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, 2005 文章描述了PD SOI器件的体接触失效过程,介绍了一种PD SOI器件一级近似体接触电阻计算方法;提出了一种实用的体接触电阻及其版图寄生参数的模型化方法.最后,应用体接触模型,设计了一个应用于0.8 μm PD SOI 128k SRAM的灵敏放大器 ...
尹雪松, 刘忠立, 姜凡
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Gaoya dianqi, 2010 采用近似分析方法推导出在水平接地网接地导体周围人工改善土壤后水平接地网的等效接地导体半径,结合已有的均匀土壤中水平接地网接地电阻及最大接触电压的计算公式,提出人工改善土壤后水平接地网接地电阻及最大接触电压的计算方法,并通过分析得出:人工改善土壤对降低接地网接地电阻的作用甚微,但能有效降低接地网的最大接触电压。
刘渝根 +3 more
doaj
, 2010 本发明公开了一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法，该方法是在沉积金属电极之前，利用氢等离子体处理ZnO薄膜的电极接触区域，然后在经氢等离子体处理的ZnO薄膜电极接触区域沉积双层金属电极，形成欧姆接触。由于氢等离子体处理导致氢扩散进入ZnO薄膜，提高了接触区域ZnO薄膜的载流子浓度，减小了接触区域ZnO薄膜的电阻率，从而可以显著降低ZnO薄膜和金属的接触电阻，改善其欧姆接触特性。此外，在MS技术中，由于溅射出的粒子具有较高能量，使得ZnO/Ti界面原子能充分混合，可以提高Ti/Au接触在ZnO薄膜上的粘附性 ...
范亚明 +5 more
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, 2009 在p-GaN上蒸发Ni/Au电极前,采用王水、HCl、缓冲HF进行前表面处理,O_2气氛下退火后,比较各电极样品的I-V特性和表面形貌.结果显示无表面处理时接触电阻最小,且溶剂处理后残留的电解质会影响电极的电流特性和稳定性.用俄歇电子能谱(AES)测试不同元素随深度分布情况,发现高温退火过程中NiO的形成有自动清洁p-GaN表面的作用,因此对于Ni基电极前表面处理不是必需的.再将样品用10%草酸溶液处理,其I-V特性显示接触电阻率明显下降;X射线光电子能谱(XPS ...
曹青, 颜廷静, 陈良惠, 林孟喆
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, 2005 本发明涉及毛细管电泳检测器，特别是一种可实现双检测响应同步的毛细管电泳荧光—非接触电导组合检测器，包括荧光检测系统及非接触电导检测系统，两个检测系统共用一个检测池；其中荧光检测系统包括激发光源、光纤、滤光片、光电转化器件及检测池，非接触电导检测系统包括激励源、管状电极、信号处理电路板及检测池；在检测器内部还固设有基座、其上设有限位槽，限位槽内开有光阑；光纤及检测池分别置于限位槽内，在限位槽内、检测池的两侧设有管状电极。本发明是将荧光检测器和非接触电导检测器集成在一起，共用一个检测池可实现响应同步 ...
杨丙成, 谭 峰, 关亚风
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Gaoya dianqi, 2015 为了准确测量并评估GIS导电连接件的电接触状态,针对基于超级电容器产生的千安级冲击电流测量导电连接件回路电阻的测试方法,提出依据回路电阻随测试电流增长的变化率大小来判断GIS触头电接触状态是否良好的评估判据。利用该方法对多种典型标准的GIS导电杆进行多触头串联验证试验以及GIS变电站现场验证试验。试验结果表明,基于千安级冲击电流的GIS电接触状态的评估方法具有可行性和有效性,比传统直流压降法更能反应导电连接件触头的电接触特性。
李雷 +5 more
doaj
, 1998 讨论了InP与金属接触时的电荷输运方式;给出了n型InP材料掺杂浓度为(1×10~(15) ～1×10~(17)) cm~(-3)时电子输运(以热电子发射为主)的数学表达式; 测量了国产InP单晶与一些金属的接触势垒;分析了“金属—n~+-InP”结构,得到了n~+区厚度和势垒高度间的关系。理论结果与实验符合,表明采用该结构 ...
徐建成, 陈定钦
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, 2015 本实用新型提供一种同步磁阻电机的转子，包括转子铁芯、转轴和连接件，所述转子铁芯套设在转轴上，转子铁芯由多个冲片轴向叠压而成，转子铁芯上以转轴的轴心为圆心按圆周方向均匀分布偶数个磁阻槽组，磁阻槽组内设置有填充介质，其中相邻的两个磁阻槽组之间形成一条q轴磁路，每个磁阻槽组均包括多层磁阻槽，每个磁阻槽组将转子铁芯分隔为多个铁芯层，相邻的两个铁芯层通过磁桥连接，磁桥位于磁阻槽的中部，沿转子的径向方向最外层的磁阻槽为不导磁凹形槽；冲片上还设置有定位连接孔，连接件插入定位连接孔，多个冲片通过连接件固定到一起 ...
李荣 +5 more
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, 1998 利用X射线衍射和AES(俄歇)方法，深入地研究了RF磁探溅射淀积的Pt-Ni/p-InP(100)非合金膜系在热退火过程中Pt和Ni与衬底InP中的In和P形成稳定化合物的行为，揭示了比接触电阻降低于3×10~(-6)Ω·cm ...
王玉田, 李秉臣, 庄岩
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Gaoya dianqi, 2015 高压断路器触头部位因电接触现象而产生的热量是热分析中的关键问题。然而,作为一种传统并常用的接触电阻模型,导电桥结构在模拟电接触时参数的准确获取存在一定困难,且不易使用在高压断路器复杂的多触指结构中,因此笔者提出了一种新的接触电阻建模处理方法。新方法不再建立类似于导电桥的宏观几何结构,而是将两侧接触面上的部分面积耦合在一起,使得电流仅可以从耦合面内流过,通过控制耦合面积值即可实现电流收缩效果,模拟出适当的接触电阻值。在此基础上,笔者通过仿真结果与实际值的对比及进一步研究,证明了接触面积耦合法的有效性 ...
纽春萍 +4 more
doaj