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Dianci bileiqi, 2021 接地电阻主要包含接地体本体电阻、土壤电阻以及接地体与土壤之间的接触电阻,但目前接地电阻计算与接地网设计中常常忽略接触电阻的影响。为研究不同材料的接地体与土壤之间接触电阻的影响因素及影响规律,本研究提出了一种研究接地体和土壤接触电阻的测量评估方法,并建立了接地体与土壤接触电阻的试验平台,采用控制变量的实验方法从温度、湿度、土壤类型3个方面研究了接地体与土壤间的接触特性。研究表明:土壤在低温度、低湿度和土壤颗粒较大的环境中,不同材料与土壤的接触电阻都会增大,并且土壤环境变化引起土壤电阻率增大越高 ...
胡松江 +5 more
doaj
Gaoya dianqi, 2022 文中采用三维建模软件Solidworks及有限元软件Ansys对充入干燥空气的柱上开关进行了温度场仿真分析，研究不同接触电阻条件下柱上开关内温度分布规律。仿真结果表明，柱上开关接触点在正常接触电阻条件下温升均符合标准要求；真空灭弧室静触头与动触头接触点接触电阻增大1.56倍，隔离开关动触头与隔离开关静触头接触点接触电阻增大1.80倍，温升达到标准规定的限值。最后，进行了相应的温升试验，温度的仿真结果与试验结果相吻合。
陆德鹏 +4 more
doaj
Gaoya dianqi, 2022 采用机器人技术进行10 kV高压断路器电气试验可克服人工试验存在的问题，有效提高试验效率和质量水平。文中研究了电气试验机器人接线装置（含接线插头和线仓）关键技术，针对最为复杂的回路电阻测试项目，研究并设计了一种集电压与电流接触于一体的弹片式新型接线插头，使得机器人一次接线即可完成回路电阻测试；根据机器人负载能力，研究了插头接触弹片与断路器断口梅花触头触指的接触压力与接触电阻关系，设计了接线插头接触弹片，满足接触电阻的要求。研究并设计了由接线插头定位基座和平面涡簧收放线装置构成的线仓机构 ...
王俊波 +6 more
doaj
基于思维进化和L-M法优化BP神经网络的SF6断路器触头电寿命评估
Gaoya dianqi, 2023 文中分析35 kV SF6断路器一相触头的动态电阻曲线的特点，提取出主触头接触行程、主触头电阻平均值、弧触头接触行程、弧触头电阻平均值和主触头分离时刻动态电阻极大值5个特征参数，分析得到随着烧蚀程度加深，主触头接触行程和弧触头接触行程减小，主触头电阻平均值、弧触头电阻平均值和主触头分离时刻动态电阻极大值增大。提出电寿命指示参数描述触头状态，采用数值表示法，1表示电寿命完好，0表示电寿命完结。以5个特征参数为输入，电寿命指示参数为输出，基于BP神经网络建立电寿命评估模型 ...
马飞越 +7 more
doaj
Gaoya dianqi, 2021 以隔离开关关键零部件触头为研究对象,通过±60℃高低温试验平台,测试了±60℃环境温度下触头表面镀层特性、接触电阻等通流参数,建立数据统计理论模型,定性研究高低温对触头通流能力的影响。建立温度与触头镀银层磨损量和接触电阻的关系曲线,分析了触头镀银层和接触电阻随温度变化情况,研究了接触电阻增大的机理,并以此提出了减小磨损量的相关措施,为提高隔离开关通流能力的提升奠定理论基础。
李宏楼 +13 more
doaj
Study of Collection and Qualitative-Quantitative Method on Volatile Organic Compounds in Relay Material [PDF]
, 2015 继电器内绝缘塑料件、漆包线的绝缘漆层在使用过程中或高温工作环境下产生的过量挥发性有机化合物是影响继电器可靠性的最重要因素之一。本学位论文根据企业实际需求建立了继电器材料中挥发性有机化合物的采集与分析定量方法，取得了以下成果： (1)运用顶空加热-气相色谱-质谱(HS-GC-MS)仪器联用系统建立了继电器材料中挥发性有机化合物的采集与分析定量方法。优化并确定了顶空进样针的加热温度、顶空加热炉加热样品瓶的温度、顶空加热炉加热样品瓶的时间、顶空样品瓶盖的隔垫、塑料米和漆包线样品量等关键分析条件 ...
苏清兴
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Rare Metals, Volume 45, Issue 3, March 2026.ABSTRACT Proton exchange membrane fuel cells (PEMFCs) require advanced bipolar plate coatings to enhance efficiency, durability, and commercialization potential. This review presents a systematic framework for evaluating and designing bipolar plate coatings, integrating material selection, performance metrics, deposition techniques, and future ...
Shijie Li +12 more
wiley +1 more source
Research of Ge Junction Technology and Ge Lateral PIN Photodetector [PDF]
, 2015 锗材料因其具有比硅材料更高的载流子迁移率，在通信波段具有高的吸收系数，以及与主流硅工艺相兼容等优点，成为下一代高性能集成电路半导体MOSFET器件沟道的首选替代材料。经过十余年研发，当前Gep-MOSFET的性能已经取得实质性的进展，但相应Gen-MOSFET性能仍未取得突破，除了高k介质与Ge接触产生大量界面态外，还有以下两个原因：首先金属/n-Ge结界面强烈的费米能级钉扎效应和较高的接触势垒引入较大的器件串联电阻；其次Ge中n型杂质扩散严重，激活浓度低，不利于形成n+p浅结。因此，调制金属 ...
魏江镔
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Rare Metals, Volume 45, Issue 2, February 2026.ABSTRACT The transformative potential of gallium nitride high electron mobility transistors (GaN HEMTs) in advancing carbon‐neutral power systems remains bottlenecked by contact resistance (Rc) at the metal–semiconductor (M‐S) interface, a critical determinant of switching losses and frequency response.
Ji‐Zhou Zhang +8 more
wiley +1 more source
Study of ICP-induced In doping and the properties of GaN-based LED wafers and devices [PDF]
, 2015 GaN材料属于第三代半导体材料，具有宽的直接带隙以及优异的物理和化学性质，是制作发光器件和光伏器件的理想材料。在信息显示领域，GaN基高亮度蓝、绿发光二极管可以用于户外大屏幕全色显示以及交通信号灯等方面；在照明领域，GaN基白光LED可以用于背光源、路灯和景观照明以及通用照明等。GaN基器件的研究已经取得巨大进展，但是在器件的制备过程中仍存在一些问题，如GaN材料的p型欧姆接触问题则是限制GaN器件发展的主要因素之一。有两方面的原因阻碍低阻p-GaN欧姆接触的实现：一方面是难以生长高空穴浓度的p ...
曾勇平
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