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在实际的列车运行过程中压力载荷是以正弦形式波动变化,波动载荷对弓网系统中的接触电阻特性有重要影响。文中利用销盘式高速载流摩擦磨损实验机模拟弓网系统中的压力波动状态,研究了波动载荷、滑动速度和接触电流对动态接触电阻特性的影响,结合表面形貌对其变化规律产生的原因进行了分析。结果表明:载流滑动接触且压力波动频率一定时,动态接触电阻随压力波动幅度的增大先减小后增大;压力波动幅度一定时,动态接触电阻随压力波动频率的增大而缓慢增大;波动载荷条件下,动态接触电阻随滑动速度的增大而逐渐增大,随接触电流的增大而逐渐减小 ...
陈忠华 +4 more
doaj
Study of Reflector Electrodes of GaN-based Vertical-structure LEDs [PDF]
GaN作为一种宽禁带半导体材料有着优异的物理和化学性质,在混合不同比例的其他金属,如In或者Al后,其禁带宽度在0.7~6.2eV之间连续可调,并且均为直接带隙,对应的发光波长覆盖深紫外-可见-红外光范围。因此GaN被广泛用于制备如发光二极管(LightEmittingDiode,LED)和激光二极管(LaserDiode,LD)等半导体发光器件,其中LED作为一种体积小,能耗低,寿命长的新型照明光源,应用越来越广泛。传统的GaN基LED采用蓝宝石绝缘衬底,水平结构 ...
卜庆典
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Effect of pressing force on physical and electrical contact properties of silver-based contact materials [PDF]
Ag/SnO2, Ag/ZnO, Ag/Ni, and Ag/W silver-based contact materials were prepared by powder metallurgy method. The effects of pressing force on the physical and electrical contact properties of the different silver-based contact materials were systematically
CHEN Liangyu +5 more
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一、测定目的 高压开关导电系統各接触部分的温升值,是一个重要的技术数据。而温升值又和接触电阻的大小有直接关系。故在一定的接触压力下,测定用不同的材料和以不同的接触形式接触时的接触电阻值,是一項重要的工作。目前,有关鋁在这方面的資料較缺,因此,我們进行測定未絰和經过各种不同表面处理之铝板的接触电阻值。由于人力及时間的限制,这次只測定了在一定接触压力下未經和經过各种表面处理的鋁板之面接触电阻值。
刘廷良, 李荣先, 李谟中
doaj
回路电阻测试是高压断路器检修工作的重要环节,文中结合一起瓷柱式断路器回路电阻超标的实例进行分析。通过对断路器进行解体检查,发现灭弧室动、静触头接触部位正常,在接线座与法兰导电接触面存在积水与锈蚀现象。根据法兰结构建立了等效电路模型,计算分析了法兰导电接触面间积水、锈蚀等因素对断路器回路电阻的影响规律,研究发现法兰导电接触面间积水是导致回路电阻超标的一种原因,应用法兰结构的等效电路模型能够较好的解释断路器回路电阻测量结果。文中研究结果可为该类断路器回路电阻超标问题提供计算和分析支撑,具有一定的借鉴意义。
杨为 +4 more
doaj
插接式的气体绝缘母线(gas insulated bus,GIB)触头是大电流、非空气介质下的电接触理论在工程上的典型应用,触头通过导电杆与触指间的滑动接触来克服因导体热胀冷缩产生的热应力。设备长期运行过程中因导电杆滑动而产生的摩擦磨损直接影响触头的电接触性能。为揭示大电流、非空气介质下GIB触头的接触退化机理,文中首先对GIB触头接触模型进行简化,接着搭建了简化接触模型试样的载流摩擦试验平台,基于该平台开展了不同气体介质、接触压力和电流载荷下GIB触头试样的摩擦试验 ...
董哲, 秦靖舒, 彭辉, 关向雨
doaj
A Technology and Application of Fiber Temperature Sensor for High Voltage Circuit Breaker [PDF]
随着中国经济的高速发展,电网规模的日益庞大,高压断路器作为电力系统中必不可少的电气设备之一,其工作状态是否正常关乎整个电力系统能否安全高效地运行。为了避免高压断路器因电阻过大或其他故障引起的局部温度超过国家标准而引发停电、火灾等大规模事故,对高压断路器的温度进行实时监测是十分必要的。 针对10KV断路器在线温度监测难的问题,本文提出一种基于反射式强度调制的光纤温度传感系统。本温度传感系统具有非接触、抗电磁干扰能力强、安装便利、性能稳定等优点,此外,本文选用双金属片作为温度敏感元件,价格低廉 ...
单晓宇
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Research and progress of ohmic contact to p-type GaN [PDF]
【中文文摘】宽带隙的GaN作为半导体领域研究的热点之一,近年来发展得很快。p型GaN的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率GaN基器件的研制。本文讨论了金属化方案的选择、表面预处理和合金化处理等几个问题,回顾了近年来p型GaN欧姆接触的研究进展。 【英文文摘】The wide-bandgap GaN has been extensively investigated and developed rapidly in recent years.
刘宝林, 潘群峰
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接触电阻是衡量电接触系统可靠性的重要指标,接触电阻增大是导致隔离开关发热故障的主要原因。笔者结合GN30-10Q隔离开关的结构特点,研究该型号隔离开关运行时动静触头的受力情况;根据电接触理论,求解出该类型隔离开关接触电阻的工程计算值。计算结果真实可信,对处理隔离开关发热故障具有一定的指导意义。
刘生辉
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Study on Ohmic Contact of AZO/N--+-Si [PDF]
文章介绍了AzO/n+-SI欧姆接触特性的研究和AzO/n+-SI欧姆接触的制备新方法。实验发现AzO/n+-SI的退火温度和时间对其欧姆接触特性有很大的影响,在最优的退火温度和时间条件下,测得最小比接触电阻为7.32x10-4Ω.CM2。它满足多晶硅太阳能电池的要求,可用于高效率硅太阳能电池透明电极的制备。The fabrication method and electrical characteristics of AZO/N+-Si(polycrystalline silicon) contact
杨倩, 陈朝
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