Results 121 to 130 of about 32,507 (170)
, 2004 采用溶胶-凝胶工艺在普通玻璃表面制备铅离子非均匀掺杂的TiO2薄膜，运用AFM，XRD，UV-Vis研究了其光催化复合薄膜的表面特征；以光催化降解甲基橙溶液为模型反应，表征薄膜的光催化活性．结果表明：非均匀铅离子掺杂TiO2薄膜(PbDx)与均匀铅离子掺杂TiO2薄膜(PbTx)的最佳掺杂Pb／Ti摩尔比均为0．005，PbD0.005、PbT0.005的最佳降解表观速率常数分别为7．37×10^-3min^-1和5．95×10^-3min^-1，PbD0.005的表观降解速率常数是纯TiO2的2 ...
古国榜, 李新军, 于书平
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一种Co掺杂CaO稀磁半导体材料的制备方法,包括如下步骤：步骤1：将Ca(C2H3O2)2·4H2O和Co(C2H3O2)2·4H2O按比例充分混合并溶解于去离子水中,形成混合液；步骤2：将NaOH溶液缓慢滴入该混合液中,与混合液发生反应,形成沉淀产物；步骤3：从反应后的混合液中过滤出沉淀产物,将该沉淀产物用去离子水多次清洗；步骤4：将清洗后沉淀产物在干燥箱中烘干后进行研磨,得到前驱体粉末；步骤5：将前驱体粉末置于石英舟中,放入管式反应炉的中部 ...
李晋闽, 赵婧, 刘喆, 王军喜
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分子束外延生长的n型Al掺杂ZnS_(1-x)Te_x深中心研究
, 1998 应用电容-电压、光致荧光和深能级瞬态谱技术研究了分子束外延生长的n型Al掺杂ZnS_(1-x)Te_x外延层深中心。Al掺杂ZnS_(0.977)Te_(0.023)的光致荧光强度明显低于不掺杂的ZnS_(0.977)Te_(0.023),这表明一部分Al原子形成非辐射深中心。Al掺杂ZnS_(1-x)Te_x(x=0,0.017,0.04和0.046)的深能级瞬态傅里叶谱表明，Al引进导带下的0.21和0.39eV电子陷阱，Te除了作为材料合金的成分和等电子中心外，还涉及到一个电子陷阱的形成 ...
Sou I K +8 more
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[Research progress in material preparation and application of magnetism-enhanced in-tube solid-phase microextraction]. [PDF]
Se PuLuo YN +7 more
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, 2006 采用溶胶-凝胶(sol-gel)法制备Ni控制掺杂的InVO4可见光催化剂薄膜.通过X射线衍射分析、差热-热重分析确定InVO4晶体结构及合成工艺;采用UV-vis分光光度计测定了薄膜的光吸收特性;利用电化学工作站研究了薄膜的光电化学特性;并通过亚甲基蓝溶液在可见光照射下的催化降解脱色率来表征薄膜的催化活性.实验结果表明:InVO4的晶型转化温度约为500℃;InVO4的光吸收在可见光范围;光电流谱显示Ni底层控制掺杂InVO4的信号明显增强,催化活性明显增强,而均匀掺杂的光电流信号减弱,催化活性降低 ...
王建华 +3 more
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Dianci bileiqi采用两步烧结法制备稀土掺杂的氧化锌基非线性电阻，通过对其显微组织、相结构和电性能的分析，探讨不同含量的Sc2O3对氧化锌非线性电阻的影响。结果表明，两部烧结制备出的样品的致密度均高于97%。当Sc2O3掺杂量掺杂浓度为0.1%时ZnO非线性电阻的综合电性能最好，电位梯度为958 V/mm，非线性系数为61.2。因此，通过两步法烧结掺杂Sc2O3的ZnO非线性电阻可以获得均匀的显微结构和优异的电学性能。
石梦阳, 姜明, 徐东
doaj
[Advances in application of hydrogels for treatment of osteonecrosis of the femoral head]. [PDF]
Zhongguo Xiu Fu Chong Jian Wai Ke Za ZhiHan G, Li Q, Wang Q, Kang P.
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GSMBE 生长掺杂 Si 及GeSi/Si合金及其电学性质研究
, 1998 用气态源分子束外延法对Si及GeSi/Si合金进行了N、P型掺杂研究，结果表明，杂质在外延层中的掺入行为取决于生长过程中乙硅烷与相关掺杂气体的竞争吸附与脱附过程，所获得的N型及P型载流子浓度范围分别为1.5×10~(16)～4.0×10~(19)cm~(-3)及1.0×10~(17)～2.0×10~(19)cm~(-3),基于对n型Si外延材料中迁移率与杂质浓度、温度的关系，用Klaassen模型对实验结果进行拟合，分析了不同散射机制，特别是少数载流子电离散射对迁移率的影响。此外 ...
刘学锋 +6 more
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Dianci bileiqi采用传统的SnO2+CoO+Nb2O5+Cr2O3压敏电阻体系，深入研究了MgO掺杂对SnO2基压敏电阻综合电性能和微观形貌的影响。结果表明，当MgO掺杂量为0.5%(摩尔分数)可获得最佳的电性能，非线性系数为32，电压梯度为284.3 V/mm，漏电流为7.1 μA。这是因为Mg2+作为受主掺杂剂，提高了表面态密度，当MgO的掺杂量超过SnO2样品的溶解度极限时，在晶界处形成尖晶石，由于钉扎效应阻止了ZnO晶粒的生长，因此晶粒尺寸减小并形成更多晶界，有效提高了SnO2压敏电阻的综合电性能 ...
孙岩 +6 more
doaj
[Research progress on high performance liquid chromatography stationary phases based on mixed mode]. [PDF]
Se PuLi SJ, Li Z, Tang ZX, Lyu M, Wang LT.
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