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Epitaxial Growth, In Situ Doping and Optical and Electrical Properties of Ge on Si Substrates [PDF]
, 2012 硅基锗材料因其优异的光电性能，广泛应用于硅基光电集成和微电子等领域。硅基锗材料的生长及其相关器件的研制引起人们浓厚的兴趣。由于锗与硅的晶格失配度较大，在硅衬底上生长高质量锗材料仍然是一个挑战性的课题，需要引入缓冲层技术。而保持较好晶体质量下，提高原位掺杂锗材料中的掺杂浓度也是器件应用中亟待解决的课题。本论文采用低温缓冲层技术在UHV/CVD系统中生长出高质量硅基锗材料，较系统地研究了Ge的原位掺杂技术，并在此基础上研制出硅基GePN结和PIN结构。主要工作和研究成果如下： 1 ...
陈城钊
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±800 kV特高压直流输电工程直流穿墙套管设计缺陷及其改进方法
Gaoya dianqi, 2019 2011～2016年期间,运用在±800kV直流输电工程中的某类型直流穿墙套管先后6次发生故障,暴露出其在电气连接方面的一系列设计缺陷:均压罩等电位接触不良、表带触指接触电阻过大等。结合直流穿墙套管SF6分解产物超标、内部闪络、回路电阻超标、接头发热案例深入分析了直流穿墙套管故障的原因,总结了增加防松螺钉、等电位线、O型密封圈、接头镀银等改进措施,提出了增加等电位连接可靠性、保证通流裕度的直流穿墙套管设计建议,并提出重视SF6分解产物测试、增加回路电阻测试的运维建议。
张启浩, 吴德贯, 马正霖
doaj
Research on the Chip Process of Innovative High-Efficiency Multi-Junction Concentrator Solar Cells
, 2016 多结太阳能电池在各类光伏电池中具有最高的转化效率，因此成为太阳能电池发展的重要方向，广泛应用于空间电源与聚光光伏领域。新型多结太阳能电池的发展越来越需要对芯片结构进行改进。本文对新型多结太阳能电池芯片制程中的关键工艺进行了研究，主要取得以下成果： 1、 进行了多结太阳能电池在一定光照条件下的正面电池结构设计优化。 2、 建立了多结太阳能电池的光学模拟模型，以此为基础优化了中电池window层结构，提升了中电池的外量子效率。优化了减反射膜结构，实现了对子电池电流密度的精细调整 ...
刘冠洲
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Dianci bileiqi大容量换流变压器作为特高压输电工程中的关键设备，其安全运行直接关系到电力系统的可靠性。近年来，国内外发生多起由于电连接失效而导致的套管过热和放电故障，因此有必要对套管载流回路的失效机理开展研究分析。对典型电连接结构开展了振动失效试验，得到了2种典型电连接结构的荷载-位移曲线和接触电阻，基于此分析了2种电连接结构的机械性能和接触载流性能。研究发现：2种电连接结构均有结构刚度下降的现象；2种电连接结构的接触电阻在每个加载周期均呈现出相同的变化规律；试验结束后面面压接式 ...
李国友 +6 more
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Gaoya dianqi, 2016 开关柜过热直接影响设备的安全稳定运行,开关柜柜内铜排连接部位的接触电阻是引起过热的重要原因之一。为了降低接触电阻提高设备运行的安全性,文中在开关柜中采用了记忆合金垫片,通过测试记忆合金垫片回复力随温度变化的关系,对比研究了采用普通垫片和记忆合金垫片的连接部位温度升高对接触电阻的影响,试验研究了额定电流下采用两种垫片时开关柜内部的温升。研究发现记忆合金垫片在预应变约束下回复力随温度升高显著增大,在连接部位松动条件下,采用记忆合金垫片比普通垫片的接触电阻明显降低,温升下降36°C ...
殷立庚 +3 more
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Si( 100) 表面Se 薄膜生长及其在Ti /Si 欧姆接触中的应用 [PDF]
, 2011 National Basic Research Program of China [2007CB613404]; National Natural Science Foundation of China [61036003, 60837001]; Natural Science Foundation of Fujian Province of China [2008J0221]We have investigated the growth of thin selenium layer on Si ...
Chen Song-Yan +11 more
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Gaoya dianqi, 2013 550 kV高压隔离开关在实际运行中由于电阻损耗发热而温度升高,甚至会超过允许温升,而影响其工作性能。尤其是隔离开关的接触电阻,直接影响其热稳定性,严重时可能引起烧瓷粘连事故。为了保证高压隔离开关工作的安全性和稳定性,建立了三维有限元分析模型,计算了550 kV高压隔离开关的损耗,得到了电流分配情况。通过瞬态热分析,讨论了隔离开关在65 kA/3 s下的热稳定性,并且研究了接触电阻、接触面积及电流对动静触头接触点温升的影响。计算结果为产品试验提供了参考,分析方法为产品设计提供理论指导。
吴涛 +4 more
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Investigation of transparent Al-doped ZnO films for high performance GaN-based light emitting diodes [PDF]
, 2008 多晶的或无定形的透明导电氧化物(Transparentconductingoxides，简称TCOs)，由于其独特的光学和电学性能，成为近年来研究的热点。其中，铝掺杂氧化锌（Al-dopedZnO,简称AZO）因具有低电阻率和高可见光区透过率，成为主要的透明导电氧化物材料之一，加上其原材料丰富，价格低廉且无污染，在光电器件领域有望替代ITO成为最理想的透明导电材料。本文采用射频磁控溅射技术首次在室温下，以ZnO:Al2O3(98：2wt%)为靶材，在石英玻璃衬底上制备多晶AZO透明导电薄膜 ...
杨伟锋
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Gaoya dianqi换流变压器阀侧套管作为电力设备中的关键部件，其安全运行对电力系统的可靠性至关重要。为探究地震作用对换流变压器阀侧套管温度场的影响，文中建立了±800 kV换流变压器及套管体系的精细化有限元仿真分析模型，开展换流变阀侧套管地震响应分析，研究震后阀侧套管表带触指型电连接结构的残余变形与残余应力，基于电连接结构接触电阻计算公式计算接触电阻，分析震后阀侧套管的温度变化。结果表明：触指叶片在地震作用下产生残余变形，接触应力下降，接触电阻上升。由于表带触指的环形结构导致不同位置叶片的变形程度不一致 ...
刘玉安 +4 more
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Gaoya dianqi, 1995 按国标GB763—90规定,对开关设备的回路电阻的测量用直流降压法。目前的回路电阻测试仪,测量回路如图1。Rx为待测回路电阻,R为已知阻值的分流器,为了增加开关触头的有效接触面并使测量尽可能接近实际,主回路电流应不小于100A。在测得URx和UR之后 ...
张显基
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