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, 1996 利用Ge/Pd/GaAs结构和快速热退火工艺在n-GaAS上形成低阻的欧姆接触.研究了比接触电阻率与退火的温度和时间关系,400～500℃之间退火的欧姆接触的比接触电阻率为～10~(-6)Ω·cm~2.接触层的表面光滑、界面平整.利用俄歇电子谱(AES)和二次离子质谱(SLMS ...
谢小龙 +4 more
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Dianci bileiqi, 2013 为确保风电场电气设备和工作人员人身安全,接地设计需要有合格的接地电阻值、接触电压和跨步电压值。在接地电阻满足安全值的情况下,如果接地设计不合理,地面上还是可能产生超过允许值的接触电压和跨步电压。降低接触和跨步电压的一般方法是增设水平接地网和在地表铺设高阻率土壤层,但风电机组所处自然环境特殊,受地形限制,不易过多扩大接地网面积。在不增加接地网总长度的情况下采用不等间距法布置地网导体,或者改变地基与接地网的相对位置可显著降低地表最大接触电压,提高地网安全水平 ...
宋景博 +4 more
doaj
, 2017 本发明提供的一种钝化接触太阳能电池，包括依次层叠的基底层、钝化隧穿层以及载流子选择层，其中，所述载流子选择层包括高功函数金属层或低功函数金属层，所述高功函数金属层的金属功函数大于等于5eV，所述低功函数金属层的金属功函数小于等于4eV。上述载流子选择钝化接触太阳能电池，叠层金属层由金属材料制备，结构简单；其中的载流子选择层金属材料调控功函数方式简单，制备高功函数层或低功函数层工艺简单，无需如制备磷掺杂、氮掺杂或硼掺杂的硅合金时需要的高温长时间处理过程，降低了工艺复杂度，扩宽了工艺窗口 ...
王丹 +5 more
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, 1995 研究了Ag/AuGeNi/n-GaSb在150℃─450℃下合金处理对欧姆接触的的影响,最佳合金温度为220℃,此时接触电阻率为6.7×10~(-4)Ωcm~2。用AES和XRD研究了金属半导体界面处的扩散及物相变化 ...
陶琨 +5 more
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Dianci bileiqi, 2017 针对高土壤电阻率地区变电站设备场区跨步电压和接触电压偏高的问题,基于接地分析软件CDEGS数值计算,对某110kV半户内式GIS变电站接地网进行了优化设计。通过仿真计算,提出在高土壤电阻率地区,GIS变电站水平接地网采用双层设计,并利用长垂直接地极降低变电站接地电阻,在GIS变电站接触电压偏高的区域加设帽沿式均压带以降低接触电压。通过对比加设帽沿式均压带前后接地网的接触电压和跨步电压,分析了帽沿式均压带的导体埋深、间距、长度及均压带形状等因素与均压效果的关系。通过分析计算 ...
律方成, 贾立莉, 王平
doaj
, 1995 本文对固─液接触问题提出宏观液面、宏观接触角和亚宏观液面、亚宏观接触角的概念，给出亚宏观接触角的近似公式；并指出，由于忽视了上述概念之间的区别，一种流行的接触角的分子理论所给出关于宏观接触角的定量公式并不正确；不过在内聚力与附着力成比例的条件下 ...
朱如曾
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Gaoya dianqi, 2019 文中介绍了动态电阻测量法在空气负荷开关机械性能评测中的应用研究。首先介绍了动态电阻测量法的发展历程及其在SF6断路器机械性能及电性能评估中的应用,然后介绍了动态电阻测量法的测量回路设计及开断试验流程,最后介绍了动态电阻3个阶段开断试验前后的试验数据及其分析,并成功诊断出了两类典型的负荷开关机械性能劣化情况。分析结果表明:当主触头表面磨损加剧时,其静接触电阻会上升;当弧触头存在虚接触时,其弧接触时间会明显区别于正常情况。
崔建 +5 more
doaj
, 2018 光伏科学界和工业界致力于简化器件结构和制造工艺的研发,以期通过技术创新带动生产成本的快速下降。与传统高温扩散掺杂技术相比,采用Mo O_x、PEDOT:PSS等高功函数空穴选择性传输层,及Ti O_x、Li F、Mg O_x、低功函数金属等电子选择性传输层,与晶硅基底通过界面能带匹配构建的异质结电池结构,具有低温制备、非掺杂、结构简单、接触钝化等潜在优势,受到广泛的重视。本报告将详细考察PEDOT:PSS/c-Si、Mo O_x/c-Si、c-Si/Ti O_x、c-Si/Mg ...
杨振海 +7 more
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一种低阻p-GaN欧姆接触电极制备方法，该方法包括：取一衬底，在衬底上生长一器件外延层；对器件外延层进行表面清洗；采用腐蚀剂将器件外延层表面的氧化物去除；光刻，将光刻板上的图形转移到器件外延层上；在器件外延层的表面生长透明电极层；剥离、退火，使透明电极层发生反应，在透明电极层的表面形成高阻层；将发生反应的透明电极层表面的高阻层去除 ...
颜庭静, 曹青, 陈良惠, 林孟喆
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, 2005 用LPCVD在si（111）上异质外延了n型3C-SiC，并在所外延的3C-SiC上蒸发Au／Ti，通过不同温度下的RTA（快速热退火）形成欧姆接触。用两种不同的传输线模型对Ti／3C-SiC欧姆接触的ρc（比接触电阻率）进行测量，在750℃退火后Ti／3C-SiC的ρc达到了最低值为3．68×10^-5Ω·cm^2这满足了应用的要求。AES分析结果还表明由于Ti的氧化 ...
刘忠立, 孙国胜, 尚也淳
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