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Dianci bileiqi, 2007 掺杂Y2O3可显著提高ZnO-Bi2O3系压敏电阻的电位梯度、能量吸收能力等电气性能,但会引起泄漏电流的增加。研究了不同烧成温度下,掺杂0～1.7%（摩尔分数）Y2O3对ZnO-Bi2O3压敏电阻片电气性能的影响。结果表明,在1140℃下,掺杂0.68%（摩尔分数）Y2O3,可获得具有300V/mm的电位梯度和370J/cm3能量吸收能力的高性能电阻片。此外,以FSM为主成分的“F”无机高阻层适宜于高梯度压敏电阻片的侧面绝缘,加速老化系数KCT小于1。
王玉平, 马军
doaj
, 2000 一种燃料电池组输出电压调整方法，其特征在于：在整个电池组中加装１～６个单元的备用电池，每单元备用电池包括１～５个单电池；当总电压低于额定值的下限时，部分或全部备用电池接入电路工作；当电池组输出电压高于额定值上限时，再切除这些备用电池。本发明易于实现，可靠性高 ...
袁权, 毕可万, 衣宝廉, 孙德尧
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ZnO piezoelectric sensor manufacturing-oriented dielectrophoresis assembly method
, 2012 本发明涉及纳米操作领域，公开一种面向ZnO压电传感器制造的介电泳装配方法。将酒精分析纯溶液与ZnO混合，经超声振荡和脉冲后，实现ZnO有效分散，即完成预处理。再利用介电泳技术实现对ZnO在微电极上的有效可控装配。本发明提出的方法，对ZnO所具有的物理、化学性质不会产生任何破坏，可操作性与可重复性强 ...
许可, 董再励, 田孝军
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Dianci bileiqi, 2004 通过对化学合成法进行改进以适应ZnO压敏电阻片复合添加剂制备的需要,针对化学合成法的不足,提出了解决技术籽晶分布包膜技术,通过控制籽晶、沉淀剂、分散剂、pH值、化学反应进程和温度等因素,获得离子级均匀混合的ZnO压敏电阻片复合添加剂复合粉体前驱体,为进一步获得高性能ZnO压敏电阻片打下了坚实的基础。
王玉平, 李盛涛
doaj
Dianci bileiqi, 1992 给出了ZnO压敏电阻的脉冲退化规律。研究了ZnO压敏电阻宏观性能退化与瓷体微观结构变化的对应关系,并对影响退化程度的若干因素和脉冲退化机理进行了探讨。
岳瑞峰, 李能贵
doaj
, 1991 一、概述随着高压和超高压输电线路的发展,传输电压等级越来越高,容量越来越大,电压质量是关键指标之一。线路的安全运行对国民经济的发展起着突出作用。为了减少重大事故的发生,对电力线路的电压监测和准确判断绝缘于好坏显得十分重要。据此,一种新型的测量110kV 及以下的数字式高电压表,已由中国科学院力学研究所研制成功,并由北京高电精密仪器技术公司投入批量生产。SG 系列数字高电压表是测量直流、交流或交直流两用的高压数字仪表,测量范围0.2kV～110kV,测量精度0.5%～2.5%,能自动变换量程 ...
胡昌信
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Dianci bileiqi, 1997 根据避雷器用ZnO压敏电阻在2ms方波作用下出现的炸裂失效现象，研究了压敏电阻炸裂区域的显微形貌特征以及伴随着炸裂而出现的电弧烧蚀针孔。并对出现多个烧蚀针孔的区域，。做了岩矿相组织分析，进一步证实了；对于高电压梯度，细晶粒组织的ZnO压敏电阻，2ms方波炸裂失效模式仍然是电弧烧蚀针孔击穿机理的一种。同时还指出了Eda模式和试验现象之间的矛盾。
陈小川
doaj
一种集成热敏电阻的金刚石热沉，包括：一衬底；一第一Ti薄膜，该第一Ti薄膜制作在衬底上的一侧，该第一Ti薄膜为一弯折条形结构；一Au薄膜，该Au薄膜制作在第一Ti薄膜上，形状与第一Ti薄膜相同，该Au薄膜分为第一热敏电阻引线区、第二热敏电阻引线区和热敏电阻区；一第二Ti薄膜，该第二Ti薄膜制作在衬底上的另一侧；一器件烧结区，该器件烧结区制作在第二Ti薄膜上。解决了以往热敏元件与器件集成制作过程中设计和工艺复杂 ...
张全德 +8 more
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Shock calibration of piezoresistive high-g_n microaccelerometer
, 2003 采用体硅微机械加工技术和扩散技术，制作压阻式高量程微加速度计，设计量程为50000 g_n。芯片材料为单晶硅，采用双列扁平陶瓷封装。为了测量其动态灵敏度，使用Hopkinson杆在约40000 g_n的加速度水平下进行了冲击校准。在电桥电压为6.33V的情况下，被测微加速度计的灵敏度为1.26 μV ...
陆德仁 +4 more
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