV功率损耗

open access: yesDianci bileiqi, 2020
MOV静态下的功率损耗是影响其热稳定的重要因素,在考虑了老化因素对MOV功率损耗的影响后提出了老化程度变量并将其量化的新方法,并利用自适应模糊推理系统(ANFIS)将电压(V)、温度(T)、老化程度(AD)作为网络的输入,实验测量数据作为训练样本对MOV的功率损耗进行评估。研究表明:ANFIS可有效评估MOV的功率损耗,其最大相对误差为8.
牛春霞, 于忠江, 杨仲江
doaj  

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