Results 1 to 10 of about 307,281 (109)
[Microfluidic strategies for separation and analysis of circulating exosomes]. [PDF]
Se Pu, 2021 Chen W, Gan Z, Qin J.
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低压ZnO压敏电阻大电流冲击老化后晶界电容随时间变化特性的分析
Dianci bileiqi, 2015 针对ZnO压敏电阻承受冲击老化后晶界电容随时间变化的问题,基于Block-Model（砖块模型）对影响ZnO压敏电阻晶界电容的参数进行相应分析。通过对压敏电阻样品进行不同次数的8/20波形大电流冲击试验,发现ZnO压敏电阻的晶界电容在冲击后随着时间的增长呈现出先降低后增长的趋势;当冲击次数较少时晶界电容有所降低,而冲击次数较多时晶界电容有所增加,研究表明:晶界电容的变化是由中电场区域生成的深能级施主复合和界面态俘获电子释放过程导致的。
周宇, 冯民学, 陈璞阳
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[Application of non-stationary phase separation hyphenated with inductively coupled plasma mass spectrometry in the analysis of trace metal-containing nanoparticles in the environment]. [PDF]
Se Pu, 2021 Jiang H +8 more
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Dianci bileiqi, 1996 发现并研究了电极半径ｒ与瓷体半径Ｒ之比ｒ／Ｒ对ＺｎＯ压敏电阻片耐受２ｍｓ方波电流冲击能力的作用规律．利用平面电阻网络和立体氧化锌压敏电阻器网络，实验模拟了ｒ／Ｒ对电极边缘电流密度分布的作用规律，研究结果表明增大ｒ／Ｒ能使电流密度均匀化，因而能增强ＺｎＯ压敏电阻片的通流能力。
李盛涛, 刘辅宜, 李博
doaj
[Recent advance of new sample preparation materials in the analysis and detection of environmental pollutants]. [PDF]
Se Pu, 2021 Feng J +8 more
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Dianci bileiqi通过化学沉淀法制备得到ZnO压敏电阻样品并分析研究了样品的显微结构特性、宏观电学参量和介电响应特性，包括阻抗谱和介电损耗谱。采用XRD和SEM观测分析了ZnO压敏电阻的物相组成和微观结构。电学参数测试结果表明，当化学沉淀法的醇水比为2∶1时，ZnO压敏电阻表现出的各项电性能均比较好：电压梯度为584.01 V/mm，非线性系数为73.43，泄漏电流为0.13 μA/cm2。该结果表明化学沉淀法可以作为制造高性能ZnO压敏电阻的有效途径。另外，通过介电谱的测试结果可以看出 ...
董曼玲 +6 more
doaj
Dianci bileiqi, 2013 从组织结构、压敏机理、制备技术和稀土掺杂作用这4个部分详细综述了各种稀土氧化物在ZnO-Pr6O11基压敏电阻中的掺杂影响并解释了它们的作用机理,阐明稀土氧化物掺杂仍然是改善ZnO-Pr6O11基压敏电阻的电学性能的主要研究方向。制备工艺的完善对改善ZnOPr6O11压敏电阻材料性能也有不可忽视的作用。
何恺 +4 more
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Dianci bileiqi, 2021 研究了不同NiO含量对ZnO基压敏电阻微观结构、相组成电学性能的影响。结果表明,掺杂合适含量的NiO能够有效的改善ZnO基压敏电阻的电气性能,这可被归因为NiO的掺杂能够调整ZnO的晶粒取向,从而使ZnO压敏陶瓷形成了更加均一的显微结构。CE5样品（NiO摩尔分数为1.55%）具有优秀的综合电气性能,其电位梯度为184.00 V/mm,非线性系数α为72.7,漏电流为0.45μA,在20 kA和30 kA下的压比分别为2.20和2.38。此外,在20组20 kA及2组30 kA脉冲浪涌电流冲击后 ...
王曼玉 +9 more
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[Research progress in application of metal-organic framework-derived materials to sample pretreatment]. [PDF]
Se Pu, 2021 Zhang W +5 more
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Dianci bileiqi, 2018 采用卧式砂磨机对混合添加剂氧化物进行微纳化,探究添加剂粒径对ZnO压敏电阻性能的影响。借助粘度、Zeta电位、SEM、XRD和电测设备等分析方法对所制得的ZnO压敏电阻进行综合分析。结果表明,通过卧式砂磨细化的添加剂粒径达到微纳米级,制得的压敏电阻ZnO晶粒尺寸减小,微观结构更加均匀。其中卧式砂磨细化30 min所得的添加剂粒径为347 nm,压敏电阻电位梯度达到310.0 V/mm,漏电流为1μA,残压比（8/20μs,5 k A）达到1.69,非线性系数为32.7,表现出较好的综合电气性能。
程器 +5 more
doaj