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Dianci bileiqi, 2010 在不同温度下测量了稀土氧化物Gd2O3、Ce2O3掺杂ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷的介电频谱,发现稀土氧化物的掺杂引起介电损耗显著增大。通过理论计算发现稀土氧化物掺杂后锌填隙和氧空位浓度显著增大,而耗尽层宽度明显减小。因此认为稀土氧化物引起施主性本征缺陷浓度的增大,导致Schottky势垒变薄,从而引起泄露电流的增大及非线性指数的下降。
成鹏飞, 李盛涛
doaj
Research on the electronic and chemical structure study of Zinc oxide/Silicon carbide heterojunction [PDF]
, 2016 氧化锌（ZnO）半导体材料由于禁带宽度大、激子能量高等诸多优点呈现出良好的紫外光电特性。然而由于电导率较低、载流子浓度不高、稳定性较差等原因，p型ZnO材料的制备仍然面临较大的挑战，直接影响了ZnO基器件的性能。因此寻找合适衬底制备高质量ZnO异质结具有重要的意义。而碳化硅（SiC）由于热稳定性高、化学性能稳定、热导率高、电子饱和和漂移速度快等特点，与ZnO的晶格失配度小（约5%），在SiC衬底上能够获得高质量的ZnO异质结且应用在光电器件上。 本论文研究不同生长方式下制备的ZnO ...
林南英
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Studies on Preparation and Properties of Lu3Al5O12: Ce3+, Er3+ Green Phosphors for White Light Emitting Diode [PDF]
, 2015 随着科学的进步，白光发光二极管（lightemittingdiode，简称LED）因其环保、节能、体积小、寿命长等优点被公认为第4代固体光源，广泛应用于屏幕显示、电子产品背光源和普通照明等领域。荧光粉转换法制备白光LED是一种成本低、综合性能好、易于实现的方法。目前，已商业化的白光LED是由蓝光氮化镓（GaN:In）芯片组合YAG:Ce3+黄色荧光粉所实现的，因其缺少红色成分致使显色指数不高。因此考虑用蓝光芯片配合红色和绿色荧光粉来得到需要的白光。为提高白光LED的显色指数和发光效率 ...
余艳平
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Dianci bileiqi, 2007 研究了在ZnO-Bi2O3-Sb2O3系ZnO电阻片中添加少量硼酸和掺杂0.2%～0.8%（摩尔分数）的氧化钇（Y2O3）,其显微结构和电性能的变化情况。结果表明,随Y2O3掺杂量的增加,ZnO压敏电阻片的电位梯度从210V/mm提高到422.5V/mm;当掺杂量为0.6%（摩尔分数）时,电性能达到最佳,即残压比最小,为1.12;漏电流最小,为353.0μA。掺杂Y2O3使ZnO晶粒周围除了形成Zn7Sb2O12尖晶石外,还形成了具有细微颗粒的含钇相（Zn-Sb-Y-O）和含铋相（Bi-Sb-O ...
黄彩清, 肖汉宁, 洪秀成, 成茵
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Dianci bileiqi, 2020 为了提高ZnO压敏电阻综合电气性能,采用单一变量法研究了Bi2O3、Co2O3和Ni2O3不同比例掺杂对ZnO压敏电阻微观结构、电气性能及冲击老化特性的影响。研究结果表明:随着Bi2O3掺杂含量的增加,ZnO压敏电阻晶粒尺寸增大,直流1 mA参考电压减小,非线性系数先增大后减小,泄漏电流先减小后增大;随着Co2O3掺杂含量的增加,ZnO压敏电阻晶粒尺寸几乎没有变化,但晶粒间尖晶石数量增加,使得直流1 mA参考电压增大,非线性系数增大,泄漏电流先减小后增大;随着Ni2O3掺杂含量的增加 ...
