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一种忆阻器及其应用

open access: yes, 2017
本发明提供了一种忆阻器,包括:依次在衬底上形成底电极层、中间介质层和顶电极层;所述中间介质层由硫族化合物层和氧化物层组成,其中,硫族化合物层与底电极层相接,氧化物层与顶电极层相接。本发明通过采用合适的顶电极与氧化物层和硫族化合物层组合,使得制备出的忆阻器具有超低的工作电压,表现出超高的电灵敏性。本发明还提供了一种忆阻器在制备神经突触仿生器件中的应用,该忆阻器表现出很好的突触可塑性,并具有超低的工作电压下实现了短程可塑性和长程可塑性 ...
曹鸿涛, 诸葛飞, 胡令祥
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定电压测漏电流对ZnO压敏电阻器测试合格率的影响 附视频

open access: yesDianci bileiqi, 1999
通过对ZnO压敏电阻器几个典型品种在不同荷电率下的漏电流测试,研究了定电压下测量漏电流对压敏电阻测试合格率的影响。同时 ...
王建   +5 more
doaj  

一种电阻型随机存储器的存储单元的制备方法及其产品

open access: yes, 2015
本发明公开了一种电阻型随机存储器的存储单元的制备方法,步骤1、在衬底表面形成导电薄膜作为第一电极;步骤2、在步骤1获得的第一电极表面制备氩等离子体轰击处理的ZnO薄膜作为中间层;步骤3、在步骤2获得的中间层表面制备导电薄膜作为第二电极;步骤4、在步骤3获得的结构基础上制备隔离的器件,得到所述的电阻型随机存储器的存储单元。本发明提供一种电阻型随机存储器的存储单元的制备方法,对作为中间介质层的ZnO薄膜进行氩等离子轰击处理,大幅改善了ZnO薄膜表面的平整度 ...
曹鸿涛, 诸葛飞, 伏兵
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一种电阻率测试装置

open access: yes, 2013
本实用新型公开了一种电阻率测试装置,包括底板、固定设置在所述底板上用于固定待测件的固定架、固定在所述底板上的导向柱、设置在所述导向柱上的带标尺的调节压板、设置在所述调节压板上用于与所述待测件接触的检测电极以及与所述检测电极连接的电阻检测装置。本实用新型电阻率测试装置可在所需待测件的测量长度下测量其电阻,一次即可通过公式算出电阻率,对同一待测件可以在不同测量长度下测量其电阻,通过公式算出不同测量长度下的电阻率,从而保证测试结果的准确性。本实用新型电阻率测试装置整体上来说,结构简单,使用方便 ...
张永刚   +6 more
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cdse量子点敏化纳米二氧化钛太阳电池的电化学交流阻抗谱

open access: yes, 2011
量子点敏化纳米TiOz太阳电池(QDSSCs)具有诱人的发展前景,但是与传统的染料敏化太阳电池(DSSCs)相比,其目前的光电转换效率还非常低(仅为3%左右).为了寻找QDSSCs光电转换效率低的原因,本文主要采用外加偏压下的交流阻抗谱技术对通常以S^2-/Sx^-离子对为电解质的CdSe胶体量子点敏化纳米TiO2电极的准费米能级、电子传输复合特性以及串联电阻等问题进行了考察,并将之与以I^/I^3-离子对为电解质的DSSCs的测试结果进行了对比分析.从纳米TiO2膜层的化学电容曲线可以看出 ...
徐雪青, 徐刚
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侧面有机绝缘保护材料及绝缘层形状对ZnO压敏电阻片脉冲闪络特性的影响

open access: yesDianci bileiqi, 1997
研究了侧面有机绝缘保护材料涂覆厚度和绝缘层形状对ZnO压敏电阻片脉冲闪络特性的影响,研究结果表明,增大绝缘保护层厚度,尤其是端部绝缘层厚度,可以有效地提高ZnO压敏电阻片的沿面脉冲闪络电压和电流。聚酯改性有机硅树脂B的绝缘保护效果优于聚酯型聚氨酯漆A。
李盛涛, 李博, 刘辅宜
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超宽频低相位噪声的集成电感电容压控振荡器

open access: yes
本发明公开了一种集成电感电容压控振荡器,包括:四个可编程的负阻型LC振荡核心电路;一个与该四个可编程的负阻型LC振荡核心电路相连接的公共输出级;以及一个电流大小可编程的偏置模块,该偏置模块通过受控开关连接于该四个可编程的负阻型LC振荡核心电路。本发明的集成电感电容压控振荡器与普通压控振荡器相比,在调谐范围、相位噪声等方面具有明显的优势 ...
兰晓明, 石寅, 颜峻
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压电驱动MEMS光学扫描镜的研制

open access: yes, 2012
为实现高速大角度光学扫描,研制了一种新型压电陶瓷驱动MEMS光学扫描镜.将两块压电陶瓷分别放置在扫描镜背面两侧作为驱动,通过简单的扭转梁结构把两块压电陶瓷沿相反方向上下振动转换成镜片的扭转振动.采用MEMS体硅工艺及微装配技术,制备出器件样品.经测试,大气压下,研制出的扫描镜扫描谐振频率可达21.9 kHz,施加200 V交流电,谐振态的光学扫描角度为21.8°.测试数据表明该器件适用于激光打印、条形码扫描及微型激光投影显示等领域.  ...
王敏锐, 徐征, 李文翔
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高电位梯度ZnO电阻片的研制

open access: yesDianci bileiqi, 2003
ZnO电阻片的电位梯度以单位厚度的压敏电压U1mA/mm来评价,目前传统生产的ZnO电阻片的电位梯度约为200V/mm左右,介绍了采用新配方、新工艺来提高ZnO电阻片的电位梯度,使电阻片的电位梯度提高到290V/mm以上,并使电阻片的其它电气性能有所提高或保持原有的较好水平,通过大量的配方试验和制作工艺的优化选择,已获得比较理想的实验结果。
姚政, 翟维琴
doaj  

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