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Dianci bileiqi, 2010 研究添加不同的减缓老化作用的元素及化合物,以改善ZnO压敏电阻片长期带电的老化特性。经过添加GF-06银玻璃、氧化硼、PM-10硼玻璃等不同形态的材料,在同样的ZnO压敏电阻的制作工艺下进行混合、造粒、成形、烧成形成直径为53 mm的电阻片,测试了小电流特性、大电流特性及115℃下1 000 h的加速老化试验。试验结果表明,微量的Ag2O玻璃和B2O3玻璃有利于提高ZnO-Bi2O3系压敏电阻片的老化寿命;同时B2O3还有助于改善ZnO电阻片的大电流下的非线性。
王玉平, 彭敏, 徐素萍, 王李瑛
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Dianci bileiqi, 2021 为改善ZnO电阻片综合电气性能,尝试一种马来酸酐及聚氧丙烯烷基醚作为结构单元的共聚物做分散剂,考察了其对料浆分散性、压敏电阻显微结构与综合电气性能的影响。结果表明:分散剂用量为0.4 wt%时,总浆料的粘度较小,Zeta电位绝对值最高,得到的氧化锌瓷体的针孔率最小,ZnO高梯度氧化锌电阻片综合性能最佳,其电位梯度为336 V/mm,漏电流1μA,非线性系数达到55.9,压比为1.667,2 ms方波电流测试中能够承受18次300 A脉冲电流的冲击。
阮雪君 +7 more
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Dianci bileiqi, 2005 通过掺杂氧化镍、氧化钇,对改善ZnO压敏电阻片电气特性进行了系统研究;分析和讨论了电阻片的电位梯度E、泄漏电流IL、压比Ki、方波、大电流冲击所引起的变化以及老化试验等;掺杂后,不仅提高了电阻片的电位梯度,同时还提高了其能量吸收能力;特别是钇掺杂处于晶界上,抑制晶粒长大,使晶界电压降低,大约为2.2V,是传统电阻片晶界电压的70%。研究获得了电位梯度达260V/mm,方波为800A,能量吸收能力达到300J/cm3的直径为56mm、厚度为9mm的ZnO压敏电阻片。
王玉平, 马军
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Dianci bileiqi, 2003 ZnO电阻片的电位梯度以单位厚度的压敏电压U1mA/mm来评价,目前传统生产的ZnO电阻片的电位梯度约为200V/mm左右,介绍了采用新配方、新工艺来提高ZnO电阻片的电位梯度,使电阻片的电位梯度提高到290V/mm以上,并使电阻片的其它电气性能有所提高或保持原有的较好水平,通过大量的配方试验和制作工艺的优化选择,已获得比较理想的实验结果。
姚政, 翟维琴
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Dianci bileiqi, 2020 ZnO压敏电阻的老化主要由施加电压及温度因素造成,为研究其在工作电压下的热电特性,利用建立的压敏电阻交、直流老化试验平台,开展了热电应力下压敏电阻温度特性、荷电率特性及直流老化特性的试验研究。结果表明:1)直流电压荷电率（电压与压敏电压的比值）在85%～92%区间,泄漏电流和功耗随荷电率增大有下降趋势,而交流电压下两参数随荷电率的增加而增加; 2)直流老化试验中,在97%荷电率和145℃温度下,10K250压敏电阻的泄漏电流经历了快速下降、缓慢上升、激增3个阶段。泄漏电流的剧增点（增长到初始值的900%）
孙伟 +4 more
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Dianci bileiqi, 1992 通过实验数据和扫描电镜照片说明,压敏电阻的压敏电压下降、漏流增大的原因是ZnO瓷体吸湿而ZnO瓷体吸湿是由于具有过多的显气孔,本文从理论上探讨这一现象.
胡永坚, 周爱国
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Gaoya dianqi, 2009 为了研制性能优异的特高压避雷器,笔者对实际所需ZnO压敏电阻的电压梯度是否存在限值进行了研究,并结合特高压避雷器的实际应用需求,详细讨论了ZnO压敏电阻的电压梯度限值的相关问题。研究表明,对适用于特高压避雷器的ZnO阀片,其电压梯度不仅受到特高压避雷器绝缘间距、通流容量等外在因素的限制,同时也受到ZnO阀片能量吸收密度的限制。在现有生产制造能力的条件下,特高压避雷器采用ZnO阀片的电压梯度越高,阀片所必须达到的能量吸收密度也越高。笔者通过理论分析与计算得出 ...
胡军, 何金良, 刘俊, 龙望成
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Dianci bileiqi本研究探讨了采用分段压制技术，制备具有一定梯度结构的ZnO压敏电阻，旨在通过优化分段配方比例，调节电阻片在厚度方向上的显微结构，提高电阻片的抗大电流冲击能力。通过扫描电子显微镜观察了ZnO晶粒尺寸在外段和中段的分布，通过压敏电阻测试仪和冲击电流发生器分别测试了电阻片的压敏电压、非线性系数与10kA 8/20μs雷电波残压比、2ms方波电流通流能力和4/10μs最大冲击电流。实验结果表明，通过优化晶粒尺寸和能量分布，优化后的工艺不仅保持了良好的压敏电压和非线性系数，电阻片的整体性能得到了显著提升 ...
董建洪
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Dianci bileiqi, 2009 综述了近年来稀土掺杂氧化锌压敏瓷中的研究进展。掺杂稀土氧化物可明显的减小ZnO晶粒尺寸,使晶粒尺寸分布均匀;其中掺杂Y2O3可使ZnO-Bi2O3系压敏瓷晶粒尺寸由11.3μm降到5.4μm,掺杂Er2O3使晶粒尺寸由1.60μm减小到1.06μm。显著提高了ZnO压敏瓷的电位梯度、降低了漏电流。其中在ZnO-Bi2O3系压敏瓷中掺杂Y2O3,可获得电位梯度约为270 V/mm、漏电流为3μA、压比为1.66的电阻片,在ZnO-PrA6O11系压敏瓷中掺杂Er2O3,电位梯度可提高到416.3 V/mm,
巫欣欣 +4 more
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[Microfluidic strategies for separation and analysis of circulating exosomes]. [PDF]
Se Pu, 2021 Chen W, Gan Z, Qin J.
europepmc +1 more source