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Dianci bileiqi, 2008 采用溶液添加法在中压压敏电阻中引入金属K+离子,研究不同含量的K+对ZnO压敏电阻电性能的影响及其机理,结果表明:K+能增强ZnO压敏电阻的稳定性,富集在晶界处的K+因补充了晶界处正点中心的数量,使耐受8/20μs峰值电流冲击性能提高;K2O的高温液相烧结促使瓷体的气泡等烧结缺陷减少,使其2ms方波脉冲冲击性能提高;随着K掺入量的增加和烧结时间的延长,晶粒尺寸增大,压敏电压梯度减小。
洪俊伟 +3 more
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Dianci bileiqi, 2007 掺杂Y2O3可显著提高ZnO-Bi2O3系压敏电阻的电位梯度、能量吸收能力等电气性能,但会引起泄漏电流的增加。研究了不同烧成温度下,掺杂0～1.7%（摩尔分数）Y2O3对ZnO-Bi2O3压敏电阻片电气性能的影响。结果表明,在1140℃下,掺杂0.68%（摩尔分数）Y2O3,可获得具有300V/mm的电位梯度和370J/cm3能量吸收能力的高性能电阻片。此外,以FSM为主成分的“F”无机高阻层适宜于高梯度压敏电阻片的侧面绝缘,加速老化系数KCT小于1。
王玉平, 马军
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Dianci bileiqi, 2004 通过对化学合成法进行改进以适应ZnO压敏电阻片复合添加剂制备的需要,针对化学合成法的不足,提出了解决技术籽晶分布包膜技术,通过控制籽晶、沉淀剂、分散剂、pH值、化学反应进程和温度等因素,获得离子级均匀混合的ZnO压敏电阻片复合添加剂复合粉体前驱体,为进一步获得高性能ZnO压敏电阻片打下了坚实的基础。
王玉平, 李盛涛
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Dianci bileiqi, 1992 给出了ZnO压敏电阻的脉冲退化规律。研究了ZnO压敏电阻宏观性能退化与瓷体微观结构变化的对应关系,并对影响退化程度的若干因素和脉冲退化机理进行了探讨。
岳瑞峰, 李能贵
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Dianci bileiqi, 1997 根据避雷器用ZnO压敏电阻在2ms方波作用下出现的炸裂失效现象，研究了压敏电阻炸裂区域的显微形貌特征以及伴随着炸裂而出现的电弧烧蚀针孔。并对出现多个烧蚀针孔的区域，。做了岩矿相组织分析，进一步证实了；对于高电压梯度，细晶粒组织的ZnO压敏电阻，2ms方波炸裂失效模式仍然是电弧烧蚀针孔击穿机理的一种。同时还指出了Eda模式和试验现象之间的矛盾。
陈小川
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Dianci bileiqi, 2005 通过掺杂氧化镍、氧化钇,对改善ZnO压敏电阻片电气特性进行了系统研究;分析和讨论了电阻片的电位梯度E、泄漏电流IL、压比Ki、方波、大电流冲击所引起的变化以及老化试验等;掺杂后,不仅提高了电阻片的电位梯度,同时还提高了其能量吸收能力;特别是钇掺杂处于晶界上,抑制晶粒长大,使晶界电压降低,大约为2.2V,是传统电阻片晶界电压的70%。研究获得了电位梯度达260V/mm,方波为800A,能量吸收能力达到300J/cm3的直径为56mm、厚度为9mm的ZnO压敏电阻片。
王玉平, 马军
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Dianci bileiqi, 2009 综述了近年来稀土掺杂氧化锌压敏瓷中的研究进展。掺杂稀土氧化物可明显的减小ZnO晶粒尺寸,使晶粒尺寸分布均匀;其中掺杂Y2O3可使ZnO-Bi2O3系压敏瓷晶粒尺寸由11.3μm降到5.4μm,掺杂Er2O3使晶粒尺寸由1.60μm减小到1.06μm。显著提高了ZnO压敏瓷的电位梯度、降低了漏电流。其中在ZnO-Bi2O3系压敏瓷中掺杂Y2O3,可获得电位梯度约为270 V/mm、漏电流为3μA、压比为1.66的电阻片,在ZnO-PrA6O11系压敏瓷中掺杂Er2O3,电位梯度可提高到416.3 V/mm,
巫欣欣 +4 more
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[Research progress on perception and feedback technology in artificial prosthesis]. [PDF]
Sheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za Zhi, 2019 Zhu B, Chu Y, Zhao X.
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Dianci bileiqi采用固相烧结法制备ZnO-Bi2 O3基压敏电阻，研究了不同比例Al（NO3）·9 H2 O的掺杂对ZnO压敏电阻微观形貌、结构和电气性能的影响。通过X射线衍射仪（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FESEM）及电化学工作站分别对样品的物相、形貌及阻抗性能进行表征。结果表明：Al （NO3）·9 H2 O的加入不仅具有促进ZnO晶粒生长和提升晶粒均匀分布的作用，而且能显著降低ZnO晶粒电阻，进而降低残压比。在Al（NO3）·9 H2 O添加量为（0 ～0.015）%（摩尔分数，下同）范围内 ...
王国群 +7 more
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Dianci bileiqi, 1992 通过实验数据和扫描电镜照片说明,压敏电阻的压敏电压下降、漏流增大的原因是ZnO瓷体吸湿而ZnO瓷体吸湿是由于具有过多的显气孔,本文从理论上探讨这一现象.
胡永坚, 周爱国
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