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Theoretical Study on Spin Injection in Silicon-based Semiconductor [PDF]
, 2017 自旋电子学器件由于其有较小的单元尺寸，更低的功耗和新兴的电荷—自旋集成功能，因此可能成为超越摩尔定律物理极限的下一代电子器件。在众多半导体中，在硅上实现自旋电子学具有特殊的意义，因为硅是半导体行业中最普遍应用的材料，而且成熟的硅技术可以大大促进自旋电子器件的生产和大规模应用。由于硅缺乏晶格反演对称性，因此具有较长的自旋寿命和扩散长度，以及弱的自旋轨道耦合和原子核超精细相互作用，故硅已经被认为是一种自旋电子学的理想载体。在过去的十年里，硅基自旋电子学已经取得了里程碑式的进展 ...
杨阳
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Research and Implementation of Relay Dynamic Resistance Detection System [PDF]
, 2012 继电器是自动控制系统、遥控遥测系统和通信系统中的关键元件之一，它广泛的应用于航空航天、电子、通信、交通以及日常生活的众多领域。在国民经济各领域内，尤其是在国家重点军事工程中占有重要的地位。它们的工作是否正常将直接影响到由该继电器组成的设备或产品的稳定性和可靠性，因此必须在出厂时对反应继电器性能的相关参数进行测试，来保证产品达到性能指标要求。随着科学技术的不断进步，继电器的测试方法也不断的更新改进。 本文以继电器触点动态电阻作为主要研究对象，对其特点进行了深入的探索 ...
廖乐平
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The Study of Band Engineering and Polarization-induced Doping in AlGaN-based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diode [PDF]
, 2016 Ⅲ族氮化物作为新一代半导体材料，具有宽直接带隙、高电子漂移率、高热导率、耐高温、抗腐蚀、抗辐射等优点，适合制作高频、高功率、耐高温和抗辐射的电子器件，比如AlGaN基紫外发光二极管。但是紫外发光二极管依然存在低量子效率、低光输出功率等问题，提高晶体质量和载流子注入效率是解决问题的两个主要思路。影响载流子注入效率的一个重要因素是内部极化场引起的能带弯曲，本文基于APSYS软件，主要围绕紫外LED的能带调控和极化诱导掺杂展开研究。 首先，本文回顾了紫外LED的发展历程，介绍了AlGaN半导体材料的结构和性质，
刘松青
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Gaoya dianqi, 2010 采用近似分析方法推导出在水平接地网接地导体周围人工改善土壤后水平接地网的等效接地导体半径,结合已有的均匀土壤中水平接地网接地电阻及最大接触电压的计算公式,提出人工改善土壤后水平接地网接地电阻及最大接触电压的计算方法,并通过分析得出:人工改善土壤对降低接地网接地电阻的作用甚微,但能有效降低接地网的最大接触电压。
刘渝根 +3 more
doaj
A Study on the Relation between Composition and Properties of High Ni Pd Ni Alloy [PDF]
, 1999 研究了在以Pd（nH3）Cl2、nISO4·6H2O和nH4Cl为基本组成的镀液中，nI2＋浓度对高镍的钯镍合金（nI含量＞10WT%）镀层组成、硬度、孔隙率、耐蚀性、接触电阻和可焊性等的影响。结果表明，在一定的工艺条件下，可以根据需要控制镀液中nI/Pd来获得不同含镍量的钯镍合金镀层，其含镍量40%左右的钯镍合金镀层具有较高的硬度、较少的孔隙、较好的耐蚀性及较低的接触电阻、合格的可焊性，因此在电子工业中可以代替硬金镀层。The effect of Ni concentration in the ...
周绍民, 姚士冰, 李凤凌
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Design and fabrication of Si-based Ge photodetector [PDF]
, 2014 Si基Ge材料因其优异的光电性能，被广泛应用于Si基光电集成和微电子等领域。Si基Ge长波长光电探测器成为Si基光电集成领域重要的研究课题之一。通过计算发现，少子扩散对探测器高频特性有着不可忽视的影响，而由于金属/n-Ge接触存在强烈的费米钉扎效应，在高频器件中引入大的势垒高度和接触电阻，也会严重制约Ge探测器性能的提高。因此，改进探测器的结构设计、提高金属与半导体接触的比接触电阻率从而减小探测器的串联电阻对提高Ge器件的性能具有重要的意义。 本文基于连续性方程对探测器的3-dB带宽进行了理论计算和讨论，
严光明
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Reduce Ohmic Contact Resistance to p-GaN Using InGaN/AlGaN Superlattice [PDF]
, 2009 提出用P-IngAn/AlgAn超晶格作为P-gAn的接触层来获得低阻欧姆接触。通过一维薛定谔方程和泊松方程的自洽求解,得到了在极化效应影响下的IngAn/AlgAn,IngAn/gAn和gAn/AlgAn三种超晶格中Mg杂质离化率的空间分布。计算发现IngAn/AlgAn超晶格具有最高的Mg杂质离化率及最佳的空穴局域作用。最后,利用P-IngAn/AlgAn超晶格实验上实现了比接触电阻率为7.27x10-5Ω.CM2的良好欧姆接触。In order to achieve a smaller Ohmic
刘宝林, 尹以安, 郑清洪, 黄瑾
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Gaoya dianqi, 2015 为了准确测量并评估GIS导电连接件的电接触状态,针对基于超级电容器产生的千安级冲击电流测量导电连接件回路电阻的测试方法,提出依据回路电阻随测试电流增长的变化率大小来判断GIS触头电接触状态是否良好的评估判据。利用该方法对多种典型标准的GIS导电杆进行多触头串联验证试验以及GIS变电站现场验证试验。试验结果表明,基于千安级冲击电流的GIS电接触状态的评估方法具有可行性和有效性,比传统直流压降法更能反应导电连接件触头的电接触特性。
李雷 +5 more
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Research of the theory and key technology for fabrication of the GaN-base bule violet laser diodes [PDF]
, 2008 宽禁带Ⅲ－Ⅴ族GaN基半导体材料在发光二极管、激光器、光电探测器以及高温、高频和大功率电子器件等方面有着诱人的应用前景和巨大的市场需求，是近年来光电子材料领域研究的热门课题。特别是发光波段在400～410nm的GaN基蓝紫光激光器是高密度光存储系统中最有希望的光源，因此制作蓝紫光短波长的激光器一直是人们研究的焦点，但GaN基激光器材料的生长和器件的制备方面还存在一些困难，特别是GaN基材料的P型掺杂、厚且无裂的AlGaN材料生长、高质量的P型GaN欧姆接触等 ...
尹以安
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基于两步退火法提升Al/n~+Ge欧姆接触及Ge n~+/p结二极管性能 [PDF]
, 2019 锗（Ge）中高激活浓度、低扩散深度的n型掺杂是实现高性能Ge n-MOSFET的重要前提条件.本文采用低温预退火与脉冲激光退火相结合的两步退火法,结合磷离子注入,制备Al/n+Ge的欧姆接触以及Ge n+/p结二极管.通过电流-电压特性测试来研究Al/n+Ge的欧姆接触以及Ge n+/p结二极管的性能,测试结果表明:低温预退火可初步修复注入损伤,并降低激光退火时杂质的扩散深度;结合离子注入工艺和两步退火工艺,Al/n+Ge欧姆接触的比接触电阻率降至2.61×10-6Ω·cm2,Ge n+/p结二极管在 ...
李成 +4 more
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