曹伟 +5 more
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Synthesis and Crystalline Phase Control of VO2 Powders [PDF]
, 2016 VO2是一种具有相变特性的热敏功能材料，半导体单斜晶相VO2(M)到金属导体相VO2(R)的可逆转变，导致红外透光率变化，在建筑、汽车等领域有应用前景。在具体应用中，粉体粒径过大或是相变温度过高限制了其应用的发展。因此，探索单斜晶相VO2(M)粉体的高效制备方法、晶相控制以及研究细化粒径和降低相变温度的影响因素，具有挑战性。 本论文采用了液相沉淀-煅烧法与湿化学-热分解法，制备了单一组分的单斜晶相VO2(M)粉体，实验以V2O5为原料，第一步通过添加盐酸肼和浓盐酸，制备VOCl2前驱体溶液 ...
黄敏
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Dianci bileiqi综述了近年来国内外稀土氧化物掺杂改性ZnO-Bi2O3（Zn-Bi）基压敏陶瓷的研究进展（2012年至2024年）。适量掺杂稀土氧化物可明显地减小Zn-Bi基压敏陶瓷的晶粒尺寸，并且使陶瓷晶粒尺寸大小分布均匀，提高陶瓷的致密度，可以有效地调控Zn-Bi基压敏陶瓷的综合性能和微观结构，可以显著地提高Zn-Bi基压敏陶瓷的电位梯度、降低漏电流密度、增大非线性系数等。掺杂1.2 mol% Y2O3的Zn-Bi基压敏陶瓷具有最好的综合电性能，电压梯度为2113 V/mm，非线性系数为184.6，漏电流密度为0 ...
陈映义 +4 more
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Fushe yanjiu yu fushe gongyi xuebao本研究采用γ辐射诱导合成方法制备了氧化锌（ZnO）及金属掺杂ZnO（M-ZnO，M=Mg/Li/Al/Ga/Ni/Fe）纳米材料，用于提升光电器件电子传输层（ETL）性能。通过60Co辐照装置（剂量率6.25 kGy/h）对前驱体溶液进行40~200 kGy辐照，实现了低温高效结晶。X射线衍射与扫描电子显微镜表征表明，150 kGy吸收剂量下ZnO晶粒尺寸与结晶度最优，形成长棒状结构，紫外吸收光谱显示带隙为3.03 eV。掺杂元素调控实验发现，Ni/Al/Ga可增强荧光强度（400~450 nm ...
靳 笑天 +5 more
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Study of P2-Type Layered Oxides and Mixed-Type Phosphates as Cathode Materials for Sodium Ion Batteries [PDF]
, 2015 随着储能需求的不断增长，钠离子电池作为一类有潜力的廉价能源储存体系开始受到越来越大的关注。为了使钠离子电池在能量密度上具有更强的竞争力，就必须发展具有较高电压的正极材料。正极材料主要可以分为两大类，即氧化物型和聚阴离子型。其中，P2型层状Na-Ni-Mn-O体系和混合聚阴离子型Na4Fe3(PO4)2(P2O7)体系分别在两大类材料中具有相对较高的放电电压。然而，若要使这两类材料体系发挥出较好的电化学性能，仍有许多问题亟待解决。P2型Na-Ni-Mn ...
吴学航
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稀土氧化物对ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷晶粒分布及电气性能的影响
Dianci bileiqi, 2008 研究了稀土氧化物Ce2O3、Gd2O3、La2O3、Y2O3对ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷晶粒尺寸和电气性能的影响,结果表明,稀土氧化物可有效地抑制ZnO晶粒的生长,掺杂Ce2O3、Gd2O3、La2O3、Y2O3后,晶粒的主要分布分别为0～18μm、0～14μm、0～11μm、0～16μm;平均晶粒尺寸下降,其中掺杂Gd2O3后晶粒尺寸最小,为6.2μm。ZnO晶粒分布的标准方差明显下降,改善了晶粒尺寸分布的均匀性。掺杂稀土氧化物后,电位梯度显著提高,E1mA达到了427.5V/mm ...
李盛涛, 成鹏飞, 王玉平, 朱斌
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