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Guangtongxin yanjiu, 1982 用氟代硼掺杂到光纤中也可使纤维的折射率降低,並能改善纤维的性质。掺氟用化合物要求沸程在0°～100℃范围,适合此沸程的氟化合物很少。提出通过代入重卤素到碳硅硫的氟化物中的方法来获得适宜的掺杂用化合物,並对这些化合物在制备上进行了探讨。最后讨论了它们在掺杂过程中所发生的反应。
袁启华 +3 more
doaj
本发明提供一种Cu掺杂p型ZnO薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：采用射频磁控溅射方法，将纯度为4N以上的ZnO和高纯Cu粉末混合压制成所需靶材；步骤2：在氩气和氧气混合气体环境中将靶材溅射沉积在衬底之上形成薄膜；步骤3：将形成薄膜的衬底进行退火处理，得到Cu掺杂的p型ZnO薄膜材料 ...
杨晓丽, 陈诺夫, 尹志岗
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, 2000 首次细致地研究了InAs量子点中直接掺杂Be对其发光特性的影响。光致发光(PL)谱的研究表明，较低掺杂浓度时，发光峰蓝移，同时伴随着发光谱线窄。而较高浓度的掺杂会对量子点的光谱特性产生不良的影响，发光强度明显变弱 ...
宁东 +6 more
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, 2006 光催化技术是自20世纪70年代逐步发展起来的一门新兴的高级氧化技术，它利用光催化剂在光照下产生的光生电子的还原性能和光生空穴的氧化性能，可有效的分解各种污染物，在环境治理和环保材料的应用等领域具有广阔的应用前景。光催化技术的核心是光催化剂，提高光催化剂的催化活性是光催化技术应用的关键。本文通过对Ni掺杂TiO2和Cu2O/TiO2复合薄膜的光电性能和光催化活性的研究，探讨了半导体金属离子掺杂形成缓变结和半导体复合形成突变结对催化剂光催化活性增强的机理，为高性能的光催化剂开发及光催化技术的应用提供理论基础。
于华
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, 2008 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算不同Mn浓度掺杂GaN晶体的电子结构和光学性质.计算结果表明Mn掺杂GaN使得Mn 3d与N2p轨道杂化,产生自旋极化杂质带,材料表现为半金属性,非常适于自旋注入,说明该种材料是实现自旋电子器件的理想材料,折射率在带隙处出现峰值 ...
邢海英 +5 more
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四川大学学报. 自然科学版, 2001 掺金 (Au)和掺铂 (Pt)技术已被广泛用于减小硅中少数载流子的寿命 .掺金器件的VF～trr特性优于掺铂器件 ,但高温反向电流远大于掺铂器件 .作者通过金铂双掺杂技术 ,得到了VF～trr特性和高温反向漏电流介于单独掺金和掺铂快恢复二极管之间的结果 ;并通过全面衡量器件各参数认为 ,金铂双掺杂技术有利于器件参数的优化 .
金德虎 +3 more
doaj
, 2013 本发明提供一种光纤预制棒的掺杂装置及掺杂方法，其包括加热系统、传输系统和改进的化学气相沉积系统。加热系统包括加热蒸发罐、连通加热蒸发罐的进气导管和出气导管，传输系统包括加热保温传输管和加热保温板，用以通入高纯氧气的氧气管和出气导管分别接入设有相应接口的加热保温传输管中；加热保温传输管的输出端与改进的化学气相沉积系统的旋转部分连通，各个加热蒸发罐内装有不同的有机金属螯合物；其中，至少有一个加热蒸发罐内的有机金属螯合物作为掺杂剂。应用本掺杂装置可以实现全气相掺杂，全程保温，使气体不易凝结 ...
林傲祥 +7 more
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Dianci bileiqi, 2010 掺杂稀土氧化物可改变ZnO晶粒的尺寸,从而改变了等效偏析层的厚度,并分析了偏析层在导电过程中的作用。发现未掺杂试样的导电过程由晶界偏析层控制,而稀土氧化物Ce2O3、Y2O3掺杂后,由于晶粒尺寸的下降,试样的导电过程转变为界面态能级控制。因此对于多掺杂体系或小晶粒体系,应考虑偏析层对压敏陶瓷宏观的电气性能的影响。
成鹏飞, 王玉平
doaj
MOCVD生长碳掺杂GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器
, 2000 利用低压金属有机金属化合物汽相淀积方法,以液态CCl_4为掺杂源生长了高质量C掺杂GaAs/AlGaAs材料,并对生长机理、材料特性以及C掺杂对大功率半导体激光器的影响进行了分析。在材料研究的基础上生长了以C为P型掺杂剂的GaAs/AlGaAs/InGaAs应变量子阱半导体激光器结构,置备了高性能980 ...
马晓宇 +8 more
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, 2014 本发明涉及一种掺杂剂辅助的电离源，这种电离源利用了紫外灯照射掺杂剂电离产生的电子以及照射载气产生的光化学反应。它包括两部分：紫外光源和内装填有掺杂剂的容器。紫外光照射易电离的掺杂剂能够产生低能量的光电子。光电子可以吸附到载气中光化学产生的O3上得到O3-，O3-或其水合离子O3(H2O)n可以和空气中存在的大量CO2反应生成CO3-(H2O)n（n=0-3）。CO3-(H2O)n可以作为试剂离子和待测物发生反应，使待测物电离形成产物离子。将掺杂剂辅助的电离源用于离子迁移谱 ...
陈创 +5 more
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