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Simulation and Fabrication of 4H-SiC Separated Absorption Charge and Multiplication Ultraviolet Avalanche Photodiodes [PDF]
, 2016 4H-碳化硅（SiC）紫外雪崩光电探测器（APD）已具备取代紫外光电倍增管和Si基紫外光电探测器的可能性，它在光纤通信、高保密的非视距紫外通信及微弱紫外信号检测等特殊领域有重要的应用，已日益成为国际上光电探测领域的研究热点。 近年来已报道的高性能4H-SiCAPDs大多是采用吸收层和倍增层分离结构（SAM）进行制备。虽然SAM结构具有较高的量子效率，但是为了实现有效的吸收层和倍增层分离结构，要求倍增层厚度较薄且掺杂浓度较高，这将会使得器件的暗电流较大且倍增层电场分布梯度过大，不利于雪崩机制 ...
张明昆
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Progress of dye-sensitized water-splitting for hydrogen production [PDF]
, 2006 The mechanism of dye-sensitized water-splitting for hydrogen production is introduced. Research works on the use of different dye molecules and redox mediators are reviewed.
Leung, MKH, Leung, YC, Ni, M
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Dianci bileiqi采用两步烧结法制备稀土掺杂的氧化锌基非线性电阻，通过对其显微组织、相结构和电性能的分析，探讨不同含量的Sc2O3对氧化锌非线性电阻的影响。结果表明，两部烧结制备出的样品的致密度均高于97%。当Sc2O3掺杂量掺杂浓度为0.1%时ZnO非线性电阻的综合电性能最好，电位梯度为958 V/mm，非线性系数为61.2。因此，通过两步法烧结掺杂Sc2O3的ZnO非线性电阻可以获得均匀的显微结构和优异的电学性能。
石梦阳, 姜明, 徐东
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Theoritical investigations of structural stability, mechanical and thermodynamics properties for γ’ precipitates in Co-based superalloys [PDF]
, 2015 随着国防科技的迅猛发展，新一代的航空航天飞机对发动机涡轮叶片材料的承温能力提出更高的要求。传统Ni基高温合金由于熔点的限制，其最高使用温度已不能满足需要。寻找下一代新型高温合金以满足发展更高效率航空发动机的需求是国内外学术界和产业应用领域共同关注的焦点。最近，新型γ’析出相强化型Co基合金的发现在全世界掀起了开发新型钴基高温材料的热潮。类似于γ’-Ni3Al，γ’析出相在新型Co基高温合金中起到了至关重要的作用。γ’相的结构稳定性、弹性力学性质与温度的依存关系直接决定了Co基合金在高温下的性能表现 ...
许伟伟
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Dianci bileiqi采用传统的SnO2+CoO+Nb2O5+Cr2O3压敏电阻体系，深入研究了MgO掺杂对SnO2基压敏电阻综合电性能和微观形貌的影响。结果表明，当MgO掺杂量为0.5%(摩尔分数)可获得最佳的电性能，非线性系数为32，电压梯度为284.3 V/mm，漏电流为7.1 μA。这是因为Mg2+作为受主掺杂剂，提高了表面态密度，当MgO的掺杂量超过SnO2样品的溶解度极限时，在晶界处形成尖晶石，由于钉扎效应阻止了ZnO晶粒的生长，因此晶粒尺寸减小并形成更多晶界，有效提高了SnO2压敏电阻的综合电性能 ...
孙岩 +6 more
doaj
Dianci bileiqi, 2007 掺杂Y2O3可显著提高ZnO-Bi2O3系压敏电阻的电位梯度、能量吸收能力等电气性能,但会引起泄漏电流的增加。研究了不同烧成温度下,掺杂0～1.7%（摩尔分数）Y2O3对ZnO-Bi2O3压敏电阻片电气性能的影响。结果表明,在1140℃下,掺杂0.68%（摩尔分数）Y2O3,可获得具有300V/mm的电位梯度和370J/cm3能量吸收能力的高性能电阻片。此外,以FSM为主成分的“F”无机高阻层适宜于高梯度压敏电阻片的侧面绝缘,加速老化系数KCT小于1。
王玉平, 马军
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Research of Ge Junction Technology and Ge Lateral PIN Photodetector [PDF]
, 2015 锗材料因其具有比硅材料更高的载流子迁移率，在通信波段具有高的吸收系数，以及与主流硅工艺相兼容等优点，成为下一代高性能集成电路半导体MOSFET器件沟道的首选替代材料。经过十余年研发，当前Gep-MOSFET的性能已经取得实质性的进展，但相应Gen-MOSFET性能仍未取得突破，除了高k介质与Ge接触产生大量界面态外，还有以下两个原因：首先金属/n-Ge结界面强烈的费米能级钉扎效应和较高的接触势垒引入较大的器件串联电阻；其次Ge中n型杂质扩散严重，激活浓度低，不利于形成n+p浅结。因此，调制金属 ...
魏江镔
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Transition metal compounds and alloys: A first-principles investigation [PDF]
, 2015 含过渡金属的化合物与合金在数据存储、光催化和能量存储与转换等领域有重要的应用，主要得益于其特定的电子结构、力学性能等性质。本论文利用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法，选取特定的研究体系，系统地探索了过渡金属化合物与合金的电子结构（第三章）、内部原子扩散（第四章）、力学性能（第五章）以及压力与温度对其性质的影响（第六章）。 为了研究缺陷和掺杂对过渡金属氧化物电子结构的调制，我们以SrZrO3为研究对象，首先研究了内部含有有序氧空位和部分无序氧空位体系的电子结构。计算结果表明 ...
郭忠路
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Fabrication and Doping of Freestanding Si-O-C Composite Films by Precursor Method and Their Application in LED Devices Packaging [PDF]
, 2016 LED作为第四代光源，因其尺寸小、响应快、亮度高、节能环保等诸多优点展现出较广阔的应用前景。LED向着高功率、高密度封装的方向发展，散热问题至关重要，散热效果差导致芯片结温过高、荧光粉量子产率降低、发光波长偏移及器件老化等问题。大功率LED散热主要集中在封装材料的研究、热界面材料的选择、封装结构的合理设计及冷却系统的优化等方面。而散热基板作为其重要封装材料，要求具有高绝缘性、高导热性、高平整性以及与芯片衬底匹配的热膨胀系数等特性。因此，本文主要针对封装材料中的高热导散热基板材料进行研究，主要工作如下 ...
毛宇
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