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Dianci bileiqi, 2004 通过对化学合成法进行改进以适应ZnO压敏电阻片复合添加剂制备的需要,针对化学合成法的不足,提出了解决技术籽晶分布包膜技术,通过控制籽晶、沉淀剂、分散剂、pH值、化学反应进程和温度等因素,获得离子级均匀混合的ZnO压敏电阻片复合添加剂复合粉体前驱体,为进一步获得高性能ZnO压敏电阻片打下了坚实的基础。
王玉平, 李盛涛
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Dianci bileiqi, 2005 通过掺杂氧化镍、氧化钇,对改善ZnO压敏电阻片电气特性进行了系统研究;分析和讨论了电阻片的电位梯度E、泄漏电流IL、压比Ki、方波、大电流冲击所引起的变化以及老化试验等;掺杂后,不仅提高了电阻片的电位梯度,同时还提高了其能量吸收能力;特别是钇掺杂处于晶界上,抑制晶粒长大,使晶界电压降低,大约为2.2V,是传统电阻片晶界电压的70%。研究获得了电位梯度达260V/mm,方波为800A,能量吸收能力达到300J/cm3的直径为56mm、厚度为9mm的ZnO压敏电阻片。
王玉平, 马军
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Dianci bileiqi, 2003 ZnO电阻片的电位梯度以单位厚度的压敏电压U1mA/mm来评价,目前传统生产的ZnO电阻片的电位梯度约为200V/mm左右,介绍了采用新配方、新工艺来提高ZnO电阻片的电位梯度,使电阻片的电位梯度提高到290V/mm以上,并使电阻片的其它电气性能有所提高或保持原有的较好水平,通过大量的配方试验和制作工艺的优化选择,已获得比较理想的实验结果。
姚政, 翟维琴
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Dianci bileiqi, 1987 薄片ZnO压敏电阻试样始终是在远低于同一配方的厚片压敏电阻闪络所需场强和能量时会发生沿面放电。作者研究了一些薄片压敏电阻试样以及与上述非正常现象有关的几个主要因素。这些因素是:电极与试样接触的牢固性,电极形状以及电阻片表面处理状况。结论指出,沿面放电现象直接与电极表面加工状况有关。研究不同表面处理方法的试样结果说明,试样的微观特性和微观表面特性对放电性能都有影响。
D.A.Torrey, 熊泰昌
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, 1998 采用Ｃｏ、Ｍｎ、Ａｌ等元素液相掺杂，制得了高能和高压ＺｎＯ压敏电阻器，通过与氧化物掺杂制得的电阻进行比较，结果表明，掺同样含量Ｃｏ时，液相掺杂的高能压敏电阻器大电流区的Ｉ－Ｖ曲线上翘，将Ｃｏ的含量减半，得到了性能全面优于氧化物掺杂的高能压敏电阻器。在高压ＺｎＯ压敏电阻器配方中，采用Ａｌ液相掺杂 ...
黄淑兰 +3 more
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侧面有机绝缘保护材料及绝缘层形状对ZnO压敏电阻片脉冲闪络特性的影响
Dianci bileiqi, 1997 研究了侧面有机绝缘保护材料涂覆厚度和绝缘层形状对ZnO压敏电阻片脉冲闪络特性的影响，研究结果表明，增大绝缘保护层厚度，尤其是端部绝缘层厚度，可以有效地提高ZnO压敏电阻片的沿面脉冲闪络电压和电流。聚酯改性有机硅树脂B的绝缘保护效果优于聚酯型聚氨酯漆A。
李盛涛, 李博, 刘辅宜
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Dianci bileiqi, 2020 ZnO压敏电阻的老化主要由施加电压及温度因素造成,为研究其在工作电压下的热电特性,利用建立的压敏电阻交、直流老化试验平台,开展了热电应力下压敏电阻温度特性、荷电率特性及直流老化特性的试验研究。结果表明:1)直流电压荷电率（电压与压敏电压的比值）在85%～92%区间,泄漏电流和功耗随荷电率增大有下降趋势,而交流电压下两参数随荷电率的增加而增加; 2)直流老化试验中,在97%荷电率和145℃温度下,10K250压敏电阻的泄漏电流经历了快速下降、缓慢上升、激增3个阶段。泄漏电流的剧增点（增长到初始值的900%）
孙伟 +4 more
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, 1998 本文采用化学共沉淀法制备了颗粒细、活性好的ZnO压敏电阻粉体，表征了粉体的性能．利用共沉淀粉体制备了α＝50、压敏电压高、通流能力大的压敏电阻．与传统氧化物机械混合粉体制得的压敏电阻比较 ...
凌远兵 +3 more
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Dianci bileiqi, 1992 通过实验数据和扫描电镜照片说明,压敏电阻的压敏电压下降、漏流增大的原因是ZnO瓷体吸湿而ZnO瓷体吸湿是由于具有过多的显气孔,本文从理论上探讨这一现象.
胡永坚, 周爱国
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, 1997 做 对压敏电阻主原料ZnO粉的特性、添加剂粉料的掺杂方法和化学共沉淀制备ZnO压敏电阻粉体进行了研究。 利用SEM、TEM、红外吸收谱、比表面积和粒度分布测定表征了所制备的球状、棒状和不同颗粒大小的ZnO粉。压敏电阻研究表明,颗粒细的球状ZnO粉有利于获得微结构均匀的压敏电阻。 对添加剂采用溶液形式进行了有选择的定量掺杂研究,结果表明,对晶粒固溶添加剂采用溶液形式掺杂,可以使它们更有效地固溶入ZnO晶粒中,获得的压敏电阻小电流区的电气性能优异,且电压温度系数表现为正值。所有添加剂采用溶液形式掺杂 ...
袁方利
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