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, 2010 本发明公开了一种氧化锌压敏电阻材料，由如下原料制成：ZnO、Bi2O3、Sb2O3、Co2O3、Cr2O3、MnCO3、NiO、Al2O3和硼的氧化物；其中，硼的氧化物以B2O3换算计与ZnO的重量比为2.1～20∶100；ZnO、Bi2O3、Sb2O3、Co2O3、Cr2O3、MnCO3、NiO和Al2O3中各原料的摩尔百分比组成为：90.5％～96.5％ZnO、0.3％～5％Bi2O3、0.1％～3％Sb2O3、0.1％～2％Co2O3、0.1％～1％Cr2O3、0.2％～2％MnCO3、0.1 ...
崔平 +4 more
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一种低温烧结的ZnO-Bi2O3-B2O3系压敏电阻材料及其制备方法
, 2011 本发明公开了一种低温烧结的ZnO-Bi2O3-B2O3系压敏电阻材料，由如下原料制成：ZnO、Bi2O3、TiO2、Co2O3、Cr2O3、MnCO3、NiO、Al2O3和硼的氧化物；相对于100重量份ZnO，所述的硼的氧化物的添加量以B2O3换算计为2.2～20重量份。该材料不含Sb2O3，烧结温度较低，电压敏综合性能优良。本发明还公开了该材料的制备方法 ...
崔平 +4 more
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, 2010 本发明公开了一种高电压梯度氧化锌电阻片的配方及制备方法。本发明氧化锌电阻片的配方合理优选了氧化锌电阻片的组分与含量，利用该配方制备得到的氧化锌电阻片具有高达350～600V/mm的高电压梯度，同时在该高电压梯度下，氧化锌电阻片能够保持良好的非线性特性、电性能以及耐老化特性，以满足实际应用中对电子元件，如避雷器小型化的要求。本发明氧化锌电阻片的制备方法使氧化锌电阻片中的副成分和微量成分粒度细小匹配并且混合均匀、降低杂质混入量、同时由于在烧结过程中增加了低温保温过程而使氧化锌电阻片形成稳定的晶界结构 ...
陈越 +9 more
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, 2012 表面摩阻是影响高超声速飞行器性能的重要因素，在高超声速飞行时摩阻可达总阻力的30~50%。本文针对高超声速激波风洞摩阻测量开展了新技术方案以及可行性相关研究。利用压电材料仅对单向力敏感的特性，提出了适用于脉冲风洞的摩阻直接测量传感器方案，通过晶体叠加技术提高了传感器灵敏度。研制了适用于激波风洞的压电摩阻测量系统并进行了标定，实验表明测量系统具有良好的性能。在激波风洞中开展了模型实验。结合数值补偿方法，获得了摩阻实验数据，与CFD 计算结果的对比 ...
李静美 +4 more
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, 2016 本实用新型涉及基于压阻效应的柔性阵列压力测量传感器，包括顺序连接的行控制电路、触元传感单元、列控制电路、同向放大电路、滤波电路、微控制电路和数据通信端口，以及与触元传感单元连接的等电势屏蔽电路；所述行控制电路、等电势屏蔽电路、列控制电路与微控制电路连接。本实用新型以敏感单元行列分布方案为基础，实现了密度22点/cm2二维平面分布力的测量，解决了当前国内外压力测量传感器密度较低 ...
贺凯 +4 more
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Shock calibration of piezoresistive high-g_n microaccelerometer
, 2003 采用体硅微机械加工技术和扩散技术，制作压阻式高量程微加速度计，设计量程为50000 g_n。芯片材料为单晶硅，采用双列扁平陶瓷封装。为了测量其动态灵敏度，使用Hopkinson杆在约40000 g_n的加速度水平下进行了冲击校准。在电桥电压为6.33V的情况下，被测微加速度计的灵敏度为1.26 μV ...
陆德仁 +4 more
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, 1984 基于快放电(毫微秒)XeCl激光器电极两端电压和电流的精确测量和计算机分析,给出高气压(3—8大气压力)激光放电等离子体的动态阻抗特性。在几毫微秒内,阻抗降到欧姆量级。研究了放电峰值电流和平均阻抗与充电电压和气体压力的关系。结果显示 ...
刘达伟
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, 2007 The solution coating route，by coating ZnO powder with a mixed solution of dopants，was developed for preparing a high performance low voltage ZnO varistor and compared with the conventional mixed-oxide route．The microstructure observations and electrical ...
李志祥 +6 more
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, 2009 设计了一种用于驱动电路和模数转换器的片上电流源,该结构利用带隙基准的方法产生了一个与温度无关的参考电平,同时为了满足高电源抑制的要求,电流源中采用了运算放大器的负反馈环路来抑制电源到输出的增益,从而使输出电平与电源电压无关,然后通过电阻把电压转化为电流.该电路在0.35,μm、3.3 V的工艺下实现,芯片面积为0.03 mm~2.仿真和测试结果表明,该电流源的温度系数为8.7×10~(-6)/℃,在2.6～4 V的电源电压下均能正常工作 ...
朱从义, 张耀辉, 石寅
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, 2007 研究了Ti02掺杂浓度对SnO2-Bi2O3-Nb2O5-Sb2O3-MnO基压敏陶瓷非线性特性的影响。利用X射线衍射(XRD)与扫描电镜对相组成和微结构的分析表明：Ti02的添加没有新的相生成。随着Ti02含量的增加，密度与晶粒尺寸均明显减小，压敏电压(EB)以及非线性系数（α)随TiO2掺杂量的增加而增加。当掺杂浓度为3％，烧结温度为1250℃时样品具有最高的压敏电压(Ea=1169 V/mm)和非线性系数(α=56)
李志祥 +7 more
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