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水电科技, 2022 继电器在电能表内起到通断电流的作用。在大电流状态下拉闸产生的电弧会严重灼伤继电器的触点，导致触点接触不良，在持续大电流时电能表发热严重，会引起短路、火灾等风险。文中提出了一种适用于单相智能电能表的可保护继电器触点的跳闸方法，该方法首先通过电压过零检测电路检测到电压过零点的时刻，然后从计量芯片读取电压、电流、有功功率、无功功率等参数计算出负载的功率因数，再由功率因数计算出电压和电流过零点的时间间隔，从而推导出电流过零点的时刻,可以在电流过零点时刻即线路中电能量最弱时进行拉闸操作 ...
Jing-Rong Tao +2 more
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Family Process, Volume 61, Issue 2, Page 571-590, June 2022., 2022 Abstract Several effective interventions have been developed for families with multiple problems (FMP), but knowledge is lacking as to which specific practice and program elements of these interventions deliver positive outcomes. The aim of this study is to assess the degree to which practice and program elements (contents of and structure in which ...
Loraine Visscher +7 more
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, 2015 研究了Ag的厚度、退火时间、沉积温度对于Ni/Ag/Ti/Au电极的反射率及与p-GaN欧姆接触性能的影响. 利用分光光度计测量反射率, 采用圆形传输线模型计算比接触电阻率. 结果表明: 随着Ag厚度的增加, Ni/Ag/Ti/Au电极的反射率逐渐增大; 在氧气氛围中, 随着退火时间从1 min增至10 min, 300 ℃退火时, 比接触电阻率持续下降, 而对于400-600 ℃退火, 比接触电阻率先减小后增大; 在300和400 ℃氧气中进行1-10 min 的退火后, Ni/Ag/Ti ...
Zheng-Hong Wei +9 more
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Developmental Medicine &Child Neurology, Volume 61, Issue 3, Page E1-E35, March 2019., 2019 目的 本国际临床指南由欧洲残疾儿童学会（the European Academy of Childhood Disability，EACD）牵头制定，旨在解决发育性协调障碍（developmental coordination disorder，DCD）的定义、诊断、评估、干预以及与社会心理方面的临床应用关键问题。 方法 本指南针对五个领域的关键问题，通过文献综述和专家团队的正式讨论达成共识。为保证指南的循证基础，以“机制”、“评估”和“干预”为检索词, 对2012年更新以来提出的最新建议以及新增的“社会心理问题”和“青少年/成人”为检索词进行检索。根据牛津大学循证医学中心证据等级 (证据水平 [level of evidence, LOE]1–4) 将结果进行分类，最终转化为指南建议。并由国际 ...
Jing Hua +6 more
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工程与管理科学低压开关柜是电力系统配电的核心设备，其触头接触电阻的稳定性直接影响到供电的安全性与可靠性。文章围绕低压开关柜触头接触电阻异常升高的原因开展分析，梳理了导致这一现象的诸多原因，并在此基础上，提出几点针对性的处理对策，给电力运维人员故障排查和保障设备稳定的运行提供更多参考。
Qing-Qing Shen, Yao-Jie Xu, Xiong-Jun Wu
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基于两步退火法提升Al/n + Ge欧姆接触及Ge n + /p结二极管性能
, 2019 锗(Ge)中高激活浓度、低扩散深度的n型掺杂是实现高性能Ge n-MOSFET的重要前提条件. 本文采用低温预退火与脉冲激光退火相结合的两步退火法, 结合磷离子注入, 制备Al/n+Ge的欧姆接触以及Ge n+/p结二极管. 通过电流-电压特性测试来研究Al/n+Ge的欧姆接触以及Ge n+/p结二极管的性能, 测试结果表明: 低温预退火可初步修复注入损伤, 并降低激光退火时杂质的扩散深度; 结合离子注入工艺和两步退火工艺, Al/n+Ge欧姆接触的比接触电阻率降至2.61 × 10–6 Ω·cm2 ...
Chen Wang +4 more
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基于FTO/VO2/FTO结构的VO2薄膜电压诱导相变光调制特性
, 2015 采用直流磁控溅射和后退火工艺在掺氟的SnO2(FTO)导电玻璃衬底上制备VO2薄膜, 研究了不同退火时间和不同比例的氮氧气氛对VO2薄膜性能的影响, 对VO2薄膜的结晶取向、表面形貌、表面元素的相对含量和透过率随波长变化进行了测试分析, 结果表明在最佳工艺条件下制备得到了组分相对单一的VO2薄膜. 基于FTO/VO2/FTO结构在VO2薄膜两侧的透明导电膜上施加电压并达到阈值电压时, 观察到了明显的电流突变.
Ru-Long Hao +11 more
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基于接触电阻模型的电缆接头复合材料界面温度及应力分布仿真研究
Gaoya dianqi, 2021 为研究接触电阻过大而导致的压接缺陷对电缆接头温度及应力分布的影响,文中基于等效电导率的接触电阻理论,采用有限元软件建立了220 kV高压电缆接头压接缺陷下的电磁—热—应力多物理场耦合仿真模型,研究了电缆接头压接缺陷工况下预制件内硅橡胶绝缘/高压半导电复合材料界面温度和热应力特性的变化规律,并对不同负荷电流I和接触系数k下的温度、应力数据进行多元函数拟合,得到相应的计算方法。结果表明:高压电缆接头存在压接缺陷(如接触系数k=6)工况下,其复合材料界面热应力畸变了4.32倍 ...
梁振, 彭杰, 胡军
doaj
项目工程长距离天然气输送系统中,压气站是核心动力节点。站内高功率压缩机组具备设备容 量大、启动冲击负荷高、需连续稳定运行的特征,对供电系统的电能质量与供电稳定 性要求较高。电压瞬时跌落是影响压气站机组运行平稳性、保障输气连续性的关键 电能质量问题,易触发机组变频器保护跳闸、设备停运,最终导致输气中断,直接制约 油气管道输送的安全性与稳定性。为提升压气站供电保障能力,本研究结合大功率机 组电气运行特性,分析电压暂降的产生机制与量化评估方法,构建标准化治理技术框 架 ...
永根 蔡 +4 more
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Rare Metals, Volume 45, Issue 9, September 2026.ABSTRACT Efficient hole injection at metal‐semiconductor interfaces remains a central challenge for high‐performance p‐type transistors based on two‐dimensional (2D) semiconductors. Although substantial efforts have been devoted to reducing Schottky barrier height through contact engineering, the barrier width is rarely addressed, thereby limiting ...
Zhe Zhang +7 more
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