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[Research progress of new multifunctional bone cement in bone tumor therapy]. [PDF]
Zhongguo Xiu Fu Chong Jian Wai Ke Za Zhi, 2023 Sun R, Li Y, Tian Y, Fan B.
europepmc +1 more source
, 2007 二氧化锡（SnO2）纳米结构已经在气敏传感器应用中展示了巨大的应用潜力。 探索SnO2 纳米结构的可控制备方法，阐明元素掺杂对其表面物理化学特性、灵敏度、选择性和热稳定性等的影响规律，将有助于获得更高性能的气敏传感材料。 本论文采用非模板水热法可控制备了纯相和掺杂SnO2 纳米结构，综合运用多种 现代分析方法研究了其微观结构、表面特性和热稳定性，采用传统烧结型传感器结构研究了其气敏性能。论文主要研究成果如下： 1．采用SnCl2 和NaOH 为主要原料通过水热法改变不同溶剂在温和条件下实现 ...
李月
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本发明公开了一种对III-V氮化物进行n型和p型掺杂的方法，在蓝宝石、SiC、GaN等衬底上外延生长的n型和p型III-V族氮化物，使用SiH4和/或Cp2Mg作为掺杂剂，使用交替供源气体的方式来实现n型和p型的有效掺杂。利用本发明，实现了利用Si和Mg对III-V氮化物进行n型和p型的有效掺杂，不但能够改善材料的晶体质量，降低材料的位错，而且能够提高III-V氮化物的n型和p型的掺杂效率和浓度。在提高了n型和p型III-V氮化物的掺杂效率和浓度之后 ...
李晋闽 +6 more
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, 2006 比较了掺Fe和非掺退火半绝缘(SI)InP材料中Fe杂质的分布,掺杂激活机理以及Fe原子与点缺陷的相互作用.原生掺Fe SI-InP中Fe的替位激活主要通过填隙-跳跃机制,但Fe原子易在位错周围聚集,与空位形成复合体缺陷,占据填隙位等,从而降低Fe的激活效率.在FeP2气氛下退火非掺InP获得的SI-InP材料中,Fe原子的激活主要通过扩散过程的"踢出-替位"机制.退火前材料中存在的In空位使Fe原子通过扩散充分占据In位,同时抑制了材料中深能级缺陷的形成.因此,这种SI-InP材料的Fe激活效率高 ...
王博 +5 more
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Dianci bileiqi, 2016 研究制备了掺杂稀土的高铝质电瓷,考察了不同稀土种类、不同掺杂量对电瓷抗弯强度的影响。结果表明,添加0.5%的氧化钇可使无釉和上釉电瓷抗弯强度均提高20%以上,同时降低烧结温度25℃左右,减少能耗,降低生产成本。还通过XRD、SEM等手段初步分析了掺杂稀土提高电瓷抗弯强度的原理。
吴文花 +4 more
doaj
, 2014 本发明涉及一种用LiAlH4和K2TiF6制备的催化剂掺杂的MgH2储氢材料的制备方法，该催化剂通过在氢压下机械球磨的方法制备而得，该材料通过机械球磨法制备而得，当催化剂掺杂量为1-20wt%时，该材料在300℃时5000s内放氢量达到了7.1wt%，在200℃时5000s内放氢量达到了5.2wt%。在300℃恒温将氢气脱出完全后，在200℃，2Mpa氢压下吸氢，第一次在5000s吸氢4.7wt%，从第二次到第五次循环基本保持在5000s吸氢4.3wt ...
徐芬 +5 more
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四川大学学报. 自然科学版, 2012 基于第一性原理的计算方法研究了N和S共掺杂的锐钛矿相TiO2的晶体结构、电子结构及光学性质.计算结果表明掺杂后晶格发生了变化,同时导带位置下移导致了TiO2的禁带宽度变小.N和S共掺杂使TiO2在紫外光区和可见光区有更强的光吸收特性.
吕兵 +3 more
doaj
[Recent advances in carbon dots-based chromatographic separation materials]. [PDF]
Se Pu, 2023 Chen J, Qiu HD.
europepmc +1 more source
, 2007 稀土掺杂二氧化硅（SiO2）胶体微球在光学、材料科学、生物学等领域具有广阔的应用前景。因此，制备和研究稀土掺杂SiO2胶体微球具有非常重要的科学和应用价值。利用单分散性SiO2胶体微球的自组装特性制备胶体光子晶体是制备三维光子晶体一种重要方法。本论文就SiO2胶体微球的制备、稀土掺杂和自组装等三个方面开展了研究工作。首先，采用两种制备方法（碱催化法和酸催化法）利用正硅酸乙酯的水解和缩聚反应研制了SiO2胶体微球，研究了焙烧过程中SiO2胶体微球微观结构的演化规律。详细给出了SiO2胶体微球的成核长大机制，
黄昌清
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四川大学学报. 自然科学版, 2006 PTC陶瓷的晶界特性对材料的电性能有重要影响,通过对Y,Mn掺杂钛酸钡陶瓷的电性能与晶界形态及元素分布关系的研究发现,施主掺杂量和Ca元素的掺杂量对晶粒的发育有一定影响;晶界对PTC性能有重大影响,杂乱的晶界不利于PTC效应,洁净的发育良好的窄晶界有利于PTC效应;能谱分析发现,陶瓷中不同部位的元素分布存在一定的规律.
莫文玲, 张庆军, 胡林彦, 沈毅
doaj